专利名称：有源矩阵基板、液晶面板、液晶显示单元、液晶显示装置、电视接收机的制作方法
技术领域：
本发明涉及在1个像素区域中设置多个像素电极的有源矩阵基板以及使用该有源矩阵基板的液晶显示装置(像素分割方式)。
背景技术：
为了提高液晶显示装置的Y特性的视场角依存性(例如，抑制画面的泛白等)，提出如下液晶显示装置将在1个像素内所设置的多个子像素控制为不同的亮度，通过这些子像素的面积灰度级来显示中间灰度级(像素分割方式，例如，参照专利文献1)。在专利文献1记载的有源矩阵基板(参照图31)中，在1个像素区域中配置2个像素电极190a、190b，晶体管的源极电极178连接到数据线171，漏极电极175通过接触孔 185连接到像素电极190a。另外，耦合电极176通过扩展部177连接到晶体管的漏极电极 175。并且，耦合电极176与像素电极190b隔着保护膜(沟道保护膜)重叠，通过形成于该重叠部分的电容(耦合电容)，连接到晶体管的像素电极109a与成为电漂浮的像素电极 109b连接(电容耦合型的像素分割方式)。在使用该有源矩阵基板的液晶显示装置中，可以将与像素电极190a对应的子像素作为亮子像素，将与像素电极190b对应的子像素作为暗子像素，可以通过这些亮子像素、暗子像素的面积灰度级来显示中间灰度级。但是，在该专利文献1的结构中，存在在耦合电极176与像素电极190b的重叠部分两者易于短路的问题。在此，在专利文献2中，公开了如下结构成为电漂浮的像素电极(与暗子像素对应的像素电极)连接到与扫描信号线形成于同层(基板上)的下层电容电极，连接到晶体管的像素电极连接到与数据信号线形成于同层(栅极绝缘膜上)的上层电容电极，上层电容电极与下层电容电极隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成耦合电容。现有技术文献专利文献专利文献1 日本公开专利公报“特开2006-221174号公报(
公开日:2006年8月 M日)”专利文献2 日本公开专利公报“特开2005-346082号公报(
公开日2005年12 月15日)”
发明内容
发明要解决的问题但是，本申请的发明人发现在专利文献2记载的有源矩阵基板中，起因于与扫描信号线形成于同层的下层电容电极成为电漂浮，与暗子像素对应的像素电极变得易于烧结。根据本发明，其目的在于在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中，抑制耦合电容部分的短路且缓和与暗子像素对应的像素电极的烧结。用于解决问题的方案本发明的有源矩阵基板的特征在于具备扫描信号线和数据信号线，在1个像素区域中设有通过晶体管连接到数据信号线的第1像素电极以及通过电容连接到该第1像素电极的第2像素电极，上述有源矩阵基板具备与扫描信号线形成于同层并电连接到第1像素电极的第1电容电极、覆盖扫描线号线的第1绝缘膜以及在该第1绝缘膜和第2像素电极之间的层所形成的第2绝缘膜，第1电容电极与第2像素电极隔着第1绝缘膜和第2绝缘膜重叠，由此在第1电容电极与第2像素电极之间形成电容。在本有源矩阵基板中，形成耦合电容的第1电容电极与第2像素电极隔着第1绝缘膜(例如，栅极绝缘膜)和第2绝缘膜(例如，沟道保护膜)重叠，因此，可以抑制两者 (第1电容电极和第2像素电极)的短路。另外，第1电容电极连接到与晶体管连接的第1 像素电极，因此，可以缓和成为电漂浮的第2像素电极(与暗子像素对应的像素电极)的烧结。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构第2绝缘膜的厚度小于等于第1绝缘膜的厚度。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构上述第2绝缘膜的与第1电容电极和第2像素电极重叠的部分的厚度比周围小。本发明的有源矩阵基板的特征在于具备扫描信号线和数据信号线，在1个像素区域中设有通过晶体管连接到数据信号线的第1像素电极以及通过电容连接到该第1像素电极的第2像素电极，上述有源矩阵基板具备与扫描信号线形成于同层并电连接到第1像素电极的第1电容电极、覆盖扫描信号线的第1绝缘膜以及与数据信号线形成于同层并电连接到第2像素电极的第2电容电极，第1电容电极与第2电容电极隔着第1绝缘膜重叠， 由此在第1电容电极与第2电容电极之间形成电容。在本有源矩阵基板中，形成耦合电容的第1电容电极与第2像素电极通过第1绝缘膜(例如，栅极绝缘膜)重叠，因此，可以抑制两者(第1电容电极与第2像素电极)的短路。另外，第1电容电极连接到与晶体管连接的第1像素电极，因此，可以缓和成为电漂浮的第2像素电极(与暗子像素对应的像素电极)的烧结。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构在第2电容电极和第2像素电极之间的层，形成比第1绝缘膜厚的第2绝缘膜。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构上述第2绝缘膜包含有机绝缘膜而构成。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构第1电容电极具有平行的2条边，并且第2电容电极也具有平行的2条边，当俯视时，第1电容电极的两个边位于第2电容电极的两个边的内侧，或者第2电容电极的两个边位于第1电容电极的两个边的内侧。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构第1绝缘膜是栅极绝缘膜。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构第2绝缘膜是覆盖晶体管的沟道的层间绝缘膜。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构第1像素电极和第1电容电极通过贯穿第1绝缘膜和第2绝缘膜的接触孔连接。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构具备与上述扫描信号线形成于同层、 与第1像素电极和第2像素电极的至少ー方形成电容的保持电容配线。在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构与上述数据信号线同层地设有与保 持电容配线和第1电容电极分别重叠的修正用电极。本液晶面板具备上述有源矩阵基板和具有用于控制取向的线状突起的相对基板， 第1电容电极的至少ー部分配置于该线状突起下。本有源矩阵基板的特征在于在1个像素区域中具备连接到晶体管的第1像素电 极、第2像素电极、配置于比第1像素电极和第2像素电极靠下层的、通过接触孔连接到第1 像素电极的第1电容电极、通过与上述晶体管不同的晶体管连接到第2像素电极的第2电 容电极，上述第2电容电极配置于比第1电容电极靠上的层且配置于比第1像素电极和第 2像素电极靠下的层，上述第1电容电极与第2电容电极隔着第1绝缘膜重叠，由此在第1 电容电极和第2电容电极之间形成电容。在上述结构中，也可以采用如下结构具备在同层连接到上述第2电容电极的第3 电容电极以及与该第3电容电极形成电容的保持电容配线。本液晶面板具备上述有源矩阵基板和具有共用电极的相对基板，在上述相对电极 上设有用于控制取向的狭缝，第1电容电极的至少ー部分配置于该狭缝下。本液晶显示单元的特征在于具备上述液晶面板和驱动器。另外，本液晶显示装置 的特征在于具备上述液晶显示单元和光源装置。另外，电视接收机的特征在于具备上述 液晶显示装置和接收电视播放的调谐部。发明效果如上所述，根据本有源矩阵基板，可以抑制形成稱合电容的第1电容电极与第2像 素电极的短路且缓和第2像素电极(与暗子像素对应的像素电极)的烧结。
