光学元件及其制造方法、光学系统、成像装置、光学仪器和母盘的制作方法

光学元件及其制造方法、光学系统、成像装置、光学仪器和母盘的制作方法【专利摘要】该光学元件设置有元件主体以及布置在元件主体的表面上的多个亚波长结构。亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物。元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线具有不透明性。其上布置有多个亚波长结构的表面具有用于散射入射光以产生散射光的区域，并且散射光的强度分布具有各向异性。【专利说明】光学元件及其制造方法、光学系统、成像装置、光学仪器和母盘【
技术领域：
】[0001]本技术涉及光学元件及其制造方法、光学系统、成像装置、光学仪器和母盘。具体地，本技术涉及一种具有其上设置有亚波长结构的表面的光学元件。【
背景技术：
】[0002]过去，在光学元件的【
技术领域：
】中，使用各种用于抑制光的表面反射的技术。作为该技术之一，具有在光学元件表面上形成亚波长结构的技术(例如参照非专利文献I)。[0003]一般而言，光学元件表面上可具有周期性凹凸形状。在这种情况下，当光通过其传播时会发生衍射，并且透射光的直线分量大幅减少。然而，当凹凸形状的间距短于透射光的波长时，将不发生衍射，并且从而可获得有效的抗反射效果。[0004]提出将抗反射技术应用于各种光学元件表面以便获得优异的抗反射特性。例如，提出了其中在透镜表面上形成亚波长结构的技术(例如参照专利文献I)。[0005][现有技术文献][0006][专利文献][0007]专利文献1:日本待审专利申请公开N0.2011-002853【
发明内容】[0008]技术问题[0009]近年来，数码相机(数字静物照相机)或数码摄像机等快速普及。因此能够在光学元件表面上提高优异的光学调整功能的技术是优选的。[0010]进一步地，具有在其上形成亚波长结构的表面的诸如透镜、反射镜和滤光器的光学元件可用于成像装置的光学系统。在这种情况下，当采用成像装置拍摄亮点等时，在拍摄的图像中可能会出现条纹亮线噪声或散射噪声。[0011]因此，本技术的第一目的在于提供一种具有优异的光学调整功能的光学元件及其制造方法、光学系统、成像装置、光学仪器和母盘。[0012]进一步地，本技术的第二目的在于提供一种即使在拍摄亮点等时也能够抑制条纹亮线噪声或散射噪声的出现的光学元件及其制造方法、光学系统、成像装置、光学仪器和母盘。[0013]问题的解决方案[0014]为了解决上述问题，根据第一技术，提供了一种光学元件，包括:[0015]元件主体；以及[0016]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0017]其中，亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，[0018]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0019]其中，其上设置有多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域(sect1n),并且[0020]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0021]根据第二技术，提供了一种光学元件的制造方法，包括:[0022]利用能量射线固化性树脂组合物涂布元件主体的表面；以及[0023]通过使旋转母盘的旋转表面旋转并紧贴涂布在元件主体的表面上的能量射线固化性树脂组合物，同时利用从设置在旋转母盘中的能量射线源辐射的能量射线通过旋转母盘的旋转表面照射能量射线固化性树脂组合物，以固化能量射线固化性树脂组合物，来在元件主体的表面上形成多个亚波长结构，[0024]其中，其上设置有多个亚波长结构的表面具有通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0025]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0026