专利名称：阵列基板的制造方法、显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及阵列基板及显示面板技术领域，特别涉及阵列基板的制造方法、显示面板及其制造方法。
背景技术：
在显示设备的发展上，随着光电技术以及半导体制造技术的进步，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无福射等优越特性的平面显示器(flat display panels)已逐渐成为消费市场的主流。在现今显示技术当中，由于可挠性显示面板(flexible displaypanel)具有轻巧性、耐冲击性、可挠曲性、可穿戴性与携带方便等优势，目前已俨然成为新一代前瞻显示技术。然而，在目前的可挠性显示面板工艺中，主要技术瓶颈在各层结构如何精准地制作于可挠性基底上。在可挠性显示面板的工艺中，常常会经过多种干、湿工艺或加热加压工艺，可挠性显示面板的可挠性基底于这些工艺中容易随之热胀冷缩，而使已形成于可挠性基底上的图案化结构产生形变。如此一来，当制造者欲在此形变的图案化结构上形成另一个图案化结构时，此两个图案化结构便容易发生对位偏移的问题，进而使得可挠性显示面板的制造良率下降。承上述，如何改善因可挠性基底于工艺中热胀冷缩而造成的问题实为研发者所极欲解决的问题之一。
发明内容
本发明的实施例提出一种阵列基板的制造方法，其包括下列步骤。提供第一透光基板。于第一透光基板上形成第一导电层。于第一透光基板上形成遮光层。利用能量束图案化第一导电层和遮光层，以形成第一导电图案和遮光图案。于第一透光基板上形成光反应材料层，以至少覆盖第一导电图案及第一透光基板。以遮光图案为掩模使部分光反应材料层曝光，并图案化光反应材料层而形成多个阻挡结构。本发明的实施例提出一种显示面板的制造方法，其包括下列步骤。提供第一透光基板。于第一透光基板上形成第一导电层。于第一透光基板上形成遮光层。利用能量束图案化第一导电层和遮光层，以形成第一导电图案和遮光图案。于第一透光基板上形成光反应材料层，以至少覆盖第一导电图案及第一透光基板。以遮光图案为掩模使部分光反应材料层曝光，并图案化光反应材料层而形成多个阻挡结构。提供第二透光基板。令第二透光基板组立于阻挡结构上。令显示介质填入由第一透光基板与阻挡结构所定义出的容置空间中。本发明的实施例提出一种显不面板，其包括第一透光基板、第二透光基底、第一导电图案、遮光图案、第二导电图案以及显不介质。第二透光基底相对于第一透光基板。第一导电图案位于第一透光基板与第二透光基底之间，且曝露出部分的第一透光基板。遮光图案与第一透光基板连接。遮光图案实质上与第一导电图案重合。阻挡结构连接第一透光基板与第二透光基底，且位于第一透光基板被第一导电图案所曝露之处。第二导电图案位于第一导电图案与第二透光基底之间。第一导电图案与第二导电图案交错。显示介质位于由第一透光基板、第二透光基底以及阻挡结构所形成的容置空间中。
图1A至图1F为本发明第一实施例的显示面板的制造流程示意图。图2A至图2E为本发明第二实施例的显示面板的制造流程示意图。图3A至图3B为本发明第三实施例的显示面板的部分制造流程示意图。主要元件符号说明100、100A、100B:显示面板102:第一透光基板102a:第一表面102b:第二表面104:第一导电层104a:第一导电图案106:遮光层106a:遮光图案
108:光反应材料层108a:阻挡结构110:显示介质112:第二透光基板112a:第二透光基底112b:第二导电图案D1、D2:方向K:第一透光基板被第一导电图案所曝露之处L:能量束1:曝光光束R:容置空间
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。第一实施例显示面板的制造方法图1A至图1F为本发明第一实施例的显示面板的制造流程示意图。请参照图1A，首先，提供第一透光基板102。接着,在第一透光基板102上形成第一导电层104。详言之,本实施例的第一透光基板102具有第一表面102a，而第一导电层104可形成在第一表面102a上。本实施例的第一透光基板102可为硬质基板或可挠性(flexible)基板。硬质基板的材质可为玻璃或石英。可挠性基板的材质可为聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚醚讽、聚苯醚讽(polyethersulfone, PES)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚亚酸胺(polyimide,PI)、环状烯腈聚合物(cyclic olefin polymer, ART0N)或聚芳酯树脂(polyarylateresin, PAR)。但,本发明不以上述为限。本实施例的第一导电层104的材料可视实际的需求而选用。举例而言，若制造者欲将本实施例的显示面板制作为穿透式显示面板，则第一导电层104的材料可选用透光导电材料。若制造者欲将本实施例的显示面板制作为反射式显示面板，则第一导电层104的材料可选用反光导电材料。