专利名称：一种阵列基板及显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及显示技术领域，特别是一种阵列基板及显示装置。
背景技术：
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。ADSDS (ADvanced Super Dimension Switch),简称ADS,即高级超维场转换技术是液晶界为解决大尺寸、高清晰度桌面显示器和液晶电视应用而开发的广视角技木。其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并増大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开ロ率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。现有技术中ADS型TFT-IXD阵列基板包括玻璃基板，形成在玻璃基板上的栅电极，形成在栅电极上井覆盖整个玻璃基板的绝缘层，形成在绝缘层上的有源层和像素电极(相当于板状电极)，有源层在竖直方向上与栅电极对应，形成在有源层上的源漏电极层，形成在源漏电极层上井覆盖整个玻璃基板的钝化层，形成在钝化层上的条状分布的公共电极(相当于狭缝电极)。源漏电极层与公共电极间只有ー层钝化层，因此源漏电极层与公共电极间电容会很大，数据线的负载就会很大，如果通过増加钝化层厚度来减小电容，那么会导致过孔不良现象。
实用新型内容本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置，用以增大源漏电极层与公共电极间的距离，从而减小源漏电极层与公共电极之间的电容，降低功耗。本实用新型实施例提供的一种阵列基板，包括底层基板；源漏电极层和有源层，形成在所述底层基板上，且所述有源层连接所述源漏电极层中的源电极和漏电极；绝缘层，形成在所述源漏电极层和所述有源层上，并覆盖整个底层基板；像素电极，与所述源漏电极层中的漏电极连接；栅电极，形成在所述绝缘层上，并在竖直方向上与所述有源层对应；钝化层，形成在所述栅电极上，并覆盖整个底层基板；公共电极，形成在所述钝化层上。所述源漏电极层形成在所述底层基板上，所述有源层形成在所述源漏电极层上；或所述有源层形成在所述底层基板上，所述源漏电极层形成在所述有源层上。[0015]所述像素电极形成在所述底层基板与所述绝缘层之间。所述像素电极形成在所述绝缘层与所述钝化层之间，并且所述像素电极通过绝缘层过孔与所述源漏电极层中的漏电极连接。所述公共电极呈条状分布在所述钝化层上。本实用新型实施例提供一种显示装置，包括上述实施例中的阵列基板。通过以上技术方案可知，本实用新型实施例中提供的阵列基板，源漏电极层与公共电极之间有绝缘层和钝化层，有效增大了二者之间的距离，减小了源漏电极层与公共电极之间的电容，有利于降低功耗，同时可以降低绝缘层和钝化层的厚度来改善过孔不良现象。
图I为本实用新型的阵列基板的一具体实施例的剖面示意图；图2为本实用新型的阵列基板的另一具体实施例的剖面示意图；图3为图I所示的阵列基板的局部结构示意图。附图标记说明I-底层基板2-源漏电极层3-有源层4-绝缘层5-像素电极6-栅电极 7-钝化层8-公共电极9-数据线
具体实施方式
本实用新型实施例提供一种阵列基板及包含该阵列基板的显示装置。下面结合图I和图2对本实用新型实施例提供的阵列基板进行详细描述。图I为本实用新型的阵列基板的一具体实施例的结构示意图，參见图I所示，本实用新型中的阵列基板包括底层基板I ;该底层基板I可以采用玻璃、石英等或有机材料制得；源漏电极层2，形成在所述底层基板I上；有源层3，形成在所述源漏电极层2上，且连接所述源漏电极层2中的源电极和漏电极；绝缘层4，形成在所述有源层3上，并覆盖整个底层基板I ;像素电极5，形成在所述绝缘层4与钝化层7之间，且通过绝缘层过孔与所述源漏电极层2中的漏电极连接；栅电极6，形成在所述绝缘层4上，并在竖直方向上与所述有源层3对应；钝化层7，形成在所述栅电极6上，并覆盖整个底层基板I ;公共电极8，形成在所述钝化层7上，且呈条状分布在所述钝化层7上形成狭缝电极，其中的每一条都和像素电极5所在的平面形成电场，此图为ー截面图，条状的公共电极8在此截面图上呈锯齿状。图3为图I所示的阵列基板的局部示意图；參见图3所示，在数据线9与像素电极5之间有绝缘层4阻隔，无需再通过在源漏电极层和像素电极之间留出较大空间的方式来避免数据线与像素电极短接的问题；进ー步地，在本实施例中，可以通过减小数据线9与像素电极5之间的距离，来增大开ロ率和数据线9的宽度。