图1是示出本液晶面板的结构的平面图。图2是图1的液晶面板的等价电路图。图3是图1的液晶面板的X-Y向视截面图。图4是示出具备图1的液晶面板的液晶显示装置的驱动方法的时序图。图5是示出使用图4的驱动方法的情况下的锋巾贞的显示状态的示意图。图6是示出图1所示液晶面板的变形例的平面图。图7是图6的液晶面板的X-Y向视截面图。图8是示出图1所示液晶面板的变形例的平面图。图9是图8所示液晶面板的X-Y向视截面图。图10是示出图9所示液晶面板的变形例的截面图。图11是示出图1所示液晶面板的变形例的平面图。图12是示出本液晶面板的其它的例子的平面图。图13是图12所示液晶面板的X-Y向视截面图。图14是示出图1所示液晶面板的其它的变形例的平面图。图15是示出图14所示液晶面板的变形例的平面图。
图16是示出图15所示液晶面板的修正例的平面图。图17是示出图8所示液晶面板的变形例的平面图。图18是示出图12所示液晶面板的变形例的平面图。图19是示出本液晶面板的其它的结构的平面图。图20是示出图19所示液晶面板的变形例的平面图。图21是示出图19所示液晶面板的其它的变形例的平面图。图22的(a)是示出本液晶显示单元的结构的示意图，(b)是示出本液晶显示装置的结构的示意图。图23是说明本液晶显示装置的整体结构的框图。图M是说明本液晶显示装置的功能的框图。图25是说明本电视接收机的功能的框图。图沈是示出本电视接收机的的结构的分解立体图。图27是示出本液晶面板的其它的结构例的平面图。图观是图27的液晶面板的向视截面图。图四是示出本液晶面板的其它的结构例的平面图。图30是图四的液晶面板的向视截面图。图31是示出现有的液晶面板的结构的平面图。
具体实施例方式如果用图1 30来说明本发明的实施方式的例子，则如下所示。此外，为了便于说明，下面将扫描信号线的延伸方向作为行方向。但是，在具备本液晶面板(或者其所用的有源矩阵基板)的液晶显示装置的使用(视听)状态下，当然该扫描信号线可以在横向上延伸，也可以在纵向上延伸。此外，在液晶面板的各图中，适当地省略记载用于控制取向的结构物(例如，形成于有源矩阵基板的像素电极的狭缝、形成于彩色滤光片基板的肋)。图2是示出本实施方式的液晶面板(例如，常黑模式)的一部分的等价电路图。如图2所示，本液晶面板具备在列方向(图中上下方向)延伸的数据信号线15x、15y、在行方向(图中左右方向)延伸的扫描信号线16x、16y、在行和列方向排列的像素(101 104)、 保持电容配线18p、18q以及共用电极(相对电极)com，各像素的结构是相同的。此外，包括像素101、102的像素列与包括像素103、104的像素列相邻，包括像素101、103的像素行与包括像素102、104的像素行相邻。在本液晶面板中，对应1个像素设有1个数据信号线和1个扫描信号线以及1个保持电容配线，在1个像素中2个像素电极在列方向排列。例如在像素101中，像素电极17a通过连接到扫描信号线16x的晶体管1 连接到数据信号线15x，像素电极17a与像素电极17b通过耦合电容Cab连接，在像素电极17a 和保持电容配线18p之间形成保持电容Cha，在像素电极17a和共用电极com之间形成液晶电容Cla，在像素电极17b和共用电极com之间形成液晶电容Clb。在具备本液晶面板的液晶显示装置中，当选择扫描信号线16x时，像素电极 17a(通过晶体管12a)连接到数据信号线15x。在此，像素电极17a与像素电极17b通过耦合电容Cab耦合，因此，如果将晶体管1 截止后的像素电极17a的电位设为Va，将晶体管
712a截止后的像素电极17b的电位设为VbJU Va彡Vb (此外，例如|Vb|表示Vb与com 电位=Vcom的电位差)，因此，可以使包含像素电极17a的子像素成为亮子像素，使包含像素电极17b的子像素成为暗子像素，通过该亮子像素和暗子像素的面积灰度级进行中间灰度级显示。由此，可以提高本液晶显示装置的视场角特性。 将图2的像素101的具体例在图1示出。在图1中，为了便于识别，省略了彩色滤光片基板(相对基板)侧的部件而仅记载有源矩阵基板的部件。如该图所示，在数据信号线1 和扫描信号线16X的交叉部附近配置晶体管12a，晶体管1 的源极电极8连接到数据信号线15x，扫描信号线16x兼作晶体管1 的栅极电极，晶体管1 的漏极电极9连接到漏极引出电极27，在由两信号线(lh、16x)划分的像素区域，接近晶体管1 的像素电极 17a (第1像素电极)与像素电极17b (第2像素电极)在列方向排列。
并且，漏极引出电极27通过接触孔1 Ia连接到像素电极17a，通过接触孔1 Ig连接到像素电极17a的下层电容电极87(第1电容电极)与像素电极17b重叠地延伸。在此，下层电容电极87与扫描信号线16x形成于同层，在下层电容电极87和像素电极17b的重叠部分，在下层电容电极87和像素电极17b之间配置栅极绝缘膜和层间绝缘膜。由此，在下层电容电极87与像素电极17b的重叠部分形成耦合电容Cab (参照图2)。另外，在本有源矩阵基板中，保持电容配线18p接近扫描信号线16x配置，保持电容配线18p仅与像素电极17a重叠。在此，为了确保保持电容，使漏极引出电极27与保持电容配线18p重叠地在行方向延伸。在这种情况下，保持电容配线18p与漏极引出电极27 仅隔着栅极绝缘膜重叠，在该重叠部分形成保持电容配线18p和像素电极17a之间的保持电容Cha的大部分。图3是图1的X-Y向视截面图。如该图所示，本液晶面板具备有源矩阵基板3、 与其相对的彩色滤光片基板30以及配置于两基板(3、30)之间的液晶层40。在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成扫描信号线16x、保持电容配线18p以及下层电容电极87，覆盖它们而形成栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22的上层，形成漏极引出电极27。此外，在截面中虽未包括，但是在栅极绝缘膜22的上层，形成半导体层(i层和η+层)、与η+层相接的源极电极8和漏极电极9以及数据信号线15χ。而且，覆盖该金属层而形成层间绝缘膜 25(无机层间绝缘膜)。在层间绝缘膜25上形成像素电极17a、17b，而且，覆盖这些像素电极而形成取向膜7。此外，在接触孔Ila处挖穿层间绝缘膜25，由此，像素电极17a与漏极引出电极27连接。另外，在接触孔Ilg处挖穿栅极绝缘膜22和层间绝缘膜25，由此，像素电极17b与下层电容电极87连接。在此，下层电容电极87隔着栅极绝缘膜22和层间绝缘膜25与像素电极17b重叠， 在两者(87、17b)的重叠部分形成耦合电容Cab (参照图2)。另外，保持电容配线18p隔着栅极绝缘膜22与漏极引出电极27重叠，在两者(18p、27)的重叠部分形成耦合电容Cha (参照图2)的大部分。此外，考虑栅极绝缘膜22的作为栅极绝缘膜的功能和层间绝缘膜25的作为晶体管的沟道保护膜的功能以及必要的耦合电容的值来决定栅极绝缘膜22的材料和厚度以及层间绝缘膜25的材料和厚度即可。在此，栅极绝缘膜22和层间绝缘膜25均使用氮化硅 (SiNx)，将层间绝缘膜25形成得比栅极绝缘膜22薄。另一方面，在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成着色层(彩色滤光片层)14，在其上层形成共用电极(com) 28,而且，覆盖其而形成取向膜19。