一种纳米印章的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种纳米印章的制备方法，包括如下步骤：（1）在基片上放置一层金属铬膜；（2）在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；（3）用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；（4）显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；（5）用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；（6）刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。本发明提供的纳米印章的制备方法操作步骤简单，具有使用方便、灵活，效率高等优点，有利于推广应用。
【专利说明】一种纳米印章的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微加工领域，具体涉及一种纳米印章的制备方法。
【背景技术】
[0002]传统的电子束加工纳米压印印章，刻蚀时去除速率慢，样品会受到一定程度的损伤，同时产率低，制备出来的产品不理想。
【发明内容】
[0003]发明目的:为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供的纳米印章的制备方法，工艺简单、效率高，适合推广应用。
[0004]技术方案:为解决上述技术问题，本发明的采用的技术方案为:一种纳米印章的制备方法，包括如下步骤:
[0005]( I)在基片上放置一层金属铬膜；
[0006]( 2 )在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；
[0007](3)用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；
[0008](4)显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；
[0009](5)用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；
[0010](6)刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。
[0011]作为优选，所述步骤(3)中的全息曝光法采用的是He-Cd激光器。
[0012]作为优选，所述步骤(6)中的刻蚀在室温进行。
[0013]有益效果:本发明提供的纳米印章的制备方法无需逐行扫描刻蚀，只需曝光一次，即可在大面积上形成图案，降低了制造成本；操作步骤简单，使用方便、灵活，提高压印效率，有利于推广应用。
【具体实施方式】
[0014]实施例一:
[0015]一种纳米印章的制备方法，包括如下步骤:
[0016](I)在基片上放置一层金属铬膜；
[0017](2)在金色铬膜上旋涂一层光刻胶；
[0018](3)用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上；
[0019](4)显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上；
[0020](5)用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀；
[0021](6)刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。
[0022]所述步骤(3)中的全息曝光法采用的是He-Cd激光器。
[0023]所述步骤(6 )中的刻蚀在室温进行。
[0024]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出:对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种纳米印章的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)在基片上放置一层金属铬膜； (2)在金色铬膜上旋涂一层光刻胶； (3)用全息曝光法将图案掩膜转移到光刻胶上； (4)显影，然后用去铬液将光刻图案从光刻胶上转移到铬膜上； (5)用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀； (6)刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。
2.根据权利要求1所述的纳米印章的制备方法，其特征在于:所述步骤(3)中的全息曝光法米用的是He-CM激光器。
3.根据权利要求1所述的纳米印章的制备方法，其特征在于:所述步骤(6)中的刻蚀在室温进行。
【文档编号】G03F7/00GK103529645SQ201310514080
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年10月25日 优先权日:2013年10月25日
【发明者】王晶 申请人:无锡英普林纳米科技有限公司