专利名称：具可修补结构的液晶显示装置的制作方法
技术领域：
具可修补结构的液晶显示装置
技术领域：
本实用新型涉及一种液晶显示装置，尤其涉及一种具修补结构的液晶显示装置。背景技术：
近年来，显像技术的发展日新月异，使得体积薄、重量轻且具有低电磁辐射的液晶 显示装置(Liquid Crystal Display ;LCD)，已逐渐成为显示器的主流产品。其中，在现今 双栅极(double gate)液晶显示装置中，画素电极(PE，pixelelectrode)间的距离会因画 素开口率的需求而较近，故容易因制程上产生画素电极残留在画素电极之间的空隙内或异 物例如微粒掉入画素电极之间的空隙内而使不同的画素电极之间产生电性导通，而形成短 路现象。例如，图1及图2所示为一传统的双栅极液晶显示装置的薄膜晶体管基板的布局 图及横切面示意图，且图2为图1沿着A-A’之横切面示意图。且结合参阅图1与图2，走线 102形成于玻璃基板101上，而走线102及玻璃基板101上方形成有介电层103。画素电极 104进一步形成于介电层103上，画素电极104之间形成有空隙105。如图3及图4所示， 当因制程上产生画素电极残留或有异物掉入于空隙105时，残留物106遂堆积于画素电极 104之间的空隙105内。如图5所示，为解决此残留物106所造成的短路现象，传统的修补 方法是利用激光束108对准残留物106，然后将残留物106切断。然而，若传统双栅极液晶 显示装置利用此修补方法进行修补则会存在若干问题。例如，请参照图4 当激光束108能 量太大时会在切割完残留物106之后进一步向下切割，进而切割到走线102，从而产生漏光 问题；另则，当激光束108能量太小而造成仅切割部份残留物106时，残留物106会因呈融 化状态而向下流动至走线102，进而与走线102融接，如此将造成相邻的画素电极104仍透 过残留物106与走线102融接而保持电性连接，进而造成短路现象未得到解决。此外，由于传统的双栅极液晶显示装置之薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)基板上方设置有彩色滤光片(CF，Color Filter)基板(未图示)，彩色滤 光片基板上设置有黑色矩阵(BM，Black Matrix)(未图示)，黑色矩阵系设置在对应到走线 102及画素电极104间的空隙105的位置。故，从液晶显示装置上方并无法看到画素电极 104间的空隙105，亦无法从液晶显示装置的上方目视观察出残留物106存在与否或所在位 置。再者，如图4所示，由于画素电极104间的空隙105下方设置有走线102，故无法从液晶 显示装置的下方看到画素电极104间的空隙105，亦无法从液晶显示装置的下方目视观察 出残留物106存在与否或所在位置。因此，在修补因画素电极残留或异物掉入所造成的点 不良时将会有判断残留物存在与否或所在位置的困难。因此，现今急需一能解决上述若干 问题的液晶显示装置。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种具修补结构的液晶显示装置，解决 了现有技术中因掉入画素电极之间空隙内的异物或残留物所产生的系列问题。[0006]本实用新型通过以下技术方案解决上述技术问题一种具修补结构的液晶显示装 置，包括一玻璃基板、一形成于所述玻璃基板上的走线结构、一形成于所述走线结构及玻璃 基板上的介电层和复数个形成于所述介电层上的画素电极，所述复数个画素电极之间形成 有一或多个空隙，所述走线结构内形成有一或复数个穿孔，且所述空隙的位置对应于该穿 孔的位置。进一步，所述空隙的宽度大于所述穿孔的宽度。进一步，所述空隙的宽度小于所述穿孔的宽度。进一步，所述穿孔形成于所述走线结构的中央。进一步，所述穿孔为长条形。进一步，所述介电层为透明的。进一步，所述画素电极的材料包含氧化铟锡。进一步，所述画素电极的材料包含氧化铟锌。进一步，所述介电层的材料包含氮化硅。进一步，所述走线结构的材料包含金属或合金。本实用新型具修补结构的液晶显示装置的有益效果在于可轻易地以目视判断出 因画素电极残留或异物掉入所产生的残留物存在与否及其所在位置；避免了使用激光束切 割残留物时发生切割到走线的情况，从而防止因切割到走线所产生的漏光问题；避免了使 用激光束切割残留物时融化的残留物融接到走线的情况，从而防止切割后画素电极仍透过 残留物与走线融接而导通德问题；能够修补因画素电极残留或异物掉入所产生的点不良， 从而不会影响到画素的开口率。
