专利名称：一种tft阵列基板及液晶显示器的制作方法
技术领域：
一种TFT阵列基板及液晶显示器技术领域[0001]本实用新型涉及液晶显示器的制造领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及液晶显示器。
背景技术：
[0002]在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)制造工艺中，TFT阵列基板需要与集成电路或者柔性电路板进行粘合，将驱动信号传输到基板显示区。[0003]目前的TFT-IXD制造中，由于基板尺寸的减小，外围区域布线的空间越来越小，遂逐渐采用栅、数据两层金属线传输驱动信号。如图1所示，TFT基板10的焊垫区域11上设有栅线层金属引线12、栅线层金属粘接区13 ；数据层金属引线14和导电粘接区15。但如图2所示，当TFT阵列基板10和集成电路或者柔性电路板20进行粘合时，由于栅线层金属粘接区13与导电粘接区15位于不同层，其结构厚度的不同使得在粘合工艺过程中容易形成段差，导致导电胶粒子30与栅线层金属粘接区13易产生接触不良，使得驱动信号不能传输到基板显示区，产生画面不良的现象。实用新型内容[0004]本实用新型的实施例提供一种TFT阵列基板及液晶显示器，以解决在焊垫区域上，因栅、数据两层金属的段差而造成的粘合不良问题。[0005]为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案[0006]提供一种TFT阵列基板，依次包括栅线层、第一绝缘层、数据线层、第二绝缘层和透明导电层；所述TFT阵列基板的焊垫区域包括位于数据线层的数据层金属引线和与所述数据层金属引线连接的第一导电粘接区，以及位于栅线层的栅线层金属引线，其特征在于， 焊垫区域还包括位于数据线层的第二导电粘接区，所述栅线层金属引线与所述数据层的第二导电粘接区电连接，其中，所述第二导电粘接区与所述数据层金属引线及第一导电粘接区不相接触。[0007]所述栅线层金属引线上方的第一绝缘层、第二绝缘层设有露出所述栅线层金属引线的第一过孔；[0008]所述第二导电粘接区上方的所述第二绝缘层设有露出所述第二导电粘接区的第二过孔；[0009]所述第一过孔和所述第二过孔通过所述透明导电层连接。[0010]所述第一导电粘接区与所述第二导电粘接区的上面全部覆盖有所述透明导电层。[0011]所述第一导电粘接区和所述第二导电粘接区均至少有一部分未覆盖所述透明导电层。[0012]所述栅线层金属引线上方的第一绝缘层设有露出所述栅线层金属引线的过孔；[0013]所述第二导电粘接区覆盖所述过孔，通过所述过孔与所述栅线层金属弓I线连接。[0014]提供一种液晶显示器包含以上所述的TFT阵列基板。[0015]本实用新型实施例提供的TFT阵列基板以及液晶显示器，在基板焊垫区域上，将栅线层金属引线与第二导电粘接区连接，使得该栅线层金属引线的粘合区域-第二导电粘接区，与数据层金属引线的粘合区域-第一导电粘接区位于同一层，因而解决了栅、数据两层金属因段差而造成的粘合不良问题，从而使驱动信号能够正常传输到基板显示区，避免产生画面不良的现象。
[0016]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0017]图1为现有技术提供的TFT阵列基板的焊点区域示意图；[0018]图2为图1在A-A方向的截面图；[0019]图3为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板的焊点区域示意图；[0020]图4为图3在B-B方向的截面图；[0021]图5为图3在C-C方向的截面图；[0022]图6为本实用新型另一实施例提供的TFT阵列基板的焊点区域示意图；[0023]图7为图6在D-D方向的截面图。[0024]符号说明[0025]10,TFT阵列基板；11、焊垫区域；12、栅线层金属引线；14、数据层金属引线；15、第一导电粘接区；16、第二导电粘接区；17、第一绝缘层；18、第二绝缘层；19、透明导电层；20、 集成电路或者柔性电路板；30、导电胶粒子；131、过孔；132、过孔；133、过孔；134、过孔。
具体实施方式
[0026]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。[0027]下面以图3、4、5对本实用新型实施例提供的TFT阵列基板进行说明。其中，图3 为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板的焊垫区域示意图；图4为图3的B-B方向的截面图；图5为图3在C-C方向的截面图。[0028]如图3所示，TFT阵列基板10依次包括栅线层、第一绝缘层、数据线层、第二绝缘层和透明导电层。该TFT阵列基板10的焊垫区域11包括位于数据线层的数据层金属引线 14和与数据层金属引线14连接的第一导电粘接区15，以及位于栅线层的栅线层金属引线 12，焊垫区域还包括位于数据线层的第二导电粘接区16，其中，位于栅线层的栅线层金属引线12与位于数据层第二导电粘接区16电连接，且该第二导电粘接区16与数据层金属引线 14及第一导电粘接区15不相接触。[0029]其中，该第一导电粘接区15与该第二导电粘接区16的上面全部覆盖有透明导电层19，如此都通过透明导电层19可防止出现段差。当然为防止出现段差，也可以使所述第一导电粘接区和所述第二导电粘接区均有一部分未覆盖所述透明导电层。这样，如图4所示，当TFT阵列基板10与集成电路或者柔性电路板20进行粘合工艺时，由于第一导电粘接区15和第二导电粘接区16位于同一层，即均位于第一绝缘层17之上，具有相同的结构厚度，因此消除了因结构厚度不同而形成的段差。