]根据第三技术，提供了一种光学系统，包括:[0027]光学元件；以及[0028]成像元件,具有通过光学元件接收光的成像区域(imagingreg1n)；[0029]其中，光学元件包括:[0030]元件主体；以及[0031]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0032]其中，亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，[0033]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0034]其中，其上设置有多个亚波长结构的表面具有通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0035]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0036]根据第四技术，提供了一种包括光学系统的成像装置，该光学系统包括光学兀件以及具有通过光学元件接收光的成像区域的成像设备，[0037]其中，光学元件包括:[0038]元件主体；以及[0039]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0040]其中，亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，[0041]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0042]其中，其上设置有多个亚波长结构的表面具有通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0043]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0044]根据第五技术，提供了一种包括光学系统的光学装置，该光学系统包括光学元件以及具有通过光学元件接收光的成像区域的成像设备，[0045]其中，光学元件包括:[0046]元件主体；以及[0047]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0048]其中，亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，[0049]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0050]其中，其上设置有多个亚波长结构的表面具有通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0051]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0052]根据第六技术，提供了一种母盘，其具有其上设置有多个亚波长结构的旋转表面，[0053]其中，旋转表面被配置为能够透射能量射线，[0054]其中，其上设置有多个亚波长结构的旋转表面具有通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0055]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0056]在本技术中，能量射线固化性树脂组合物是指包括能量射线固化性树脂组合物作为主成分的组合物。作为除能量射线固化性树脂组合物以外的复合成分，可使用例如热固性树脂、硅树脂、有机微粒子、无机微粒子、导电性高分子、金属粉末、颜料的各种材料。然而成分并不限于此，并且可根据期望的层压体的特性来使用各种材料。[0057]进一步地，对于能量射线而言的不透明性是指难以使能量射线固化性树脂组合物固化的程度的不透明性。[0058]单位区域(unitreg1n)优选地为通过使旋转母盘的旋转表面旋转一周而形成的转印区域。作为旋转母盘，优选为使用棍母盘(rollmaster)或带母盘(beltmaster),但可以使用任何事物，只要它具有拥有凹凸形状的旋转表面即可，并且旋转母盘不限于此。