下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的描述。图1是传统液晶显示装置的薄膜晶体管基板的布局图。图2是传统液晶显示装置的薄膜晶体管基板的横切面示意图。图3是发生画素电极残留的传统液晶显示装置的薄膜晶体管基板的布局图。图4是发生画素电极残留的传统液晶显示装置的薄膜晶体管基板的横切面示意 图。图5是对发生画素电极残留的传统液晶显示装置的修补方法的示意图。图6是本实用新型一实施例中薄膜晶体管基板的布局图。图6A是本实用新型另一实施例中薄膜晶体管基板的布局图。图7是本实用新型一实施例中薄膜晶体管基板的横切面示意图。图8是本实用新型一实施例中对发生画素电极残留修补方法的示意图。图9是本实用新型一实施例中对发生画素电极残留修补方法的步骤图。
具体实施方式本实用新型将以较佳实施例及观点加以叙述，此类叙述解释本实用新型的结构及 程序，仅用以说明而非用以限制本实用新型的申请专利范围。因此，除说明书中的较佳实施 例外，本实用新型亦可广泛实行于其它实施例中。
4[0029]本实用新型揭露了一种具修补结构的液晶显示装置，包括经部分挖空的走线结 构，所述走线结构可用于液晶显示装置的薄膜晶体管(TFT，Thin filmtransistor)基板或 其它任何类型的基板，透过具有部分挖空设计的走线结构，本实用新型具修补结构的液晶 显示装置在发生氧化铟锡(ITO)残留时可经过目视寻找出发生残留的位置并以雷射进行 修补动作。请结合参阅图6、图6A及图7，如图6及图7所示，本实用新型一实施例中，走线结 构202设置于具修补结构的液晶显示装置的玻璃基板201上，走线结构202的中央包含有 一或复数个穿孔207，所述穿孔207用以暴露出部分玻璃基板201，在一实施例中，走线结构 202的材料可为金属或合金。须注意的是，图6是显示一个长条形的穿孔207，其仅为说明 本实用新型而非用以限制本实用新型。如图6A所示，在另一实施例中，穿孔亦可为复数个 分开的长形穿孔，例如可为三个分开的长形之穿孔207a，由于复数个长形穿孔207a彼此分 开，故其间有走线结构202形成导通，由此可降低阻抗。上述玻璃基板201及走线结构202 上设置有介电层203，以保持电性隔绝，而在介电层203上方设置有复数个画素电极204。 在一实施例中，介电层203以透明的材料所制成，具体以氮化硅(SiNx)所制成。在一实施 例中，画素电极204的材料可为氧化铟锡(Indium Tin Oxide, I TO)或氧化铟锌(Indium ZincOxide, IZ0)。画素电极204彼此隔开一段距离，故画素电极204之间形成一或多个空隙205，空 隙205的位置对应于穿孔207的位置。如图7所示，在一实施例中，空隙205的宽度可大于 穿孔207的宽度。在另一实施例中，空隙205的宽度可小于穿孔207的宽度。因玻璃基板 201及介电层203为透明，故使用者可从玻璃基板201下方透过走线结构202的穿孔207视 得空隙205处是否有残留物产生。图9是以图8沿着B-B’的横切面示意图形成的对发生画素电极残留修补方法的 步骤图。如图8及图9所示，当具修补结构的液晶显示装置因制程产生氧化铟锡(ITO)或 氧化铟锌(IZO)残留在空隙内或异物例如微粒掉入空隙而形成残留物206时，由于氧化铟 锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)或异物造成残留物206会使画素电极204之间产生电性导通而 发生短路现象，如此将造成具修补结构的液晶显示装置出现显示上的点不良。为解除上述 短路现象，使用者可先从玻璃基板201下方透过本实用新型中走线结构202的穿孔207目 视判断出残留物206的所在位置且接着使用激光束208对准残留物206以切断残留物206， 从而使画素电极204之间所形成的短路分离，进而修复画素电极204间因残留物206所造 成的显示不良问题。