图4是具备图1、2所示液晶面板的本液晶显示装置(常黑模式的液晶显示装置) 的驱动方法的时序图。此外，Sv和SV示出分别供给到数据信号线15x、15y(参照图2)的信号电位，Gx、Gy示出供给到扫描信号线16x、16y的栅极导通脉冲信号，Va Vd分别示出像素电极17a 17d的电位，VA、VB分别示出像素电极17A、17B的电位。根据该驱动方法，如图4所示，顺序选择扫描信号线，将供给到数据信号线的信号电位的极性按照每1个水平扫描期间(IH)进行反转，并且将在各帧的同一序号的水平扫描期间所供给的信号电位的极性以1帧为单位进行反转，且对在同一水平扫描期间相邻的2 个数据信号线供给极性相反的信号电位。具体地说，在连续的帧Fl、F2中，在Fl中，顺序选择扫描信号线，对相邻的2个数据信号线的一方，在第1个水平扫描期间(例如，包含像素电极17a的写入期间)供给正极性的信号电位，在第2个水平扫描期间供给负极性的信号电位，对上述2个数据信号线的另一方，在第1个水平扫描期间供给负极性的信号电位，在第2个水平扫描期间供给正极性的信号电位。由此，如图4所示，成为Va彡VbMVc彡Vd|，例如，包含像素电极17a(正极性)的子像素成为亮子像素(下面，为“亮”)，包含像素电极17b(正极性)的子像素成为暗子像素(下面，为“暗”)，包含像素电极17c(负极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17d(负极性)的子像素成为“暗”，作为整体，成为图5的(a)。另外，在F2中，顺序选择扫描信号线，对相邻的2个数据信号线的一方，在第1个水平扫描期间(例如，包含像素电极17a的写入期间)供给负极性的信号电位，在第2个水平扫描期间供给正极性的信号电位，对上述2个数据信号线的另一方，在第1个水平扫描期间供给正极性的信号电位，在第2个水平扫描期间供给负极性的信号电位。由此，如图4所示，成为|Va|彡IVbMVc彡|Vd|，例如，包含像素电极17a(负极性)的子像素成为“亮”， 包含像素电极17b (负极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17c(正极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17d(正极性)的子像素成为“暗”，作为整体，成为图5的(b)。此外，在图1、3中省略了用于控制取向的结构物的记载，但是例如在MVA(多畴垂直取向)方式的液晶面板中，对各像素电极设置用于控制取向的狭缝，对彩色滤光片基板设置用于控制取向的肋。此外，也可以替代用于控制取向的肋而对彩色滤光片基板的共用电极设置用于控制取向的狭缝。下面，说明本液晶面板的制造方法。在液晶面板的制造方法中，包含有源矩阵基板制造工序、彩色滤光片基板制造工序以及使两基板粘合并填充液晶的组装工序。首先，在玻璃、塑料等基板上，通过溅射法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜(厚度为1000A 3000A)，其后，通过光刻技术 (Photo Engraving I^ocess，下面称为“PEP技术”)进行图案化，形成扫描信号线(晶体管的栅极电极)、保持电容配线以及下层电容电极。然后，在形成扫描信号线等的整个基板上，通过CVD(Chemical Vapor Deposition ；化学气相沉积)法形成氮化硅、氧化硅等无机绝缘膜(厚度为4000A程度)， 形成栅极绝缘膜(成膜时的基板温度例如采用350°C )。接着，在栅极绝缘膜上(整个基板)，通过CVD法连续形成本征非晶硅膜(厚度为1000人 3000人)、掺杂了磷的η+非晶硅膜(厚度为400Α 700Α)，其后，通过PEP技术进行图案化，在栅极电极上，岛状地形成包括本征非晶硅层和η+非晶硅层的硅层叠体。接着，在形成有硅层叠体的整个基板上，通过溅射法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜(厚度为1000Α 3000Α)，其后，通过 PEP技术进行图案化，形成数据信号线、晶体管的源极电极、漏极电极以及漏极引出电极 (金属层的形成)。而且，将源极电极和漏极电极作为掩模，蚀刻除去构成硅层叠体的η+非晶硅层， 形成晶体管的沟道。在此，半导体层如上所述可以由非晶硅膜形成，不过，也可以形成多晶硅膜，另外，也可以对非晶硅膜和多晶硅膜进行激光退火处理来提高结晶性。由此，半导体层内的电子的移动速度变快，可以提高晶体管(TFT)的特性。然后，在形成有数据信号线等的整个基板上通过CVD法形成氮化硅、氧化硅等的无机绝缘膜(厚度为3000人的程度)，形成层间绝缘膜(成膜时的基板温度例如采用 250 0C )。其后，通过PEP技术蚀刻除去层间绝缘膜或者层间绝缘膜和栅极绝缘膜，形成接触孔。在此，在图1、3的接触孔Ila的形成位置除去层间绝缘膜，在接触孔Ilg的形成位置除去层间绝缘膜和栅极绝缘膜。接着，在形成有接触孔的层间绝缘膜上的整个基板上，通过溅射法形成由 ITOdndium Tin Oxide ；铟锡氧化物)、IZOQndium Zinc Oxide ；铟锌氧化物)、氧化锌、氧化锡等构成的透明导电膜(厚度为1000人 2000人)，其后，通过PEP技术进行图案化， 形成各像素电极。最后，在像素电极上的整个基板上，将聚酰亚胺树脂以500A 1000A的厚度进行印刷，其后，进行焙烧，用旋转布在1个方向进行摩擦处理，形成取向膜。如上所述来制造有源矩阵基板。下面，说明彩色滤光片基板制造工序。首先，在玻璃、塑料等基板上(整个基板)，形成铬薄膜或者含有黑色颜料的树脂后，通过PEP技术进行图案化，形成黑矩阵。然后，在黑矩阵的间隙中，使用颜料分散法等使红色、绿色以及蓝色的彩色滤光片层(厚度为2 μ m的程度)形成图案。接着，在彩色滤光片层上的整个基板上，形成由ΙΤ0、ΙΖ0、氧化锌、氧化锡等构成的透明导电膜(厚度为1000人的程度)，形成共用电极(com)。最后，在共用电极上的整个基板上，将聚酰亚胺树脂以500A IOOOA的厚度进行印刷，其后，进行焙烧，用旋转布在1个方向进行摩擦处理，形成取向膜。如上所述，可以制造彩色滤光片基板。下面，说明组装工序。首先，在有源矩阵基板和彩色滤光片基板的一方上，通过丝网印刷，将由热固化环氧树脂等构成的密封材料涂敷成留出液晶注入口部分的框状图案，在另一方基板上撒布具有相当于液晶层厚度的直径的由塑料或者二氧化硅构成的球状间隔物。然后，粘合有源矩阵基板和彩色滤光片基板，使密封材料固化。最后，在由有源矩阵基板、彩色滤光片基板以及密封材料所包围的空间内，通过减压法来注入液晶材料后，在液晶注入口涂敷UV固化树脂，通过UV照射来密封液晶材料，由此形成液晶层。如上所述来制造液晶面板。在图1的液晶面板中，在形成耦合电容Cab的下层电容电极87和像素电极17b之间，除了存在层间绝缘膜25，还存在致密性较高的栅极绝缘膜22，因此，可以抑制耦合电容形成部分的短路发生。此外，作为沟道保护膜的层间绝缘膜25的致密性一般低于栅极绝缘膜22的致密性(一般，在比栅极绝缘膜的形成低的温度下进行层间绝缘膜的形成是原因之一)，因此，如图31那样在耦合电极176与像素电极190b仅隔着层间绝缘膜重叠的结构中， 两者易于短路。另外，在图1的液晶面板中，下层电容电极87连接到像素电极17a，因此，还可以缓和与暗子像素对应的像素电极17b的烧结。