[0059]结构的阵列优选地为规则阵列、不规则阵列及其组合。结构的阵列优选地为一维阵列或二维阵列。作为元件主体的形状，优选地使用具有两个主表面的膜状或板状、具有三个或更多个主表面的多面体形状、具有诸如球面和自由曲面的曲面的曲面形状、以及具有平面及球面的多面体形状。优选地，在元件主体的多个主表面上形成成形层。优选地，元件主体至少具有一个平面或曲面，并且在平面或曲面上形成成形层。[0060]在本技术中，在单位区域之间不产生不连贯性(inconsistency,不一致)的情况下，连接成形层的凹凸形状。因此，不存由单位区域之间的不连贯性造成的层压体的特性劣化或形状无序等。因此，可获得具有优异的特性和优异外观的层压体。当凹凸形状对应于透镜或亚波长结构的图案等时，即便在单位区域之间，也可获得优异的光学特性。当凹凸形状通过重复预定形状来设计时，可设计没有不连贯部分的形状。进一步地，在元件主体中，可使用对于能量射线为不透明的材料，并且在元件主体中可使用各种材料。[0061]在本技术中，光学元件具有来自物体的光入射在其上的入射面以及从入射面入射的光从其出射的出射面。优选地，在入射面和出射面中的至少一个上形成亚波长结构。[0062]本技术非常适于应用至光学装置。更具体地，本技术非常适于应用至具有其上形成有亚波长结构的表面的光学元件、具有光学元件的光学系统、具有光学元件或光学系统的成像装置或光学仪器等。光学元件的实例包括透镜、滤光器(例如，ND滤光器等)、半透射镜(semitransparentmirror)、光调制元件、棱镜、偏光元件等,但并不限制于此。成像装置的实例包括数码相机、数码摄像机等，但并不限制于此。光学仪器的实例包括望远镜、显微镜、曝光设备、测量装置、检查装置、分析仪器等，但并不限制于此。[0063]在本技术中，在元件主体的表面上设置多个亚波长结构。因此，在不透明性的光学元件的表面，可提供具有低波长依赖性的优异的光学调整功能。[0064]在本技术中，散射光的强度分布是各向异性的。因此，通过选择光学元件的使用方向，可以抑制散射光的出现。[0065]发明的有益效果[0066]如上所述，根据本技术，可实现具有优异的光学调整功能并且不太可能出现散射的光学元件。【专利附图】【附图说明】[0067]图1A是示出根据本技术的第一实施方式的层压体的配置的实例的顶部平面图。图1B是以放大的方式示出图1A中所示的层压体的一部分的立体图。图1C是以放大的方式示出图1A中所示的层压体的一部分的顶部平面图。图1D是沿着轨迹延伸方向的图1C中所示的层压体的剖面图。[0068]图2A至图2E是分别示出根据本技术的第一实施方式的设置有层压体的基材(substrate)的第一至第五实例的剖面图。[0069]图3是示出根据本技术的第一实施方式的转印设备(transferdevice)的配置的实例的示意图。[0070]图4是示出辊母盘的配置的实例的立体图。图4B是以放大方式示出图4A中所示的辊母盘的一部分的顶部平面图。[0071]图5是示出辊母盘曝光设备的配置的实例的示意图。[0072]图6A至图6D是示出根据本技术的第一实施方式的层压体的制造方法的实例的过程图。[0073]图7A至图7E是示出根据本技术的第一实施方式的层压体的制造方法的实例的过程图。[0074]图8是示出根据本技术的第二实施方式的转印设备的配置的实例的示意图。[0075]图9是示出根据本技术的第三实施方式的转印设备的配置的实例的示意图。[0076]图1OA是示出根据本技术的第四实施方式的层压体的配置的实例的顶部平面图。图1OB是以放大的方式示出图1OA中所示的层压体的一部分的顶部平面图。[0077]图1lA是示出根据本技术的第五实施方式的层压体的配置的实例的剖面图。图1lB是以放大的方式示出图1lA中所示的层压体的一部分的顶部平面图。图1lC是图1lB中所示的层压体的剖面图。[0078]图12是示出根据本技术的第六实施方式的层压体的配置的实例的立体图。[0079]图13A至图13E是分别示出根据本技术的第七实施方式的设置有层压体的基材的第一至第五实例的剖面图。[0080]图14A和图14B是分别示出根据本技术的第八实施方式的设置有层压体的基材的第一和第二实例的剖面图。