液晶显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种液晶显示装置，包括薄膜晶体管、多个脊形电极结构以及设置于薄膜晶体管之上的钝化层，每一个脊形电极结构包括第一绝缘层、第二绝缘层以及电极，第一绝缘层与薄膜晶体管的栅极绝缘层为相同材料且位于同一层中，第二绝缘层与钝化层为相同材料且位于同一层中。该液晶显示装置可实现高分辨率且制程简单。
【专利说明】液晶显示装置【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示装置，特别是涉及平面切换技术的液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示装置因具有低辐射性、厚度薄和耗电低等特点而被广泛应用于平板显示领域中。大多数液晶显示装置都是采用TN (Twisted Nematic,扭转向列)模式,然而,TN型液晶显示装置的像素电极和公共电极是分别形成在上下两个基板上，其液晶分子是在与基板正交的平面内旋转，由于液晶分子的光学各向异性，导致光从不同角度经过液晶分子后进入人眼的光程不同，从而导致从不同角度观看液晶面板时其显示效果不同，也就是易产生视角的问题。
[0003]为了解决视角的问题，业界开发研究了各种广视角技术，比如:在TN型液晶显示装置内增加广视角膜、面内切换(In-Plane Switching, IPS)显示技术、边缘电场(Fringing Field Switching, FFS)显不技术以及多域垂直配向(Mult1-Domain VerticalAlignment, MVA)显示技术等等。其中，IPS是目前应用最为广泛的广视角技术。IPS型液晶显示装置的像素电极与公共电极设置在同一基板上，通常为梳状结构，每一像素区域里的像素电极与公共电极的齿状部分交替排列，当通电以后，像素电极与公共电极之间产生平行电场，驱使液晶分子在平行于基板的平面内转动，从而实现增加视角的目的。
[0004]然而，由于IPS型液晶显示装置的液晶分子间的电场强度与像素电极和公共电极之间的距离成反比，与施加在电极上的驱动电压成正比，为了降低功率消耗，需降低驱动电压，因此为了不影响液晶分子的驱动效率，需要缩小电极之间的距离。然而，IPS型液晶显示装置会因为电极密度提高而导致开口率下降，而为了提升显示亮度采用增加背光模组的亮度的方式同样会增加功耗，不利于节能环保。因此，业界又提出了一种具有脊形电极(ridgeelectrode)结构的IPS型液晶显示装置。
[0005]请参见图1，其为现有技术中的`一种具有脊形电极结构的IPS型液晶显示装置的一个基板的部分剖面示意图，该图仅显示了一个像素区域内部分电极的剖面结构。IPS型液晶显示装置100包括基板110、多个绝缘凸起120以及多个电极130，多个电极130包括公共电极与像素电极。每一个电极130经由一个绝缘凸起120设置于基板110上，以形成脊形电极结构。通过绝缘凸起120，可以增强电极130之间的电场强度。
[0006]然而，传统的脊形电极设计通常采用有机材料形成绝缘凸起120，然而有机材料难以做出较为精细的结构，因此，传统的脊形电极结构难以用在高分辨率的IPS型液晶显示装置之中。进一步地，绝缘凸起120的形成需要额外增加一道光罩制程。
【发明内容】
[0007]为了解决现有技术中IPS型液晶显示装置采用脊形电极结构难以实现高分辨率以及制程冗杂的问题，有必要提供一种能实现高分辨率且制程简单的具有新型脊形电极结构的液晶显示装置。[0008]具体地，本发明实施例提供的一种液晶显示装置，其包括薄膜晶体管、多个脊形电极结构以及设置于该薄膜晶体管之上的钝化层，每一个脊形电极结构包括第一绝缘层、第二绝缘层以及电极，该第一绝缘层与该薄膜晶体管的栅极绝缘层为相同材料且位于同一层中，该第二绝缘层与该钝化层为相同材料且位于同一层中。
[0009]本发明实施例还提供另一种液晶显示装置，其包括薄膜晶体管以及多个脊形电极结构，每一个脊形电极结构包括依次层叠设置的第一导电层、绝缘层以及第二导电层，该第一导电层与该薄膜晶体管的栅极为同一层的相同材料且在同一道光罩制程中形成，该绝缘层与该薄膜晶体管的栅极绝缘层为相同材料且位于同一层中，该第二导电层与该薄膜晶体管的源极和漏极为同一层的相同材料且在同一道光罩制程中形成。
[0010]与现有技术相比，本发明实施例中的脊形电极结构中的各层元件均对应传统液晶显示装置的薄膜晶体管的材料层，可与薄膜晶体管的对应层在同一光罩制程中形成，因此不会特别增加新的光罩制程。且因为本发明实施例中的脊形电极结构的各层材料基本为无机材料，可以进行精细的蚀刻，因此上述脊形电极结构可用在高分辨率的液晶显示装置之中。
[0011]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为现有技术中的一种具有脊形电极结构的IPS型液晶显示装置的一个基板的部分剖面示意图。
[0013]图2为本发明第一实施例中液晶显示装置的一个像素区域的平面结构示意图。
[0014]图3为沿图2的线A-A’和线B-B’截取的剖面结构示意图。
[0015]图4为本发明第二实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0016]图5为本发明第二实施例的变更实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0017]图6为本发明第三实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0018]图7为本发明第四实施例中液晶显示装置的一个像素区域的平面结构示意图。