而且，如图31那样在耦合电极176与像素电极190b仅隔着层间绝缘膜重叠的结构中，耦合电极176与像素电极190b靠得太近，因此，在耦合电极176的最终宽度不均勻的情况下的耦合电容的值的不均勻变大。另一方面，在图1的液晶面板中，下层电容电极87 与像素电极17b没有靠得太近，因此，可以抑制在下层电容电极87的线宽不均勻的情况下的耦合电容的值的不均勻。另外，在图1的液晶面板中，栅极绝缘膜22和层间绝缘膜25均使用氮化硅 (SiNx)，将层间绝缘膜25形成为比栅极绝缘膜22薄。在该点上，为了增大耦合电容的值， 优选缩小栅极绝缘膜22和层间绝缘膜25的厚度之和。但是，栅极绝缘膜22的厚度对晶体管特性带来的影响较大，为了增大耦合电容的值而较大地改变该厚度是不优选的。另一方面，层间绝缘膜25 (沟道保护膜)的厚度对晶体管特性带来的影响比较小。因此，为了保持晶体管特性且增大耦合电容的值，优选缩小层间绝缘膜25的厚度，例如，使层间绝缘膜25 的厚度小于等于栅极绝缘膜22的厚度。回到图3，在图3的层间绝缘膜(无机层间绝缘膜)25上设置比其厚的有机层间绝缘膜沈，如图7所示，使沟道保护膜采用2层(25、26)结构。这样的话，可以得到降低各种寄生电容、防止配线之间的短路以及降低平坦化造成的像素电极开裂等的效果。在这种情况下，如图6、7所示，对于有机层间绝缘膜沈，更优选挖穿与下层电容电极87重叠的部分K。这样的话，可以充分地确保耦合电容的值，并且可以得到上述效果。另外，在本结构中，扫描信号线和像素电极之间的寄生电容、数据信号线和像素电极之间的寄生电容有所降低，因此，如图6、7那样，可以将像素电极与数据信号线、扫描信号线重叠来提高开口率。例如，可以如下地形成图7的无机层间绝缘膜25、有机层间绝缘膜沈以及接触孔 IlaUlg0即，在形成晶体管、数据信号线后，使用SiH4气体、NH3气体以及N2气体的混合气体，通过CVD形成由厚度约为3000A的SiNx构成的层间绝缘膜25 (钝化膜)，使其覆盖整个基板面。其后，通过旋涂法、模具涂敷法来形成由厚度约为3μπι的正型感光性丙烯酸树脂构成的有机层间绝缘膜26。接着，进行光刻来形成有机层间绝缘膜沈的挖穿部分以及各种接触用图案，而且，将图案化的有机层间绝缘膜26作为掩模，用CF4气体和&气体的混合气体来干式蚀刻层间绝缘膜25。具体地说，例如，对于有机层间绝缘膜的挖穿部分通过光刻工序进行半曝光，由此，当显影完成时，有机层间绝缘膜较薄地残留，另一方面，对于接触孔部分通过上述光刻工序进行全曝光，由此，当显影完成时，有机层间绝缘膜不会残留。在此，如果用CF4气体和&气体的混合气体进行干式蚀刻，则对于有机层间绝缘膜的挖穿部分，(有机层间绝缘膜的)残膜被除去，对于接触孔Ila的部分，有机层间绝缘膜下的无机层间绝缘膜被除去，对于接触孔Ilg的部分，有机层间绝缘膜下的无机层间绝缘膜和栅极绝缘膜被除去。即，在接触孔Ila的部分，层间绝缘膜25被除去而漏极引出电极27的表面 (例如，Al膜)露出，由此蚀刻停止，在接触孔Ilg的部分，层间绝缘膜25和栅极绝缘膜22 被除去而下层电容电极87的表面(例如，Al膜)露出，由此蚀刻停止。此外，有机层间绝缘膜沈例如也可以是由SOG(旋涂玻璃)材料构成的绝缘膜，另外，在有机层间绝缘膜沈中，也可以包含丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂以及硅氧烷树脂中的至少1种。也可以将图1的液晶面板如图8那样进行变形。在图8的液晶面板中，与下层电容电极87和像素电极17b重叠地设置上层电容电极47。该上层电容电极47如图9所示，形成于栅极绝缘膜22上(与漏极引出电极27同层)，通过接触孔Ilj连接到像素电极17b。在图8、9的结构中，下层电容电极87和上层电容电极47仅隔着栅极绝缘膜22重叠，在该重叠部分形成耦合电容，因此，可以充分地确保耦合电容Cab的值。此外，如上所述，栅极绝缘膜22的致密性高于层间绝缘膜25的致密性，因此，与图31那样的结构比较， 可以抑制在耦合电容形成部分的短路。另外，采用如下结构俯视时，下层电容电极87的两个边位于上层电容电极47的两个边的内侧，因此，下层电容电极87、上层电容电极47的对准即使在行方向偏离，耦合电容的值也难以变动(在对准偏离方面好)。此外，也可以采用如下结构，使得上层电容电极 47的两个边位于下层电容电极87的两个边的内侧。另外，在图8的结构中，可以与层间绝缘膜25的厚度大致无关地决定耦合电容Cab 的值，因此，可以说更适合例如图10那样，使无机层间绝缘膜25和有机层间绝缘膜沈层叠起来作为沟道保护膜(较厚地形成沟道保护膜)的情况。也可以使图1示出的液晶面板如图11那样构成。即，在图1中省略记述，但是在 MVA的液晶面板中，如图11所示，对于有源矩阵基板的像素电极设置用于控制取向的狭缝 SL，对于彩色滤光片基板设置用于控制取向的肋Li (线状突起)。在此，将有源矩阵基板的下层电容电极87配置于肋Li下，由此可以提高开口率。当然也可以替代肋Li而对CF (彩色滤光片)基板的共用电极设置狭缝。将本液晶显示装置的其它的具体例在图12示出。在图12中，在数据信号线1 和扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，晶体管12a的源极电极8连接到数据信号线15x，扫描信号线16x兼作晶体管12a的栅极电极，晶体管12a的漏极电极9连接到漏极引出电极27，在由两信号线(15x、16x)划分的像素区域，与晶体管1 接近的像素电极 17a(第1像素电极)和像素电极17b (第2像素电极)在列方向排列。并且，通过接触孔Ilj连接到像素电极17b的上层电容电极47与像素电极17a重叠地延伸，而且，与上层电容电极47和像素电极17a重叠地设置下层电容电极87，下层电容电极87与像素电极17a通过接触孔Ilg连接。此外，上层电容电极47在像素电极17a下具有沿着列方向的2条边，并且下层电容电极87在像素电极17a下也具有沿着列方向的2 条边，当俯视时，下层电容电极87的两个边位于上层像素电极47的两个边的内侧。在此，下层电容电极87与扫描信号线16x形成于同层，上层电容电极47与数据信号线1 形成于同层，在下层电容电极87、上层电容电极47以及像素电极17a的重叠部分， 在下层电容电极87和上层电容电极47之间配置栅极绝缘膜，并且在上层电容电极47和像素电极17a之间配置层间绝缘膜，在下层电容电极87和上层电容电极47的重叠部分所形成的第1耦合电容与在上层电容电极47与像素电极17a的重叠部分所形成的第2耦合电容并联。另外，横穿像素区域而配置保持电容配线18p，保持电容配线18p隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜分别与像素电极17a和像素电极17b重叠。由此，在保持电容配线18p与像素电极17a的重叠部分形成保持电容，在保持电容配线18p与像素电极17b的重叠部分形成保持电容。图13是图12的X-Y向视截面图。如该图所示，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板 31上，形成保持电容配线18p和下层电容电极87，覆盖它们而形成栅极绝缘膜22。在栅极绝缘膜22的上层形成上层电容电极47和漏极引出电极27。而且，覆盖该金属层而形成层间绝缘膜25。在层间绝缘膜25上形成像素电极17a、17b，而且，覆盖这些像素电极而形成取向膜7。此外，在接触孔Ilj处，层间绝缘膜25被挖穿，由此，像素电极17b与上层电容电极47连接。