[0081]图15A和图15B是示出亮线噪声的出现原因的示意图。[0082]图16是示出根据本技术的第九实施方式的成像装置的配置的实例的示意图。[0083]图17A是示出根据本技术的第九实施方式的抗反射光学元件的配置的实例的顶部平面图。图17B是以放大的方式示出图17A中所示的抗反射光学元件的一部分的顶部平面图。图17C是图17B的轨迹T的剖面图。[0084]图18A至图18D是示出抗反射光学元件的结构的形状的实例的立体图。[0085]图19A是以放大的方式示出图16中所示的成像光学系统的一部分的示意图。图19B是示出图19A中所示的成像光学系统的数值孔径NA的定义的示意图。[0086]图20A是从射线Ltl入射的一侧观察的图19A中所示的成像光学系统的示意图。图20B是以放大的方式示出图20A中所示的设置在成像光学系统中的抗反射光学元件的一部分的放大图。[0087]图21A是示出辊母盘的配置的实例的立体图。图21B是以放大的方式示出图21A中所示的辊母盘的一部分的顶部平面图。图21C是图21B的轨迹T的剖面图。[0088]图22A是示出根据本技术的第十实施方式的抗反射光学元件的配置的实例的顶部平面图。图22B是以放大的方式示出图22A中所示的抗反射光学元件的一部分的顶部平面图。图22C是图22B的轨迹T的剖面图。[0089]图23A是示出根据本技术的第十一实施方式的抗反射光学元件的配置的实例的平面图。图23B是以放大的方式示出图23A中所示的抗反射光学元件的一部分的顶部平面图。图23C是图23B的轨迹T的剖面图。[0090]图24A是不出根据本技术的第十二实施方式的抗反射光学兀件的表面的一部分的顶部平面图。图24B是示出虚拟轨迹Ti的定义的示意图。[0091]图25A是示出结构的中心位置的变动范围的示意图。图25B是示出结构的变动率的示意图。[0092]图26A和图26B是示出结构的布置显示的第一实例的示意图。图26C是示出结构的布置形式的第二实例的示意图。[0093]图27A是示出根据本技术的第十三实施方式的抗反射光学元件的表面的一部分的顶部平面图。图27B是示出结构之间的排布间距的变动范围的示意图。[0094]图28是示出根据本技术的第十四实施方式的成像装置的配置的实例的示意图。[0095]图29是示出根据本技术的第十五实施方式的成像装置的配置的实例的示意图。[0096]图30A至图30D是示出ND滤光器的配置的实例的剖面图。[0097]图31A是示出实例I和比较实例I的ND滤光器的透射光谱的示图。图31B是示出实例I和比较实例I的ND滤光器的反射光谱的图。[0098]图32A是示出测试实例1-1的模拟结果的示图。图32B是示出测试实例1_2的模拟结果的示图。[0099]图33A是示出测试实例2-1的模拟结果的示图。图33B是示出作为测试实例2_1的模拟结果的强度分布的图表。[0100]图34A是示出测试实例2-2的模拟结果的图。图34B是示出作为测试实例2_2的模拟结果的强度分布的图表。[0101]图35A是示出测试实例2-3的模拟结果的示图。图35B是示出作为测试实例2_3的模拟结果的强度分布的图表。【具体实施方式】[0102]将参照附图按照下列顺序描述本技术的实施方式[0103]1.第一实施方式(多个结构二维的布置在基材的一个主表面上的层压体的实例)[0104]2.第二实施方式(利用载置台(stage)输送层压体的转印设备的实例)[0105]3.第三实施方式(设置有环形形状的带母盘的转印设备的实例)[0106]4.第四实施方式(多个结构在基材的一个主表面上排布成S形的层压体的实例)[0107]5.第五实施方式(多个结构随机排布在基材的一个主表面上的层压体的实例)[0108]6.第六实施方式(多个结构一维地排布在基材的一个主表面上的层压体的实例)[0109]7.第七实施方式(多个结构二维地排布在基材的两个主表面上的层压体的实例)[0110]8.第八实施方式(其上二维地排布多个不透明的结构的层压体的实例)[0111]9.第九实施方式(其中到达成像区域的散射光减少的光学系统以及具有该光学系统的成像装置的实例)[0112]10.第十实施方式(其中结构排布为四边形格子状或准四边形格子状的实例)[0113]11.