此时，导电胶粒子30能够很好地与第一导电粘接区15和第二导电粘接区16相接触，避免了粘合不良现象的出现，保证驱动信号能够传输到基板显示区。[0030]栅线层金属引线12与第二导电粘接区16连接，具体可以如图5所示，利用构图工艺处理在形成TFT阵列区域栅线的同时在TFT阵列基板10的焊垫区域11上形成栅线层金属引线12。在TFT阵列基板10上涂布第一绝缘层(栅绝缘层)17。利用构图工艺处理在形成TFT阵列区域数据线的同时在TFT阵列基板10的焊垫区域11上形成第二导电粘接区 16。在TFT阵列基板10上涂布第二绝缘层(钝化层)18。在第二导电粘接区16形成露出该第二导电粘接区16的过孔132，以及露出栅线层金属引线12 —部分的过孔131。利用构图工艺处理在形成TFT阵列区域像素电极的同时在TFT阵列基板10的焊垫区域11上的过孔131、132上形成透明导电层19。这样，位于栅线层的栅线层金属引线12就与位于数据线层的第二导电粘接区16实现连接。[0031]此时，该透明导电层19不仅起到了连接栅线层金属引线12与第二导电粘接区16 的作用，也起到了保护第二导电粘接区16的作用，使其不会受到腐蚀。[0032]下面参照附图6、7对本实用新型提供的另一 TFT阵列基板进行说明。图6为本实施例提供的TFT阵列基板的焊垫区域示意图；图7为图6的D-D方向的截面图。本实施例的基板结构与上一实施例的基板结构基本相同，只是栅线层金属引线12与第二导电粘接区16连接方式不同。[0033]具体的，利用构图工艺处理在形成TFT阵列区域栅线的同时在TFT阵列基板10的焊垫区域11上形成栅线层金属引线12。在TFT阵列基板10上涂布第一绝缘层(栅绝缘层)17。在该第一绝缘层17上，形成露出栅线层金属引线12—部分区域的过孔133。利用构图工艺处理在形成TFT阵列区域数据线的同时在TFT阵列基板10的焊垫区域11上形成第二导电粘接区16，该第二导电粘接区16覆盖过孔133，通过该过孔133与栅线层金属引线12连接。在TFT阵列基板10上涂布第二绝缘层(钝化层)18。在第二导电粘接区16形成露出该第二导电粘接区16的过孔134。利用构图工艺处理在形成TFT阵列区域像素电极的同时在TFT阵列基板10的焊垫区域11上的过孔14上形成透明导电层19。[0034]此时，主要是起保护第二导电粘接区16的作用，使其不会受到腐蚀。[0035]本实用新型实施例提供的TFT阵列基板，在基板焊垫区域上，将栅线层金属引线与第二导电粘接区连接，使得该栅线层金属引线的粘合区域-第二导电粘接区，与数据层金属引线的粘合区域-第一导电粘接区位于同一层，因而解决了栅、数据两层金属因段差而造成的粘合不良问题，从而使驱动信号能够正常传输到基板显示区，避免产生画面不良的现象。[0036]需要说明的是，以上实施例的焊垫区域11既可以为数据线焊点区域，也可以为栅线焊点区域。[0037]本实用新型实施例提供的液晶显示器，可以包含以上任一实施例中的TFT阵列基板。且该基板的具体结构与上述实施例相同。[0038] 以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
权利要求1.一种TFT阵列基板，依次包括栅线层、第一绝缘层、数据线层、第二绝缘层和透明导电层；所述TFT阵列基板的焊垫区域包括位于数据线层的数据层金属引线和与所述数据层金属引线连接的第一导电粘接区，以及位于栅线层的栅线层金属引线，其特征在于，焊垫区域还包括位于数据线层的第二导电粘接区，所述栅线层金属引线与所述数据层的第二导电粘接区电连接，其中，所述第二导电粘接区与所述数据层金属引线及第一导电粘接区不相接触。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅线层金属引线上方的第一绝缘层、第二绝缘层设有露出所述栅线层金属引线的第一过孔；所述第二导电粘接区上方的所述第二绝缘层设有露出所述第二导电粘接区的第二过孔；所述第一过孔和所述第二过孔通过所述透明导电层连接。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一导电粘接区与所述第二导电粘接区的上面全部覆盖有所述透明导电层。
4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一导电粘接区和所述第二导电粘接区均至少有一部分未覆盖所述透明导电层。
5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅线层金属引线上方的第一绝缘层设有露出所述栅线层金属引线的过孔； 所述第二导电粘接区覆盖所述过孔，通过所述过孔与所述栅线层金属引线连接。
6.一种液晶显示器，其特征在于，所述液晶显示器包括权利要求1至5任一所述的TFT 阵列基板。
专利摘要本实用新型实施例提供的TFT阵列基板以及液晶显示器，涉及液晶显示器的制造领域，解决了在焊垫区域上，因栅、数据两层金属的段差而造成的粘合不良问题。该TFT阵列基板，依次包括栅线层、第一绝缘层、数据线层、第二绝缘层和透明导电层；所述TFT阵列基板的焊垫区域包括位于数据线层的数据层金属引线和与所述数据层金属引线连接的第一导电粘接区，以及位于栅线层的栅线层金属引线，位于所述栅线层的所述栅线层金属引线与位于所述数据层的第二导电粘接区连接，其中，所述第二导电粘接区与所述数据层金属引线、第一导电粘接区不相接触。本实用新型用于液晶显示器制造。
文档编号G02F1/1362GK202307895SQ201120403479
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月21日 优先权日2011年10月21日
发明者时凌云, 李鑫, 王章涛 申请人:北京京东方光电科技有限公司