另外，在接触孔Ilg处，层间绝缘膜25和栅极绝缘膜22被挖穿，由此，下层电容电极87与像素电极17a连接。在此，下层电容电极87隔着栅极绝缘膜22与上层电容电极47重叠，在两者(87、 47)的该重叠部分形成第1耦合电容。而且，上层电容电极47隔着层间绝缘膜25与像素电极17a重叠，在两者G7、17a)的重叠部分形成第2耦合电容。另外，保持电容配线18p隔着栅极绝缘膜22和层间绝缘膜25与像素电极17a重叠，在两者(18p、17a)的重叠部分形成保持电容。同样地，保持电容配线18p隔着栅极绝缘膜22和层间绝缘膜25与像素电极 17b重叠，在两者(18p、17b)的重叠部分形成保持电容。在本液晶面板中，在基板的厚度方向形成第1耦合电容(下层电容电极87和上层电容电极47的重叠部分的耦合电容)和第2耦合电容(上层电容电极47和像素电极17a 的重叠部分的耦合电容)，并且这些第1耦合电容和第2耦合电容并联，可以通过并联的第 1耦合电容和第2耦合电容连接像素电极17a、17b。因此，除了可以抑制在耦合电容形成部分的短路且缓和与暗子像素对应的像素电极的烧结的上述优点外，还有如下效果可以不改变耦合电容的值而缩小上层电容电极47的面积来提高开口率，不改变上层电容电极47 的面积(不改变开口率)而增大耦合电容的值。另外，在本液晶面板中，栅极绝缘膜22和层间绝缘膜25均使用氮化硅(SiNx)将层间绝缘膜25形成为比栅极绝缘膜22薄。在该点上，栅极绝缘膜22的厚度对晶体管特性带来的影响较大，不优选为了提高开口率或者增大耦合电容的值的上述效果而较大地改变该厚度。另一方面，层间绝缘膜25 (沟道保护膜)的厚度对晶体管特性带来的影响较小。因此，为了保持晶体管特性且提高上述效果，优选缩小层间绝缘膜25的厚度，优选如本液晶面板那样，使层间绝缘膜25的厚度小于等于栅极绝缘膜22的厚度。另外，采用如下结构当俯视本液晶面板时，下层电容电极87的两个边位于上层电容电极47的两个边的内侧，因此，下层电容电极87、上层电容电极47的对准即使在行方向偏离，耦合电容的值也难以变动(在对准偏离方面好)。此外，从在对准偏离方面好的观点出发，也可以构成为上层电容电极47的两个边位于下层电容电极87的两个边的内侧，如图12那样，如果增大与下层电容电极87和像素电极17a双方形成耦合电容的上层电容电极47的宽度，则可以进一步增强提高开口率或者增大耦合电容的值的上述效果。
13
在此，在图12、13中，在像素电极17a与上层电容电极47发生短路(由此像素电极17a、17b短路)的情况下，切除像素电极17b中接触孔Ilj内的部分，由此可以残留上层电容电极47与像素电极17b的重叠部分的耦合电容且修正上述短路。考虑该点，在本结构中，优选将上层电容电极47与像素电极17b的重叠确保为某一程度。另外，采用如下结构当俯视时，下层电容电极87的两个边位于上层电容电极47 的两个边的内侧，因此，下层电容电极87、上层电容电极47的对准即使在行方向偏离，耦合电容的值也难以变动(在对准偏离方面好)。此外，从在对准偏离方面好的观点出发，也可以构成为上层电容电极47的两个边位于下层电容电极87的两个边的内侧，在增大耦合电容方面，优选前者(图12的结构)。也可以将图1的液晶面板如图14那样进行变形。在图14的液晶面板中，像素电极17b从行方向看形成为V字形状，并且像素电极17a包围该像素电极17b而构成。具体地说，像素电极17b包含相对于行方向成45度的2条边E1、E2以及相对于行方向成315度的2条边E3、E4，边El和与其平行的像素电极17a的边的间隙、边E2和与其平行的像素电极17a的边的间隙、边E3和与其平行的像素电极17a的边的间隙以及边E4和与其平行的像素电极17a的边的间隙分别成为用于控制取向的狭缝SLl SL4。在此，漏极引出电极27通过接触孔1 Ia连接到像素电极17a，通过接触孔1 Ig连接到像素电极17a的下层电容电极87穿过狭缝SL3而延伸，与像素电极17b重叠。在该结构中，在下层电容电极87与像素电极17b的重叠部分形成耦合电容。另外，横穿像素区域而配置保持电容配线18p，保持电容配线18p隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与像素电极17a和像素电极17b分别重叠。由此，在保持电容配线18p与像素电极17a的重叠部分形成保持电容，在保持电容配线18p与像素电极17b的重叠部分形成保持电容。也可以将图14的液晶面板如图15那样进行变形。即，当俯视时，使保持电容配线 18p与下层电容电极87接近到不会短路的程度，将与保持电容配线18p和下层电容电极87 分别重叠的修正用电极44与数据信号线1 形成于同层。在图15的结构中，当晶体管1 产生缺陷(例如，源极、漏极短路)时，切断漏极引出电极27，用金属连接下层电容电极87 和修正用电极44，并且用金属连接下层电容电极87和保持电容配线18p，由此可以使像素电极17a连接到保持电容配线18p(参照图16)。由此，可以使像素电极17a、17b成为黑点。也可以将图14的液晶面板如图17那样进行变形。在图17的液晶面板中，与下层电容电极87和像素电极17b重叠地设有上层电容电极47。该上层电容电极47形成于栅极绝缘膜22上(与漏极引出电极27同层)，通过接触孔Ilj连接到像素电极17b。在图17的结构中，下层电容电极87与上层电容电极47仅隔着栅极绝缘膜22重叠，在该重叠部分形成耦合电容，因此，可以充分地确保耦合电容的值。此外，栅极绝缘膜22 的致密性高于层间绝缘膜25的致密性，因此，可以比以往还能抑制在电容耦合形成部分的短路发生。另外，采用如下结构当俯视时，下层电容电极87的两个边位于上层电容电极47 的两个边的内侧，因此，下层电容电极87、上层电容电极47的对准即使在行方向偏离，耦合电容的值也难以变动(在对准偏离方面好)。此外，也可以构成为上层电容电极47的两个边位于下层电容电极87的两个边的内侧。
另外，在图17的结构中，可以与层间绝缘膜的厚度大致无关地决定耦合电容的值，因此，可以说更适合较厚地形成沟道保护膜的情况。也可以将图12的液晶面板如图18那样进行变形。在图18的液晶面板中，像素电极17a从行方向看形成为三角形形状，并且像素电极17b包围该像素电极17a而构成。具体地说，像素电极17a包含相对于行方向成45度的边El以及相对于行方向成315度的边 E2，边El和与其平行的像素电极17b的边之间的间隙以及边E2和与其平行的像素电极17b 的边之间的间隙分别成为用于控制取向的狭缝SL1、SL2。在此，从漏极电极9引出的漏极引出配线57通过接触孔Ila连接到像素电极17a， 通过接触孔Ilj连接到像素电极17b的上层电容电极47穿过狭缝SL2下而延伸，而且，与上层电容电极47和像素电极17a重叠地设置下层电容电极87，下层电容电极87通过接触孔Ilg连接到像素电极17a。此外，上层电容电极47在像素电极17a下具有相对于行方向成45度的2条边，并且下层电容电极87在像素电极17a下也具有相对于行方向成45度的 2条边，当俯视时，下层电容电极87的两个边位于上层电容电极47的两个边的内侧。另外，与像素电极17a的外周重叠的环状的保持电容延伸部ISpx从保持电容配线 18p开始延伸，该保持电容延伸部18px隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与像素电极17a和像素电极17b分别重叠。由此，在保持电容延伸部18px与像素电极17a的重叠部分形成保持电容，在保持电容延伸部18px与像素电极17b的重叠部分形成保持电容。