第十一实施方式(其中结构形成为凹形的实例)[0114]12.第十二实施方式(其中结构在行阵列方向上变化的实例)[0115]13.第十三实施方式(其中结构在行方向上变化的实例)[0116]14.第十四实施方式(其中结构适用于数码摄像机的光学系统的实例)[0117]15.第十五实施方式(其中到达成像区域的散射光减少的光学系统以及具有该光学系统的成像装置的实例)[0118]〈1.第一实施方式〉[0119][层压体的配置][0120]图1A是示出根据本技术的第一实施方式的层压体的配置的实例的顶部平面图。图1B是以放大的方式示出图1A中所示的层压体的一部分的立体图。图1C是以放大的方式示出图1A中所示的层压体的一部分的顶部平面图。图1D是沿着轨迹延伸的方向的图1C中所示的层压体的剖面图。层压体包括:基材1，具有第一主表面及第二主表面；以及成形层2，其形成在其中一个主表面上并且具有凹凸形状。在下文中，将其上形成成形层2的第一表面适当地称为前表面，将与该前表面相对的第二表面称为后表面。[0121]层压体非常适合应用于压纹表面体(embossedsurfacebody)、设计体(designedbody)、诸如机械元件及医疗元件的模制元件、以及诸如抗反射元件、偏光元件、周期光学元件、衍射元件、成像元件以及波导元件的光学元件。具体地，层压体非常适合应用于诸如中性密度(ND)滤光器、锐截止滤光器和干涉滤光器的各种光量调整滤光器、偏光板、移动电话以及车辆的仪表板的前表面、移动电话等的压花工艺、树脂模制品和玻璃模制品。[0122]层压体例如具有带状形状，被卷绕成辊(roll)并形成为所谓的母盘。层压体优选地为柔性的。由此，可将带状层压体卷绕成辊以便形成为母盘，并且因此提高输送能力或操作性等。[0123]如图1A所示，层压体例如至少具有一个周期(per1d)的转印区域(单位区域)Teo此处，具有一个周期的转印区域Te是通过下述辊母盘旋转一周而进行转印的区域。SP，具有一个周期的转印区域1的长度对应于辊母盘的主表面的长度。在相邻的两个转印区域Te的边界部分处，优选为，不存在成形层2的凹凸形状的不连贯性，并且两个转印区域Te无缝地连接。其原因在于，以此方式，可获得具有优异的特性和优异的外观的层压体。此处，不连贯性是指诸如由结构21形成的凹凸形状的物理结构是不连续的。不连贯性的具体实例例如包括转印区域Te的预定凹凸图案的周期性无序、相邻单位区域之间的重叠或间隙、非转印部等。[0124](基材)[0125]基材I的材料并无特别限制，可根据期望的用途来适当选择。例如，可使用塑料材料、玻璃材料、金属材料、金属化合物材料(例如，陶瓷、磁体，半导体等)。塑料材料的实例包括三乙酸纤维素、聚乙烯醇、聚环烯烃聚合物、环烯烃共聚物、聚碳酸酯、聚乙烯、丙纶、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、甲基丙烯酸树脂、尼龙、聚缩醛、氟树脂、酚醛树脂、聚胺酯、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、三聚氰胺树脂、聚醚醚酮、聚飒、聚醚飒、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物等。玻璃材料的实例包括碱石灰玻璃、铅玻璃、硬质玻璃、石英玻璃和液晶复合玻璃。金属材料以及金属化合物材料的实例包括硅、氧化硅、蓝宝石、氟化钙、氟化镁、氟化钡、氟化锂、硒化锌、溴化钾等。[0126]基材I的形状的实例包括片状、板状和块状，但并非特别限于这些形状。此处，片被定义为包括膜。优选为，基材I作为整体具有带状形状，且朝向基材I的长度方向，将作为单位区域的转印区域Te连续形成在其上。作为基材I的前表面及后表面的形状，例如可以使用平面或曲面。前表面或后表面可形成为平面或曲面。前表面及后表面中的一个可形成为平面，并且其另一个可形成为曲面。[0127]基材I对于用于将用于形成成形层2的能量射线固化性树脂组合物固化的能量射线是不透明的。在本说明书中，能量射线是指用于将用于形成成形层2的能量射线固化性树脂组合物固化的能量射线。例如，在基材I的表面上，可通过印刷、涂布、真空沉积等来形成装饰层或功能层。