所述的透光导电材料包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锡掺杂锑(ATO)、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、导电高分子材料或纳米金属膜。所述的反光导电材料包括金属、金属氧化物或金属氮氧化物。更进一步地说，金属材料可为铬(Cr)或铝(Al)。金属氧化物材料可为氧化铬或氧化铝。但，本发明不以上述为限。请参照图1B，接着，于第一透光基板102上形成遮光层106。详言之，可在相对于第一表面102a的第二表面102b上形成遮光层106。在本实施例中，遮光层106可利用反射、散射或吸收的方式来遮光。换言之，遮光层106可为吸光层或反光层。吸光层材料可为黑色光刻胶、有色光刻胶、黑色树脂、有色树脂、墨水、碳粉或聚亚酰胺(polyimide，PI)。反光层的材料可为金属、金属氧化物或金属氮氧化物，其中金属材料包括铬或铝，而金属氧化物材料包括氧化铬或氧化铝。请参照图1C，接着，利用能量束L图案化第一导电层104和遮光层106，上述第一导电层104和遮光层106的图案化可以是同时进行的，以形成第一导电图案104a和遮光图案106a。详言之，本实施例的能量束L可为激光，但本发明不以此为限。激光可同时烧蚀第一导电层104和遮光层106，以形成第一导电图案104a和遮光图案106a。需说明的是，图1C中的能量束L是由遮光层106所在的一侧依序穿过遮光层106、第一透光基板102及第一导电层104，而形成第一导电图案104a和遮光图案106a。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，能量束L亦可由第一导电层104所在的一侧依序穿过第一导电层104、第一透光基板102及遮光层106,而亦可形成第一导电图案104a和遮光图案106a。请参照图1D，接着，于第一透光基板102上形成光反应材料层108，以至少覆盖第一导电图案104a以及第一透光基板102。更详细地说，在本实施例中，光反应材料层108是形成于第一透光基板102的第一表面102a上，并与第一导电图案104a以及部份第一透光基板102接触。本实施例的光反应材料层108例如为负型光刻胶层。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，光反应材料层108亦可为感光硬化层，例如为紫外线硬化胶。但，本发明不以上述为限。请参照图1D及图1E，接着，以遮光图案106a为掩模，图案化光反应材料层108，而形成多个阻挡结构108a。在本实施例中，曝光光束I可依序穿过遮光图案106a、第一透光基板102及第一导电图案104a,而使部份的光反应材料层108被曝光。在本实施例中，于图案化工艺后，被曝光的部分光反应材料层108会留下而形成阻挡结构108a，而未被曝光的另一部分的光反应材料层108则会被移除。详言之,本实施例的光反应材料层108可为负型光刻胶层，被曝光的部份负型光刻胶层会发生交连(cross-links)作用，而使其于显影过程中不易被显影液溶解，进而被留下形成阻挡结构108a。另一方面，未被曝光的另一部分的光反应材料层108则会于显影过程中被显影液溶解而被去除。请参照图1F，接着，令显示介质110填入由第一透光基板102与阻挡结构108a所定义出的容置空间R中。在本实施例中，显示介质110可为电驱动或热驱动的显示介质。以电驱动的显示介质为例，显示介质110可为液晶。所述的液晶包括向列型液晶(Nematicliquid crystal)、主客型液晶(Guest-host liquid crystal)、聚合物分散液晶(PolymerDispersed Liquid Crystal ;Η)ΙΧ)、胆固醇液晶(Cholesteric Liquid Crystal) 其中，胆固醇液晶可通过调整其螺距(pitch)而使其可反射不同波长的光线，进而使本实施例的显示面板可显示彩色画面。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，显示介质Iio亦可为电泳液、电激发光材料或其他适当材料，其中电激发光材料包括有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode,OLED或高分子有机发光二极管(Polymer Light Emitting Diode,PLED)。请再参照图1F，接着，提供第二透光基板112。本实施例的第二透光基板112包括第二透光基底112a以及第二导电图案112b。本实施例的第二透光基底112a可为硬质基底或可挠性(flexible)基底。硬质基底的材质可为玻璃或石英。可挠性基底的材质可为聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate, PEN)、聚醚讽、聚苯醚讽(polyethersulfone, PES)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚亚酰胺(polyimide, PI)、环状烯腈聚合物(cyclic olefinpolymer, ART0N)或聚芳酯树脂(polyarylate resin, PAR)。