如图18那样，使保持电容延伸部18px与像素电极17a的外周重叠，由此可以确保保持电容且提高开口率， 而且可以提高取向控制力。也可以如图19那样构成本液晶面板。在图19的液晶面板中，在数据信号线1 和扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，晶体管1 的源极电极8连接到数据信号线15x，扫描信号线16x兼作晶体管1 的栅极电极，晶体管1 的漏极电极9连接到漏极引出电极27，在由两信号线(lh、16x)划分的像素区域，设有与晶体管1 接近的像素电极 17au、像素电极17b以及具有与像素电极17au同一形状的像素电极17av。像素电极17au 是将相对于行方向成315度的边El和相对于行方向成45度的边E2作为腰，具有沿着列方向的底边的等腰梯形形状，像素电极17av是将相对于行方向成45度的边E3和相对于行方向成315度的边E4作为腰，具有沿着列方向的底边的等腰梯形形状。配置这些像素电极 17au、17aV，使得像素电极17au当以像素区域中央为中心旋转180度时，与像素电极17av 一致，像素电极17b具有与像素电极17aU、17aV嵌合的Z字形状。并且，像素电极17au的边El和与其平行的像素电极17b的边之间的间隙、像素电极17au的边E2和与其平行的像素电极17b的边之间的间隙、像素电极17av的边E3和与其平行的像素电极17b的边之间的间隙以及像素电极17av的边E4和与其平行的像素电极17b的边之间的间隙分别成为用于控制取向的狭缝Sl S4。在此，漏极引出电极27通过接触孔Ila连接到像素电极17au，通过接触孔Ilu连接到像素电极17au的、与扫描信号线16x形成于同层的下层电容电极87在列方向延伸且穿过狭缝SL2，接着在像素电极17b下改变90度方向到达像素电极17av下，该下层电容电极87的端部与像素电极17av通过接触孔Ilv连接。而且，在栅极绝缘膜上(与数据信号线15x同层)，形成与下层电容电极87和像素电极17b重叠的上层电容电极47，该上层电容电极47通过接触孔11 j连接到像素电极17b。此外，上层电容电极47在像素电极17b下具有沿着列方向的2条边，并且下层电容电极87在像素电极17b下也具有沿着列方向的2 条边，当俯视时，下层电容电极87的两个边位于上层电容电极47的两个边的内侧。在图19的结构中，下层电容电极87和上层电容电极47仅隔着栅极绝缘膜22重叠，在该重叠部分形成耦合电容，因此，可以充分地确保耦合电容的值。此外，栅极绝缘膜22 的致密性高于层间绝缘膜25的致密性，因此，可以比以往还能抑制在电容耦合部分的短路发生。另外，采用如下结构当俯视时，下层电容电极87的两个边位于上层电容电极47 的两个边的内侧，因此，下层电容电极87、上层电容电极47的对准即使在行方向偏离，耦合电容的值也难以变动(在对准偏离方面好)。此外，也可以采用如下结构，使得上层电容电极47的两个边位于下层电容电极87的两个边的内侧。另外，在图19的结构中，可以与层间绝缘膜的厚度大致无关地决定耦合电容的值，因此，可以说更适合较厚地形成沟道保护膜(在沟道保护膜中包含有机层间绝缘膜)的情况。另外，与像素区域的外周重叠的环状的保持电容延伸部18px从保持电容配线18p 开始延伸，该保持电容延伸部18px隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与像素电极17a和像素电极17b分别重叠。由此，在保持电容延伸部18px与像素电极17a的重叠部分形成保持电容， 在保持电容延伸部18px与像素电极17b的重叠部分形成保持电容。如图19那样，使保持电容延伸部18px与像素区域的外周重叠，由此可以确保保持电容，并且抑制成为电漂浮的像素电极17b的烧结。也可以将图19的液晶面板如图20那样进行变形。即，使保持电容延伸部18px与像素电极17b的外周重叠，并且使下层电容电极87在行方向延伸。在图20中，通过接触孔 Ilu连接到像素电极17au的下层电容电极87在像素中央在行方向延伸，首先穿过狭缝SL2 到达像素电极17b下，而且穿过狭缝SL3到达像素电极17av下，该下层电容电极87的端部与像素电极17av通过接触孔Ilv连接。而且，与下层电容电极87和像素电极17b重叠地设置上层电容电极47，上层电容电极47通过接触孔Ilj连接到像素电极17b。如图20那样，使保持电容延伸部18px与像素电极17b的外周重叠，由此可以确保保持电容且提高开口率，而且可以提高取向控制力。另外，还有抑制成为电漂浮的像素电极17b的烧结的效果。也可以将图19的液晶面板如图21那样进行变形。在图21中，通过接触孔Ilu连接到像素电极17au、与扫描信号线16x形成于同层的下层电容电极87在行方向延伸，在像素电极17b下分为两个。其中一方从形成于彩色滤光片基板的肋Li下面穿过，俯视时，相对于行方向成315度地在像素电极17b的边E2和E3之间延伸，另一方穿过狭缝SL3到达像素电极17av下，该另一方的端部与像素电极17av通过接触孔Ilv连接。而且，在与数据信号线15x的同层(栅极绝缘膜上)，形成下层电容电极87中相对于行方向成315度而延伸的部分以及与像素电极17b重叠的上层电容电极47，该上层电容电极47通过接触孔Ilj 连接到像素电极17b。另外，横穿像素区域而配置保持电容配线18p，与保持电容配线18p和像素电极 17b重叠地设置保持电容电极67b，与保持电容配线18p和像素电极17av重叠地设置保持电容电极67av。此外，保持电容电极67b、67av—起与数据信号线1 形成于同层，像素电极17b与保持电容电极67b通过接触孔Ili连接，像素电极17av与保持电容电极67av通过接触孔Ilv连接。如图21那样，采用下层电容电极87从肋Li下面穿过这样的结构，由此可以实现开口率的提高和取向控制力的提高。当然也可以代替肋Li而对CF基板的共用电极设置狭缝。另外，设置保持电容电极67b、67av，由此可以增大保持电容配线18p和像素电极17au、 17av之间的保持电容以及保持电容配线18p和像素电极17b之间的保持电容。在图27示出本液晶面板的其它的结构，在图观示出图27的向视截面图。图27 示出的液晶面板的有源矩阵基板具备连接到扫描信号线16x的晶体管12a、12b以及连接到成为扫描信号线16x的下一级的扫描信号线16y的晶体管112，在由数据信号线1 和扫描信号线16x划分的像素区域，具备像素电极17aU、17aV、17b和与数据信号线1 形成于同层的保持电容电极67b、67av、上层电容电极87、97、连接配线57以及与扫描信号线16x 形成于同层的下层电容电极77。像素电极17aU、17aV、17b的形状和配置与图21是相同的。 另外，像素电极17au与像素电极17av通过接触孔llu、llv以及连接配线57连接，保持电容电极67b通过接触孔Ili连接到像素电极17b，保持电容电极67av通过接触孔Ilj连接到像素电极17av，下层电容电极77通过接触孔Ilf连接到像素电极17b。此外，晶体管12a、12b的共用源极电极8连接到数据信号线15x，晶体管1 的漏极电极9a通过接触孔Ila连接到像素电极17au，晶体管12b的漏极电极9b通过接触孔lib 连接到像素电极17b。另外，晶体管112的源极电极108连接到保持电容电极67av(在同层连接)，晶体管112的漏极电极109连接到上层电容电极87 (在同层连接)，上层电容电极 87连接到上层电容电极97 (在同层连接)。