再者，由于本实用新型中走线结构202所包含的穿孔207对应画素电极204间空 隙的位置，即对应残留物206的位置，故当所使用激光束208能量太大而进一步往下方切割 时，因介电层203及玻璃基板201为透明，激光束208会穿过穿孔207，而不会切割到走线 结构202。因此，可避免使用激光束208切割残留物206时发生切割到走线的情况，从而防 止因切割到走线所产生的漏光问题；由于本实用新型中走线结构202所包含的穿孔207对 应画素电极204间空隙之位置，亦即对应残留物206之位置，故当所使用之激光束208能量 太小而使经过切割的残留物206融化并向下流动时，融化的残留物206不会融接走线结构 202，从而可避免使用激光束208切割残留物206时融化的残留物206融接到走线之情况， 进而防止切割后画素电极204仍透过残留物206与走线融接而导通的问题。
5[0034]再者，由于透过本实用新型中走线结构202可避免因激光束208切割到走线所产 生的漏光问题，故于修补后不会影响到画素开口率，又因若产生上述漏光问题则需要增加 具修补结构的液晶显示装置的薄膜晶体管(TFT)基板上方的彩色滤光片(Color Filer, CF)基板(未图示)上的黑色矩阵(Black Matrix，BM)(未图示)范围以遮蔽漏光，增加黑 色矩阵(BM)范围会使具修补结构的液晶显示装置显示区的画素电极204范围变小，而造成 画素开口率下降，而本实用新型中走线结构202可避免漏光问题的产生，故自无须增加黑 色矩阵(BM)的范围，亦不会使画素开口率下降。此外，由于本实用新型中走线结构202所 包含的穿孔207的位置对应空隙205的位置，且玻璃基板201及介电层203为透明，故使用 者可轻易地从玻璃基板201下方透过穿孔207以目视判断出残留物存在与否或存在位置， 可使修补作业更易于进行。上述叙述为本实用新型的较佳实施例，此领域的业者应得以领会其用以说明本实 用新型而非用以限定本实用新型所主张的专利权利范围，其专利保护范围当视权利要求范 围及其等同领域而定，凡熟悉此领域者，在不脱离本专利精神或范围内，所作的更动或润 饰，均属于对本实用新型进行等效改变或设计，应包含在本专利范围内。
权利要求一种具修补结构的液晶显示装置，包括一玻璃基板、一形成于所述玻璃基板上的走线结构、一形成于所述走线结构及玻璃基板上的介电层和复数个形成于所述介电层上的画素电极，所述复数个画素电极之间形成有一或多个空隙，其特征在于所述走线结构内形成有一或复数个穿孔，且所述空隙的位置对应于该穿孔的位置。
2.如权利要求1所述的具修补结构的液晶显示装置，其特征在于所述空隙的宽度大 于所述穿孔的宽度。
3.如权利要求1所述的具修补结构的液晶显示装置，其特征在于所述空隙的宽度小 于所述穿孔的宽度。
4.如权利要求1所述的具修补结构的液晶显示装置，其特征在于所述穿孔形成于所 述走线结构的中央。
5.如权利要求1所述的具修补结构的液晶显示装置，其特征在于所述穿孔为长条形。
6.如权利要求1所述的具修补结构的液晶显示装置，其特征在于所述介电层为透明的。
7.如权利要求1所述的具修补结构的液晶显示装置，其特征在于所述画素电极的材 料包含氧化铟锡。
8.如权利要求1所述的具修补结构的液晶显示装置，其特征在于所述画素电极的材 料包含氧化铟锌。
9.如权利要求1所述的具修补结构的液晶显示装置，其特征在于所述介电层的材料包含氮化硅。
10.如权利要求1所述的具修补结构的液晶显示装置，其特征在于所述走线结构的材 料包含金属或合金。
专利摘要本实用新型揭露了一种具修补结构的液晶显示装置，包括一玻璃基板、一形成于所述玻璃基板上的走线结构、一形成于所述走线结构及玻璃基板上的介电层和复数个形成于所述介电层上的画素电极，所述复数个画素电极之间形成有一或多个空隙，所述走线结构内形成有一或复数个穿孔，且所述空隙的位置对应于该穿孔的位置。本实用新型的优点在于解决了现有技术中因掉入画素电极之间空隙内的异物或残留物所产生的系列问题。
文档编号G02F1/13GK201654374SQ20102014553
公开日2010年11月24日 申请日期2010年3月30日 优先权日2010年3月30日
发明者张原豪, 陈建铭 申请人:福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司