但,本发明不以上述为限。本实施例的第二导电图案112b可为透明导电图案，其材质可为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锡掺杂锑(ΑΤ0)、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、导电高分子材料或纳米金属膜。但，本发明不以上述为限。请再参照图1F，接着，令第二透光基板112组立于阻挡结构108a上。详言之，第二透光基板112可以第二导电图案112b的延伸方向D2与第一透光基板102上的第一导电图案104a的延伸方向Dl交错的方式组立于阻挡结构108a上。于此便初步完成了本实施例的显示面板100。在本实施例中，制造者可视实际的需求选择性地留下或去除第一透光基板102的第二表面102b上的遮光图案106a。举例而言，若显示面板100为反射式显示面板，则制造者可选择性地留下遮光图案106a。当反射式显示面板操作于暗态时，遮光图案106a可吸收进入反射式显示面板的光线，进而增加反射式显示面板的对比。另一方面，若显示面板100为穿透式显示面板，则制造者可去除遮光图案106a，以使背光源所发出的光线可顺利通过穿透式显示面板的显示区。值得一提的是，在本实施例中，若遮光图案106a与第一导电图案104a是同时形成的，则遮光图案106a与第一导电图案104a间不会产生对位偏移的问题。此时，由于阻挡结构108a是利用与第一导电图案104a同时形成的遮光图案106a为掩模而形成的，因此阻挡结构108a与第一导电图案104a(或遮光图案106a)之间亦不会发生对位偏移的问题。如此一来，习知技术中各层结构因基板热胀冷缩而造成的对位偏移的问题便可获得改善，而显示面板100的良率可被明显提高。此外 ，由于阻挡结构108a是利用遮光图案106a为掩模而形成的，故本实施例的显示面板的制造方法至少可省去一道掩模的费用，进而降低显示面板100的制造成本。
显示面板的结构图1F为本发明第一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图1F，本实施例的显不面板100包括第一透光基板102、第二透光基底112a、第一导电图案104a、遮光图案106a、多个阻挡结构108a、第二导电图案112b以及显示介质110。本实施例的第二透光基底112a相对于第一透光基板102。第一导电图案104a位于第一透光基板102与第二透光基底112a之间。第一导电图案104a曝露出部分的第一透光基板102。本实施例的遮光图案106a与第一透光基板102连接。换言之，本实施例的遮光图案106a可与第一透光基板102直接连接或间接连接。举例而言，在本实施例中，第一透光基板102具有第一表面102a以及第二表面102b,而遮光图案106a可配置于第二表面102b上且与第二表面102b接触。其中，第一表面102a可位于第二表面102b与第二透光基底112a之间，而第二表面102b可位于遮光图案106a与第一表面102a之间。值得注意的是，在本实施例中，由于遮光图案106a是与第一导电图案104a可同时形成，因此遮光图案106a实质上与第一导电图案104a重合。本实施例的阻挡结构108a连接第一透光基板102与第二透光基底102。阻挡结构108a位于第一透光基板102被第一导电图案104a所曝露之处K。值得注意的是，由于阻挡结构108a是以遮光图案106a为掩模所形成的，因此阻挡结构108a与遮光图案106a(或第一导电图案104a)实质上切齐。本实施例的第二导电图案112b位于第一导电图案104a与第二透光基底112a之间。第一导电图案104a与第二导电图案112b交错。详言之,第一导电图案104a可具有延伸方向D1，第二导电图案112b可具有延伸方向D2，其中延伸方向Dl与延伸方向D2交错。在本实施例中，延伸方向Dl与延伸方向D2实质上垂直。本实施例的显示介质110位于第一透光基板102与第二透光基底112a之间。更进一步地说，显示介质110可位于由第一透光基板102、第二透光基底112a以及阻挡结构108a所形成的多个容置空间R中。第二实施例显示面板的制造方法图2A至图2E为本发明第二实施例的显示面板的制造流程示意图。请参照图2A至图2E，本实施例的显示面板的制造方法与第一实施例的显示面板的制造方法类似，因此相同的元件以相同的标号表示。本实施例的显示面板的制造方法与第一实施例的显示面板的制造方法不同之处在于:遮光层106形成的位置与在第一实施例中不同。以下就此相异处做说明，两者相同之处便不再重述。请先参照图2A，首先，先提供第一透光基板102。第一透光基板102具有相对的第一表面102a与第二表面102b。接着,于第一表面102a上形成第一导电层104。然后，于第一导电层104上形成遮光层106。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，亦可先于第一表面102a上形成遮光层106,再于遮光层106上形成第一导电层104。请参照图2A及图2B，接着，利用能量束L图案化第一导电层104和遮光层106，上述第一导电层104和遮光层106的图案化可以是同时进行的，以形成第一导电图案104a和遮光图案106a。在图2B中，能量束L是自靠近第一表面102a的一侧对第一导电层104和遮光层106进行图案化。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，能量束L亦可自靠近第二表面102b的一侧对第一导电层104和遮光层106进行图案化。