在此，如图27、观所示，保持电容电极67b隔着栅极绝缘膜22与保持电容配线18p 重叠，保持电容电极67av隔着栅极绝缘膜22与保持电容配线18p重叠，上层电容电极97隔着栅极绝缘膜22与保持电容配线18p重叠，并且隔着沟道保护膜(无机层间绝缘膜25和比其厚的有机层间绝缘膜沈的层叠膜)与像素电极17b重叠，上层电容电极87隔着沟道保护膜(无机层间绝缘膜25和比其厚的有机层间绝缘膜沈的层叠膜)与像素电极17b重叠，下层电容电极77隔着栅极绝缘膜22与上层电容电极87重叠。在此，在保持电容电极 67av与保持电容配线18p的重叠部分形成像素电极17av和保持电容配线18p之间的保持电容，在保持电容电极67b与保持电容配线18p的重叠部分形成像素电极17b和保持电容配线18p之间的保持电容，在下层电容电极77与上层电容电极87的重叠部分形成像素电极17aU、17aV和像素电极17b之间的耦合电容的大部分，该耦合电容的剩余部分形成于上层电容电极87与像素电极17b的重叠部分以及上层电容电极97与像素电极17b的重叠部分。当驱动图27的液晶面板时，在扫描信号16x的扫描时，对像素电极17au、17av、17b 写入同一数据信号电位，在扫描信号16y的(下一级的)扫描时，像素电极17aV、17aU与像素电极17b通过上述耦合电容连接。由此，显示中间灰度级时，形成像素电极17aU、17aV造成的暗子像素和像素电极17b造成的亮子像素。在图27中，下层电容电极77和上层电容电极87与像素电极17b重叠，但是没有限定于此。例如，如图四和作为其向视截面图的图30所示，下层电容电极77和上层电容电极87也可以与像素电极17av重叠。在这种情况下，下层电容电极77和上层电容电极87隔着栅极绝缘膜22重叠，在其重叠部分形成像素电极17aU、17aV和像素电极17b之间的耦合电容。在本实施方式中，如下所示来构成本液晶显示单元和液晶显示装置。即，在本液晶面板的两个面上，以偏光板A的偏光轴与偏光板B的偏光轴相互正交的方式贴合2张偏光板A、B。此外，在偏光板上根据需要也可以层叠光学补偿片等。然后，如图22的(a)所示， 连接驱动器(栅极驱动器202、源极驱动器201)。在此，作为一个例子，以TCP方式的连接来说明驱动器。首先，在液晶面板的端子部预压接ACF。然后，将装载有驱动器的TCP从卷带上冲切下来，使其与面板端子电极对准位置，对其进行加热、正式压接。其后，将用于连接驱动器TCP彼此的电路基板209 (PWB)和TCP的输入端子通过ACF进行连接。由此完成液晶显示单元200。其后，如图22的(b)所示，通过电路基板201将显示控制电路209连接到液晶显示单元的各驱动器001、202)，与照明装置(背光单元)204—体化，由此成为液晶显示装置210。图23是示出本液晶显示装置的结构的框图。如该图所示，本液晶显示装置具备显示部(液晶面板)、源极驱动器(SD)、栅极驱动器(GD)以及显示控制电路。源极驱动器驱动数据信号线，栅极驱动器驱动扫描信号线，显示控制电路控制源极驱动器和栅极驱动器。显示控制电路从外部的信号源(例如调谐器)接收表示要显示的图像的数字视频信号Dv、该数字视频信号Dv所对应的水平同步信号HSY和垂直同步信号VSY以及用于控制显示动作的控制信号Dc。另外，显示控制电路根据接收到的这些信号Dv、HSY、VSY、Dc，生成数据启动脉冲信号SSP、数据时钟信号SCK、表示要显示的图像的数字图像信号DA(视频信号Dv所对应的信号)、栅极启动脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号(扫描信号输出控制信号)GOE作为用于将该数字视频信号Dv所表示的图像显示在显示部的信号，并将这些信号输出。更详细地说，将视频信号Dv在内部存储器中根据需要进行定时调整等后，作为数字图像信号DA从显示控制电路输出，作为由该数字图像信号DA所表示的图像的各像素所对应的脉冲构成的信号而生成数据时钟信号SCK，根据水平同步信号HSY，作为在每1水平扫描期间只在规定期间成为高电平(H电平)的信号而生成数据启动脉冲信号SSP，根据垂直同步信号VSY，作为在每1帧期间(1个垂直扫描期间)只在规定期间成为H电平的信号而生成栅极启动脉冲信号GSP，根据水平同步信号HSY生成栅极时钟信号GCK，根据水平同步信号HSY和控制信号Dc生成栅极驱动器输出控制信号G0E。如上所述，在显示控制电路中所生成的信号中，数字图像信号DA、控制信号电位 (数据信号电位)的极性的极性反转信号POL、数据启动脉冲信号SSP以及数据时钟信号 SCK被输入到源极驱动器，栅极启动脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号GOE被输入到栅极驱动器。源极驱动器根据数字图像信号DA、数据时钟信号SCK、数据启动脉冲信号SSP以及极性反转信号P0L，将与数字图像信号DA所表示的图像的各扫描信号线中的像素值相当的模拟电位(信号电位)在每1水平扫描期间顺序生成，将这些数据信号输出到数据信号线。栅极驱动器根据栅极启动脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号G0E，生成栅极导通脉冲信号，将其输出到扫描信号线，由此有选择地驱动扫描信号线。
如上所述，由源极驱动器和栅极驱动器来驱动显示部(液晶面板)的数据信号线和扫描信号线，由此通过连接到所选择的扫描信号线的晶体管(TFT)，将信号电位从数据信号线写入像素电极。由此对各子像素的液晶层施加电压，由此控制来自背光源的光的透过量，在各子像素中显示数字视频信号Dv所表示的图像。下面，说明将本液晶显示装置适用于电视接收机时的一个构成例。图对是示出用于电视接收机的液晶显示装置800的结构的框图。液晶显示装置800具备液晶显示单元 84、Y/C分离电路80、视频色度电路81、A/D转换器82、液晶控制器83、背光源驱动电路85、 背光源86、微机(微型计算机)87以及灰度级电路88。此外，液晶显示单元84包括液晶面板、用于驱动液晶面板的源极驱动器和栅极驱动器。在上述结构的液晶显示装置800中，首先，作为电视信号的复合彩色视频信号^^ 从外部输入到Y/C分离电路80，在此分离为亮度信号和色度信号。该亮度信号和色度信号通过视频色度电路81变换为光的3原色所对应的模拟RGB信号，而且，该模拟RGB信号通过 A/D转换器82变换为数字RGB信号。该数字RGB信号输入到液晶控制器83。另外，在Y/C 分离电路80中，从由外部输入的复合彩色视频信号Scv还取出水平和垂直同步信号，这些同步信号也通过微机87输入到液晶控制器83。数字RGB信号与基于上述同步信号的定时信号一起以规定的定时从液晶控制器 83输入到液晶显示单元84。另外，在灰度级电路88中，生成彩色显示的3原色R、G、B各自的灰度级电位，这些灰度级电位也供给到液晶显示单元84。在液晶显示单元84中，根据该RGB信号、定时信号以及灰度级电位，通过内部的源极驱动器、栅极驱动器等生成驱动用信号(数据信号=信号电位、扫描信号等)，根据这些驱动用信号，在内部的液晶面板中显示彩色图像。此外，为通过该液晶显示单元84显示图像，需要从液晶显示单元内的液晶面板的后方照射光，在该液晶显示装置800中，在微机87的控制下背光源驱动电路85驱动背光源86，由此，光照射到液晶面板的背面。微机87进行包含上述处理的系统整体控制。