[0128]基材I具有单层结构或层压层结构。此处，层压层结构是层压两层或更多层的层压层结构。层压层结构中的至少一层是对于能量射线不透明的不透明层。形成层压体的方法的实例包括通过熔融、表面处理等将层之间的间隙直接粘结的方法、以及通过诸如粘附层或粘着层的粘结层将层之间的间隙粘结的方法，但并不特别限制。粘结层可包括诸如吸收能量射线的颜料的材料。进一步地，当基材I具有层压层结构时，可将对于能量射线是透明的不透明层与对于能量射线是透明的透明层进行组合。进一步地，当基材I具有两层或更多层的不透明层时，那些可具有相互不同的吸收特性。基材I对光学元件等的元件主体来说是可优选的。[0129]作为透明层的材料，例如，可以使用诸如丙烯酸树脂涂料的透明有机膜、透明金属膜、无机膜、金属化合物膜、或者其层压体，但并不特别限制材料。作为不透明层的材料，例如可以使用诸如含有颜料的丙烯酸树脂涂料的的有机膜、金属膜、金属化合物膜、或者其层压体，但并不特别限制材料。作为颜料，例如可以使用诸如碳黑的具有光吸收性的材料。[0130]图2A至图2E是分别示出基材的第一至第五实例的剖面图。[0131](第一实例)[0132]如图2A所示，基材I具有单层结构，且整个基材是对于能量射线不透明的不透明层。[0133](第二实例)[0134]如图2B所示，基材I具有双层结构，且包括对于能量射线是不透明的不透明层Ila以及对于能量射线是透明的透明层lib。不透明层Ila设置在后表面侧上，并且透明层Ilb设置在前表面侧上。[0135](第三实例)[0136]如图2C所示，基材I具有双层结构，且包括对于能量射线是不透明的不透明层Ila以及对于能量射线是透明的透明层lib。不透明层Ila设置在前表面侧上，并且透明层Ilb设置在后表面侧上。[0137](第四实例)[0138]如图2D所示，基材I具有三层结构，且包括对于能量射线是透明的透明层lib、以及形成在透明层Ilb的两个主表面上且对于能量射线是不透明的不透明层Ila和11a。一个不透明层Ila设置在后表面侧上，并且另一个不透明层Ila设置在前表面侧上。[0139](第五实例)[0140]如图2E所示，基材I具有三层结构，且包括对于能量射线是不透明的不透明层11a、以及形成在不透明层IIa的两个主表面上且对于能量射线是透明的透明层IIb和IIb。一个透明层Ilb设置在后表面侧上，并且另一个透明层Ilb设置在前表面侧上。[0141](成形层)[0142]成形层2具有其上连续形成有具有预定凹凸图案的转印区域Te的前表面。成形层2例如是其上二维布置有多个结构21的层，且可视需要而在多个结构21与基材I之间设置底层(bottomlayer)22。底层22是在结构21的底部一侧上与结构21—体成形的层，且通过以与结构21类似的方式使能量射线固化性树脂组合物固化而成。底层22的厚度并无特别限制，并且可视需要适当选择。多个结构21例如排布在基材I的表面上，以便形成多个轨迹T。被排布为形成多个轨迹的多个结构21可形成为例如预定的规则排布图案。作为排布图案，例如可使用格子图案。格子图案例如是六边形格子图案、准六边形格子图案、四边形格子图案及准四边形格子图案的至少一种。结构21的高度可在基材I的表面上规则地或不规则地变化。[0143]结构21朝向基材I的表面具有凸形或凹形的形状。结构21可朝向基材I的前表面具有凸形和凹形的形状。结构21的具体形状的实例包括圆锥形、柱形、针形、半球形、半椭圆球形、多边形形等，但并不限于这些形状，并且可采用其他形状。圆锥形状的实例包括顶部较尖的圆锥形状、顶部平坦的圆锥形状、顶部具有拥有凸形或凹形曲面的圆锥形状，但不限于这些形状。进一步地，也可使圆锥形状的圆锥面弯曲成凹形或凸形。可使用下述辊母盘曝光设备(参照图5)制造辊母盘。在这种情况下，优选地采用顶部具有拥有凸形曲面的椭圆锥形状、或顶部平坦的椭圆锥台形状作为结构体21的形状，并且形成其底部的椭圆形的长轴方向设置为与轨迹的延伸方向一致。[0144]结构21之间的间距根据层压体的类型而适当选择。例如，当层压体为用于防止光反射的的亚波长结构的光学元件时，结构21以等于或小于以减少反射为目的的光的波长带的窄排布间距(例如基本上等于可见光的波长的排布间距)周期性地二维排布。