请参照图2C，接着，于第一透光基板102上形成光反应材料层108。在本实施例中，光反应材料层108覆盖第一导电图案104a、遮光图案106a以及第一透光基板102。请参照图2C及图2D，接着，以遮光图案106a为掩模，图案化光反应材料层108，而形成多个阻挡结构108a。请参照图2E，接着，令显示介质110填入由第一透光基板102与阻挡结构108a所定义出的容置空间R中。然后，提供包括第二透光基底112a以及第二导电图案112b的第二透光基板112。接着，令第二透光基板112组立于阻挡结构108a上。于此便完成了本实施例的显示面板100A的制造流程。本实施例的显示面板100A的制造方法具有与第一实施例的显示面板100的制造方法类似的功能，于此便不再重述。显示面板的结构图2E为本发明第二实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图2E，本实施例的显示面板100A与第一实施例的显示面板100类似，因此相同的元件以相同的标号表示。本实施例的显示面板100A与第一实施例的显示面板100不同之处在于:遮光图案106a所在的位置与在第一实施例中不同。以下就此相异处做说明，两者相同之处便不再重述。本实施例的遮光图案106a亦与第一透光基板102连接。换言之，本实施例的遮光图案106a可与第一透光基板102直接连接或间接连接。举例而言，本实施例的遮光图案106a可通过第一导电图案104a与第一透光基板102连接。换言之，本实施例的遮光图案106a可位于第一透光基板102与第二透光基底112a之间。更详细地说，遮光图案106a可位于第一导电图案104a与第二透光基底112a之间，且与第一导电图案104a接触。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，遮光图案106a与第一导电图案104a的位置可对调。本实施例的显示面板100A具有与第一实施例的显示面板100类似的功能，于此便不再重述。第三实施例显示面板的制造方法图3A至图3B为本发明第三实施例的显示面板的部分制造流程示意图。本实施例的显示面板的制造方法与第二实施例的显示面板的制造方法类似，因此相同的元件以相同的标号表示。本实施例的显示面板的制造方法与第二实施例的显示面板的制造方法不同之处在于:本实施例的显示面板的制造方法可进一步包括去除遮光图案106a的动作。以下就此相异处做说明，两者相同之处便不再重述。在本实施例中，至完成阻挡结构108a，本实施例的显示面板的制造流程皆可与第二实施例相同。换言之，图2A至图2D亦为本实施例的显示面板的部分制造流程。在完成阻挡结构108a后(即完成图2D所不的结构后)，如图3A所不，在本实施例中，可进一步地将遮光图案106a去除。请参照图3B，接着，在填入显示介质110至容置空间R中。然后，再将第二透光基板112组立于阻挡结构108a上。于此便完成了本实施例的显示面板100B的制造流程。本实施例的显示面板100B的制造方法具有与第一实施例的显示面板100的制造方法类似的功能，于此便不再重述。显示面板的结构图3B为本发明第三实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图3B，本实施例的显示面板100B与第二实施例的显示面板100A类似，因此相同的元件以相同的标号表示。本实施例的显示面板100B与第二实施例的显示面板100A不同之处仅在于:本实施例的显示面板100B不包括遮光图案106a。本实施例的显示面板100B具有与第二实施例的显示面板IOOA类似的功能，于此便不再重述。综上所述，在本发明实施例的显示面板的制造方法中，可利用能量束将遮光层和第一导电层同时图案化，因此遮光图案与第一导电图案之间不会产生对位偏移的问题。另夕卜，由于阻挡结构是利用与第一导电图案同时形成的遮光图案为掩模而形成的，因此阻挡结构与第一导电图案(或遮光图案)之间亦不会发生对位偏移的问题。如此一来，习知技术中各层结构因基板热胀冷缩而造成的对位偏移的问题便可获得改善，进而提高显示面板的制造良率。此外，在本发明实施例的显示面板的制造方法中，由于阻挡结构是利用遮光图案为掩模而形成的，故本发明实施例的显示面板的制造方法至少可省去一道掩模的费用，进而降低显示面板的制造成本。