此外，作为从外部输入的视频信号(复合彩色视频信号)，不仅可以使用基于电视播放的视频信号，还可以使用由照相机拍摄的视频信号、通过互联网线路所提供的视频信号等，在该液晶显示装置800中，可以显示基于各种视频信号的图像。在通过液晶显示装置800来显示基于电视播放的图像的情况下，如图25所示，调谐部90连接到液晶显示装置800，由此构成本电视接收机601。该调谐部90从用天线(未图示)接收到的接收波(高频信号)中抽取要接收的频道的信号而将其变换为中频信号， 对该中频信号进行检波，由此取出作为电视信号的复合彩色视频信号。该复合彩色视频信号Scv如已描述的那样输入到液晶显示装置800，基于该复合彩色视频信号Scv的图像由该液晶显示装置800显示。图沈是示出本电视接收机的一个构成例的分解立体图。如该图所示，本电视接收机601采用如下结构作为其构成要素，除了液晶显示装置800以外，还具有第1箱体801 和第2箱体806，用第1箱体801和第2箱体806包围地夹持液晶显示装置800。在第1箱体801中，形成开口部801a，所述开口部801a使由液晶显示装置800所显示的图像透过。 另外，第2箱体806覆盖液晶显示装置800的背面侧，设有用于操作该显示装置800的操作用电路805，并且在下方安装有支撑用部件808。本发明没有限定于上述实施方式，将上述实施方式根据技术常识进行适当改变的
19方案、将这些方案组合后所得到的方案也包含在本发明的实施方式中。工业上的可利用件本发明的有源矩阵基板以及具备该有源矩阵基板的液晶面板适用于例如液晶电视。附图标记说明101 104 像素1 晶体管1 数据信号线16x扫描信号线17a像素电极(第1像素电极)Hb像素电极(第2像素电极)18p保持电容配线22栅极绝缘膜25层间绝缘膜47上层电容电极(第2电容电极)87下层电容电极(第1电容电极)84液晶显示单元601电视接收机800液晶显示装置
权利要求
1.一种有源矩阵基板，其特征在于具备扫描信号线和数据信号线，在1个像素区域中设有通过晶体管连接到数据信号线的第1像素电极以及通过电容连接到该第1像素电极的第2像素电极，上述有源矩阵基板具备与扫描信号线形成于同层并电连接到第1像素电极的第1电容电极、覆盖扫描线号线的第1绝缘膜以及在该第1绝缘膜和第2像素电极之间的层所形成的第2绝缘膜，第1电容电极与第2像素电极隔着第1绝缘膜和第2绝缘膜重叠，由此在第1电容电极和第2像素电极之间形成电容。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于 第2绝缘膜的厚度小于等于第1绝缘膜的厚度。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于上述第2绝缘膜的与第1电容电极和第2像素电极重叠的部分的厚度比周围小。
4.一种有源矩阵基板，其特征在于具备扫描信号线和数据信号线，在1个像素区域中设有通过晶体管连接到数据信号线的第1像素电极以及通过电容连接到该第1像素电极的第2像素电极，上述有源矩阵基板具备与扫描信号线形成于同层并电连接到第1像素电极的第1电容电极、覆盖扫描信号线的第1绝缘膜以及与数据信号线形成于同层并电连接到第2像素电极的第2电容电极，第1电容电极与第2电容电极隔着第1绝缘膜重叠，由此在第1电容电极和第2电容电极之间形成电容。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于在第2电容电极和第2像素电极之间的层，形成比第1绝缘膜厚的第2绝缘膜。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，其特征在于 上述第2绝缘膜包含有机绝缘膜而构成。
7.根据权利要求4或者5所述的有源矩阵基板，其特征在于第1电容电极具有平行的2条边，并且第2电容电极也具有平行的2条边，当俯视时， 第1电容电极的两个边位于第2电容电极的两个边的内侧，或者第2电容电极的两个边位于第1电容电极的两个边的内侧。
8.根据权利要求1 7中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于 第1绝缘膜是栅极绝缘膜。
9.根据权利要求1 3和权利要求5 6中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于第2绝缘膜是覆盖晶体管的沟道的层间绝缘膜。
10.根据权利要求1 3和权利要求5 6中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于第1像素电极和第1电容电极通过贯穿第1绝缘膜和第2绝缘膜的接触孔连接。
11.根据权利要求1 10中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于具备与上述扫描信号线形成于同层、与第1像素电极和第2像素电极的至少一方形成电容的保持电容配线。
12.根据权利要求11所述的有源矩阵基板，其特征在于与上述数据信号线同层地设有与保持电容配线和第1电容电极分别重叠的修正用电极。
13.一种有源矩阵基板，其特征在于在1个像素区域中具备连接到晶体管的第1像素电极、第2像素电极、通过接触孔连接到第1像素电极的第1电容电极、通过与上述晶体管不同的晶体管连接到第2像素电极的第2电容电极，上述第2电容电极配置于比第1电容电极靠上的层且配置于比第1像素电极和第2像素电极靠下的层，上述第1电容电极与第2电容电极隔着第1绝缘膜重叠，由此在第1电容电极和第2 电容电极之间形成电容。
14.根据权利要求13所述的有源矩阵基板，其特征在于具备在同层连接到上述第2电容电极的第3电容电极以及与该第3电容电极形成电容的保持电容配线。
15.一种液晶面板，其特征在于具备权利要求1 14中的任一项所述的有源矩阵基板。
16.一种液晶面板，其特征在于具备权利要求1 14中的任一项所述的有源矩阵基板和具有用于控制取向的线状突起的相对基板，第1电容电极的至少一部分配置于该线状突起下。
17.一种液晶面板，其特征在于具备权利要求1 14中的任一项所述的有源矩阵基板和具有共用电极的相对基板，在上述相对电极上设有用于控制取向的狭缝，第1电容电极的至少一部分配置于该狭缝下。
18.一种液晶显示单元，其特征在于具备权利要求15 17中的任一项所述的液晶面板和驱动器。
19.一种液晶显示装置，其特征在于具备权利要求18所述的液晶显示单元和光源装置。
20.一种电视接收机，其特征在于具备权利要求19所述的液晶显示装置和接收电视播放的调谐部。
全文摘要
一种有源矩阵基板，其具备扫描信号线(16x)和数据信号线(15x)，在1个像素区域(101)中设有通过晶体管(12a)连接到数据信号线的第1像素电极(17a)以及通过电容连接到该第1像素电极的第2像素电极(17b)，上述有源矩阵基板具备与扫描信号线形成于同层并电连接到第1像素电极(17a)的第1电容电极(87)以及与数据信号线形成于同层并电连接到第2像素电极(17b)的第2电容电极(47)，第1与第2电容电极(87、47)隔着第1绝缘膜重叠，由此在第1和第2电容电极(87、47)之间形成耦合电容。这样的话，在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中，可以抑制耦合电容部分的短路且缓和与暗子像素对应的像素电极的烧结。
文档编号G02F1/1368GK102203663SQ200980142649
公开日2011年9月28日 申请日期2009年8月19日 优先权日2008年11月5日
发明者津幡俊英 申请人:夏普株式会社