以减少反射为目的的光的波长带例如是紫外光的波长带、可见光的波长带或红外光的波长带。此处，紫外光的波长带被定义为1nm至400nm的波长带，可见光的波长带被定义为400nm至830nm的波长带,并且红外光的波长带被定义为830nm至Imm的波长带。[0145]成形层2通过使能量射线固化性树脂组合物固化来形成。优选地，通过推进诸如涂布在基材I上的能量射线固化性树脂组合物的聚合的固化反应从与基材I相对的一侧形成成形层2。原因是，以此方式，可使用对于能量射线为不透明的基材作为基材I。优选地，在固化能量射线固化性树脂组合物，在不引起不连贯性的情况下连接转印区域TE。在固化能量射线固化性树脂组合物时的不连贯性例如是聚合度的差异。[0146]能量射线固化性树脂组合物是通过照射能量射线可固化的树脂组合物。能量射线被定义为能够起到触发自由基聚合反应、阳离子聚合反应、阴离子聚合反应等的作用的能量射线。能量射线包括电子射线、紫外线、红外线、激光束、可见光线、电离放射线(X线、α线、β线、Y线等)、微波、高频波等。能量射线固化性树脂组合物可视需要与其他树脂组合使用。例如可与诸如热固性树脂的其他固化性树脂组合使用。进一步地，能量射线固化性树脂组合物可为有机无机混合材料。进一步地，可将两种或更多种的能量射线固化性树脂组合物组合使用。作为能量射线固化性树脂组合物，优选地使用可通过紫外线来固化的紫外线固化性树脂。[0147]紫外线固化性树脂例如由单官能单体、双官能单体、多官能单体、引发剂等形成。具体地，紫外线固化性树脂由以下材料之一或以下材料的混合物形成。[0148]单官能单体的实例包括羧酸基(酯)、羟基(2-羟基乙基酯，丙烯酸2-羟基丙酯，丙烯酸4-羟基丁基丙烯酸酯)、烷基、脂环基(异丁酯，丙烯酸叔丁酯，丙烯酸异辛酯，丙烯酸月桂酯，丙烯酸硬脂基酯、丙烯酸异冰片酯、环己基丙烯酸酯)、其他官能单体(2-甲氧基乙酯、丙烯酸甲氧基乙二醇酯、丙烯酸2-乙氧基乙酯、丙烯酸四氢糠酯、丙烯酸苄酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基乙酯、N,N-二甲胺基丙烯酸乙酯、N,N-二甲胺基丙基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰吗啉，N-异丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯啶酮、丙烯酸2-(全氟辛基)乙酯、丙烯酸3-全氟己基-2-羟基丙酯、丙烯酸3-全氟辛基-2-羟基丙酯、丙烯酸2-(全氟癸基)乙酯、丙烯酸2-(全氟-3-甲基丁基)乙酯、2，4，6-三溴酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴酚甲基丙烯酸酯、2-(2，4，6-三溴苯氧基)丙烯酸乙酯)、丙烯酸2-乙基己酯等。[0149]双官能单体的实例包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二烯丙醚、聚氨酯丙烯酸酯等。[0150]多官能单体的实例包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇五和六丙烯酸酯、三羟甲基丙烷四丙烯酸酯等。[0151]引发剂的实例包括2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮、1-羟基-环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮等。[0152]进一步地，作为成形层2的材料，不仅可以使用上述能量射线固化性树脂组合物，也可使用在煅烧具有耐热性的全氢聚娃氮烧(perhydropolysiIazane)后能够从其获得无机膜的材料、硅基树脂材料等。[0153]进一步地，能量射线固化性树脂组合物可视需要而包括填料、功能性添加剂、溶齐?、无机材料、颜料、抗静电剂、增感染料等。作为填料，例如可以使用无机微粒子或有机微粒子。无机微粒子的实例包括Si02、Ti02、Zr02、Sn02、Al203等的金属氧化物微粒子。