以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括: 提供第一透光基板； 于所述第一透光基板上形成第一导电层； 于所述第一透光基板上形成遮光层； 利用能量束图案化所述第一导电层和所述遮光层，以形成第一导电图案和遮光图案； 于所述第一透光基板上形成光反应材料层，以至少覆盖所述第一导电图案以及所述第一透光基板；以及 以所述遮光图案为掩模使部分所述光反应材料层曝光，并图案化所述光反应材料层，而形成多个阻挡结构。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板具有相对的第一表面以及第二表面，于所述第一透光基板上形成所述第一导电层的步骤为:于所述第一透光基板的所述第一表面上形成所述第一导电层，而于所述第一透光基板上形成所述遮光层的步骤为:于所述第 一透光基板的所述第二表面上形成所述遮光层。
3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，更包括:移除位于所述第一透光基板的所述第二表面上的所述遮光层。
4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板具有相对的第一表面，于所述第一透光基板上形成所述第一导电层的步骤以及于所述第一透光基板上形成所述遮光层的步骤包括: 于所述第一透光基板的所述第一表面上形成所述第一导电层；以及 于所述第一导电层上形成所述遮光层，其中所述第一导电层位于所述第一透光基板的所述第一表面与所述遮光层之间。
5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，更包括:移除位于所述第一导电层上的所述遮光层。
6.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板具有相对的第一表面，于所述第一透光基板上形成所述第一导电层的步骤以及于所述第一透光基板上形成所述遮光层的步骤包括: 于所述第一透光基板的所述第一表面上形成所述遮光层；以及 于所述遮光层上形成所述第一导电层，其中所述遮光层位于所述第一透光基板的所述第一表面与所述第一导电层之间。
7.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一导电图案与所述遮光图案重合。
8.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板为可挠性基板或硬质基板。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述可挠性基板的材质包括:聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚苯醚砜、聚碳酸酯、聚亚酰胺、环状烯腈聚合物或聚芳酯树脂。
10.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述光反应材料层包括:负型光刻胶层或感光硬化层。
11.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述遮光层包括:吸光层或反光层。
12.如权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述吸光层材料包括:黑色光刻胶、有色光刻胶、黑色树脂、有色树脂、墨水、碳粉或聚亚酰胺(polyimide，PI)。
13.如权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述反光层的材料包括:金属、金属氧化物或金属氮氧化物。
14.如权利要求13所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属的材料包括:铬或招。
15.如权利要求13所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物的材料包括:氧化铬或氧化铝。
16.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一导电层为透光导电层。
17.如权利要求16所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述透光导电层的材质包括:铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锡掺杂锑、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、导电高分子材料或纳米金属膜。
18.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述能量束包括激光。
19.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述光反应材料层被图案化后，被曝光的部分所述光反应材料层留下而形成所述多个阻挡结构，而未被曝光的另一部分所述光反应材料层则被移除。