[0019]图8为沿图7的线C-C’和线D-D’截取的剖面结构示意图。
[0020]图9为本发明第四实施例的变更实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0021]图10为本发明第五实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0022]图11为本发明第六实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0023]图12为本发明第六实施例的变更实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。[0024]图13为本发明第七实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0025]图14为本发明第七实施例的变更实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0026]图15为本发明第八实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0027]图16为本发明第八实施例的变更实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0028]图17为本发明第九实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0029]图18为本发明第九实施例的变更实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0030]图19为本发明第十实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0031]图20为本发明第十实施例的变更实施例中液晶显示装置的一个像素区域的部分剖面结构示意图。
[0032]主要元件符号说明:
【权利要求】
1.一种液晶显示装置，其特征在于:该液晶显示装置包括薄膜晶体管、多个脊形电极结构以及设置于该薄膜晶体管之上的钝化层，每一个脊形电极结构包括第一绝缘层、第二绝缘层以及电极，该第一绝缘层与该薄膜晶体管的栅极绝缘层为相同材料且位于同一层中，该第二绝缘层与该钝化层为相同材料且位于同一层中。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于:该电极为透明导电材料，该第一绝缘层、该第二绝缘层以及该电极依次层叠设置。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于:该电极包括第一导电层和第二导电层，该第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层依次层叠设置，该第一导电层与该薄膜晶体管的栅极为相同材料制成，且设置在同一层中并在同一道光罩制程中形成，该第二导电层与该薄膜晶体管的源极和漏极为相同材料制成，且设置在同一层中并在同一道光罩制程中形成。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于:该每一个脊形电极结构进一步包括第三导电层设置于该第二绝缘层之上，该第三导电层与该第一或/和第二导电层电连接。
5.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于:该每一个脊形电极结构进一步包括第三导电层设置于该第二绝缘层之上，该第三导电层与该第二导电层电连接，该第一导电层作为该液晶显示装置的存储电容的一个电极。
6.如权利要求4或5所述的液晶显示装置，其特征在于:该第三导电层经由位于该第二绝缘层上的连接孔与该第二导电层连接。
7.如权利要求3或4所述的液晶显示装置，其特征在于:该第二导电层经由位于该第一绝缘层上的连接孔与该第一导电层连接。
8.如权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于:该第二导电层经由位于该第一绝缘层上的第一连接孔与该第一导电层连接，该第三导电层经由位于该第二绝缘层上的第二连接孔与该第二导电层连接。
9.一种液晶显示装置，其特征在于:该液晶显示装置包括薄膜晶体管以及多个脊形电极结构，每一个脊形电极结构包括依次层叠设置的第一导电层、绝缘层以及第二导电层，该第一导电层与该薄膜晶体管的栅极为相同材料制成，且设置在同一层中并在同一道光罩制程中形成，该绝缘层与该薄膜晶体管的栅极绝缘层为相同材料且位于同一层中，该第二导电层与该薄膜晶体管的源极和漏极为相同材料制成，且设置在同一层中并在同一道光罩制程中形成。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于:该每一个脊形电极结构进一步包括第三导电层设置于该第二导电层之上，并且覆盖该第一导电层、该绝缘层以及该第二导电层的侧边，该第一导电层与该第二导电层通过该第三导电层连接。
【文档编号】G02F1/1343GK103728789SQ201210382763
【公开日】2014年4月16日 申请日期:2012年10月10日 优先权日:2012年10月10日
【发明者】陈冠宇, 郑伟成, 丁天伦, 徐文浩 申请人:友达光电股份有限公司