图2为本实用新型的阵列基板的另一具体实施例的结构示意图，參见图2所示，本实用新型中的阵列基板包括底层基板I ;有源层3，形成在所述底层基板I上，连接源漏电极层2中的源电极和漏电极；源漏电极层2，形成在所述有源层3上；像素电极5，形成在所述底层基板I上，且与所述源漏电极层2中的漏电极连接；绝缘层4，形成在所述源漏电极层2和像素电极5之上，并覆盖整个底层基板I ;从图2中可以看到，像素电极5形成在所述底层基板I和绝缘层4之间、且与漏电极搭接；栅电极6，形成在所述绝缘层4上，并在竖直方向上与所述有源层3对应；钝化层7，形成在所述栅电极6上，并覆盖整个底层基板I ;公共电极8，形成在所述钝化层7上，且呈条状分布在所述钝化层7上形成狭缝电扱。因此，源漏电极层2与公共电极8之间有绝缘层4和钝化层7，有效增大了源漏电极层2与公共电极8之间的距离，减小了源漏电极层2与公共电极8之间的电容，有利于降低功耗，同时可以降低绝缘层4和钝化层7的厚度来改善过孔不良现象。上述实施例中所提供的阵列基板可以适用于但不限于ADS型的TFT-IXD，当然还可以适用于电子纸、OLED(Organic ElectroluminesenceDisplay,有机电激光显示)等显示技术领域。通过以上技术方案可知，本实用新型实施例中提供的阵列基板，源漏电极层与公共电极之间有绝缘层和钝化层，有效增大了二者之间的距离，减小了源漏电极层与公共电极之间的电容，有利于降低功耗，同时可以降低绝缘层和钝化层的厚度来改善过孔不良现象。此外，源漏电极层与像素电极之间有绝缘层阻隔，可以减小二者的间距，保证了开ロ率和源漏电极层的宽度。本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括液晶显示装置以及其他类型的显示装置。其中，液晶显示装置可以是液晶面板、液晶电视、手机、液晶显示器等，其包括彩膜基板、以及上述实施例中的阵列基板。上述其他类型显示装置，比如电子纸，其不包括彩膜基板，但是包括上述实施例中的阵列基板。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若对本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种阵列基板，其特征在于，包括 底层基板； 源漏电极层和有源层，形成在所述底层基板上，且所述有源层连接所述源漏电极层中的源电极和漏电极； 绝缘层，形成在所述源漏电极层和所述有源层上，并覆盖整个底层基板； 像素电极，与所述源漏电极层中的漏电极连接； 栅电极，形成在所述绝缘层上，并在竖直方向上与所述有源层对应； 钝化层，形成在所述栅电极上，并覆盖整个底层基板； 公共电极，形成在所述钝化层上。
2.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏电极层形成在所述底层基板上，所述有源层形成在所述源漏电极层上。
3.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层形成在所述底层基板上，所述源漏电极层形成在所述有源层上。
4.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极形成在所述底层基板与所述绝缘层之间。
5.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极形成在所述绝缘层与所述钝化层之间，并且所述像素电极通过绝缘层过孔与所述源漏电极层中的漏电极连接。
6.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极呈条状分布在所述钝化层上。
7.—种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求I至6中任一项所述的阵列基板。
专利摘要本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置，所述阵列基板包括底层基板；源漏电极层和有源层，形成在所述底层基板上，且所述有源层连接所述源漏电极层中的源电极和漏电极；绝缘层，形成在所述源漏电极层和所述有源层上，并覆盖整个底层基板；像素电极，与所述源漏电极层中的漏电极连接；栅电极，形成在所述绝缘层上，并在竖直方向上与所述有源层对应；钝化层，形成在所述栅电极上，并覆盖整个底层基板；公共电极，形成在所述钝化层上。因此，应用本实用新型，可以有效减小源漏电极层与公共电极之间的电容，降低功耗，改善过孔不良现象。
文档编号G02F1/1368GK202421685SQ201220045878
公开日2012年9月5日 申请日期2012年2月13日 优先权日2012年2月13日
发明者姜文博, 木素真, 李成, 王世君, 薛海林, 陈小川 申请人:北京京东方光电科技有限公司