20.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，利用所述能量束图案化所述第一导电层和所述遮光 层，以形成所述第一导电图案和所述遮光图案的步骤包括:利用所述能量束同时图案化所述第一导电层和所述遮光层，以形成所述第一导电图案和所述遮光图案。
21.—种显示面板的制造方法，其特征在于，包括: 提供第一透光基板； 于所述第一透光基板上形成第一导电层； 于所述第一透光基板上形成遮光层； 利用能量束图案化所述第一导电层和所述遮光层，以形成第一导电图案和遮光图案； 于所述第一透光基板上形成光反应材料层，以至少覆盖所述第一导电图案以及所述第一透光基板； 以所述遮光图案为掩模使部分所述光反应材料层曝光，并图案化所述光反应材料层，而形成多个阻挡结构； 提供第二透光基板； 令所述第二透光基板组立于所述多个阻挡结构上；以及 令显示介质填入由所述第一透光基板与所述多个阻挡结构所定义出的容置空间中。
22.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板具有相对的第一表面以及第二表面，于所述第一透光基板上形成所述第一导电层的步骤包括:于所述第一透光基板的所述第一表面上形成所述第一导电层，而于所述第一透光基板上形成所述遮光层的步骤包括:于所述第一透光基板的所述第二表面上形成所述遮光层。
23.如权利要求22所述的显示面板的制造方法，其特征在于，更包括:移除位于所述第一透光基板的所述第二表面上的所述遮光层。
24.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板具有相对的第一表面，于所述第一透光基板上形成所述第一导电层的步骤以及于所述第一透光基板上形成所述遮光层的步骤包括: 于所述第一透光基板的所述第一表面上形成所述第一导电层；以及 于所述第一导电层上形成所述遮光层，其中所述第一导电层位于所述第一透光基板的所述第一表面与所述遮光层之间。
25.如权利要求24所述的显示面板的制造方法，其特征在于，更包括:移除位于所述第一导电层上的所述遮光层。
26.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板具有相对的第一表面，于所述第一透光基板上形成所述第一导电层的步骤以及于所述第一透光基板上形成所述遮光层的步骤包括: 于所述第一透光基板的所述第一表面上形成所述遮光层；以及 于所述遮光层上形成所述第一导电层，其中所述遮光层位于所述第一透光基板的所述第一表面与所述第一导电层之间。
27.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一导电图案与所述遮光图案重合。
28.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一透光基板为可挠性基板或硬质基板。
29.如权利要求28所述的显示面`板的制造方法，其特征在于，所述可挠性基板的材质包括:聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚苯醚砜、聚碳酸酯、聚亚酰胺、环状烯腈聚合物或聚芳酯树脂。
30.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述光反应材料层包括:负型光刻胶层或感光硬化层。
31.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述遮光层包括:吸光层或反光层。
32.如权利要求31所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述吸光层的材料包括:黑色光刻胶、有色光刻胶、黑色树脂、有色树脂、墨水、碳粉或聚亚酰胺(polyimide，PI)。
33.如权利要求31所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述反光层的材料包括:金属、金属氧化物或金属氮氧化物。
34.如权利要求33所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述金属的材料包括:铬(Cr)或铝(Al)。
35.如权利要求33所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物的材料包括:氧化铬或氧化铝。
36.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一导电层为透光导电层。
37.如权利要求36所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述透光导电层的材质包括:铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锡掺杂锑、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、导电高分子材料或纳米金属膜。
38.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第二透光基板包括第二透光基底以及配置于所述第二透光基底上的第二导电图案。
39.如权利要求38所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第二导电图案与所述第一导电图案交错。
40.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述显示介质包括:液晶、电泳液或电激发光材料。
41.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述能量束包括激光。
42.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述光反应材料层被图案化后，被曝光的部分所述光反应材料层留下而形成所述多个阻挡结构，而未被曝光的另一部分所述光反应材料层则被移除。
43.如权利要求21所述的显示面板的制造方法，其特征在于，利用所述能量束图案化所述第一导电层和所述遮光层，以形成所述第一导电图案和所述遮光图案的步骤包括:利用所述能量束同时图案化所述第一导电层和所述遮光层，以形成所述第一导电图案和所述遮光图案。
44.一种显示面板，其特征在于，包括: 第一透光基板； 第二透光基底，相对于所述第一透光基板； 第一导电图案，位于所述第一透光基板与所述第二透光基底之间，且曝露出部分的第一透光基板； 遮光图案，与所述 第一透光基板连接，其中所述遮光图案与所述第一导电图案重合； 多个阻挡结构，连接所述第一透光基板与所述第二透光基底，且位于所述第一透光基板被所述第一导电图案所曝露之处； 第二导电图案，位于所述第一导电图案与所述第二透光基底之间，其中所述第一导电图案与所述第二导电图案交错； 显示介质，位于由所述第一透光基板、所述第二透光基底以及所述多个阻挡结构所形成的容置空间中。
45.如权利要求44所述的显示面板，其特征在于，所述遮光图案位于所述第一透光基板与所述第二透光基底之间。
46.如权利要求45所述的显示面板，其特征在于，所述遮光图案位于所述第一导电图案与所述第二透光基底之间。
47.如权利要求45所述的显示面板，其特征在于，所述遮光图案位于所述第一导电图案与所述第一透光基板之间。
48.如权利要求44所述的显示面板，其特征在于，所述第一透光基板具有第一表面以及第二表面，所述第一表面位于所述第二表面与所述第二透光基底之间，而所述第二表面位于所述遮光图案与所述第一表面之间。
49.如权利要求44所述的显示面板，其特征在于，所述第一透光基板为可挠性基板或硬质基板。
50.如权利要求44所述的显示面板，其特征在于，所述可挠性基板的材质包括:聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚苯醚砜、聚碳酸酯、聚亚酰胺、环状烯腈聚合物或聚芳酯树脂。
51.如权利要求44所述的显示面板，其特征在于，所述多个阻挡结构的材料包括:负型光刻胶或感光硬化材料。
52.如权利要求44所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层包括:吸光层或反光层。
53.如权利要求52所述的显示面板，其特征在于，所述吸光层的材料包括:黑色光刻胶、有色光刻胶、黑色树脂、有色树脂、墨水、碳粉或聚亚酰胺(polyimide，PI)。
54.如权利要求52所述的显示面板，其特征在于，所述反光层的材料包括:金属、金属氧化物或金属氮氧化物。
55.如权利要求54所述的显示面板，其特征在于，所述金属的材料包括:铬(Cr)或铝(Al)。
56.如权利要求54所述的显示面板，其特征在于，所述金属氧化物的材料包括:氧化铬或氧化铝。
57.如权利要求44所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层为透光导电层。
58.如权利要求57所述的显示面板，其特征在于，所述透光导电层的材质包括:铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、导电高分子材料或纳米金属膜。
59.如权利要求44所述的显示面板，其特 征在于，所述显示介质包括:液晶、电泳液或电激发光材料。
60.如权利要求44所述的显示面板，其特征在于，所述多个阻挡结构与所述第一导电图案或所述遮光图案切齐。
全文摘要
本发明涉及一种阵列基板的制造方法，以及一种显示面板及其制造方法。所述阵列基板的制造方法包括提供第一透光基板；于第一透光基板上形成第一导电层；于第一透光基板上形成遮光层；利用能量束图案化第一导电层和遮光层，以形成第一导电图案和遮光图案；于第一透光基板上形成光反应材料层，以至少覆盖第一导电图案及第一透光基板；以遮光图案为掩模使部分光反应材料层曝光，并图案化光反应材料层，而形成多个阻挡结构。
文档编号G02F1/1333GK103165526SQ201210052720
公开日2013年6月19日 申请日期2012年3月2日 优先权日2011年12月16日
发明者刘柏彣, 吕志平 申请人:财团法人工业技术研究院