功能性添加剂的实例包括整平剂(levelagent)、表面调整剂、吸收剂、消泡剂等。[0154][转印设备的配置][0155]图3是示出根据本技术的第一实施方式的转印设备的配置实例的示意图。转印设备包括辊母盘101、基材供应辊111、卷绕辊112、导辊113和114、轧辊115、剥离辊116、涂布设备117及能量射线源110。[0156]基材供应辊111将具有片状形状等的基材I卷绕成辊，且通过导辊113设置为连续地递送基材I。卷绕辊112设置为卷绕具有通过转印设备而转印有凹凸形状的成形层2的层压体。导辊113和114设置在转印设备内的输送路径中以输送带状基材I及带状层压体。轧辊115设置为通过辊母盘101夹持从基材供应辊111送出且涂布有能量射线固化性树脂组合物的基材I。辊母盘101具有用于形成成形层2的转印表面，并且一个或多个能量射线源110设置在其中。随后将详细描述辊母盘101。剥离辊116设置为将通过使能量射线固化性树脂组合物118固化所得的成形层2从辊母盘101的转印表面剥离。[0157]基材供应辊111、卷绕辊112、导辊113和114、轧辊115以及剥离辊116的材料并无特别限制，并且可根据期望的辊特性，适当地选择和使用诸如不锈钢的金属、橡胶、硅树脂等。作为涂布设备117，例如可以使用具有诸如涂布机的涂布机构的装置。作为涂布机，例如，考虑在涂布中所使用的能量射线固化性树脂组合物的物理特性等，可以适当使用诸如凹板(gravure)、线棒涂布和染料(dye)的涂布机。[0158][辊母盘的配置][0159]图4A是示出辊母盘的配置实例的立体图。图4B是以放大的方式示出图4A中所示的辊母盘的一部分的顶部平面图。辊母盘101例如是具有圆柱形的母盘，且具有形成在其前表面上的转印表面Sp、及作为形成在与转印表面Sp相对的内侧的内周表面的后表面Si。在辊母盘101的内侧，例如形成通过后表面Si而形成的圆柱状空腔部。因此在该空腔部中可设置一个或多个能量射线源110。在转印表面Sp上形成例如具有凹形或凸形的多个结构102。结构102的形状转印至涂布在基材I上的能量射线固化性树脂组合物，从而形成层压体的成形层2。即，在转印表面Sp上形成具有层压体的成形层2的凹凸形状的相反形状的图案。[0160]辊母盘101对于从能量射线源110辐射的能量射线是透明的，且被配置为从转印表面Sp发射从能量射线源110辐射且入射在后表面Si的能量射线。由于从转印表面Sp发射的能量射线，涂布在基材I上的能量射线固化性树脂组合物118被固化。辊母盘101的材料可以是任何事物，只要对于能量射线是透明的即可，并且不特别限制。作为对于紫外线为透明的材料，优选地使用玻璃、石英、透明树脂或有机无机混合材料等。透明树脂的实例包括聚甲基丙稀酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)等。有机无机混合材料的实例包括聚二甲基硅氧垸(PDMS)等。在辊母盘101的转印表面Sp和后表面Si的至少一个表面上可形成金属膜、金属化合物膜或有机膜。[0161]一个或多个能量射线源110支持在辊母盘101的空腔部内侧以便利用能量射线照射涂布在基材I上的能量射线固化性树脂组合物118。当辊母盘101具有多个能量射线源110时，优选地，能量射线源110被布置成一行或多行。作为能量射线源，可以使用任何事物，只要能够发射诸如电子射线、紫外线、红外线、激光束、可见光线、电离放射线(X线、α线、β线、Y线等)、微波、或高频波等的能量射线即可，但并不特别限制能量射线源。作为能量射线源的形式，例如可使用点状光源和线状光源，但并不特别限制形式，并且可将点状光源与线状光源组合使用。当将点状光源用作能量射线源时，优选地，通过线性地排布多个点状光源来形成线状光源。优选地，线状光源与辊母盘101的旋转轴平行地设置。发射紫外线的能量射线源的实例包括低压水银灯、高压水银灯、短弧放电灯、紫外线发光二极管、半导体激光器、荧光灯、有机电致发光、无机电致发光、发光二极管、光纤等，但不特别限于此。进一步地，通过在辊母盘101中进一步设置狭缝，通过该狭缝，能量射线固化性树脂组合物118可利用从能量射线源110照射的能量射线进行照射。在这种情况下，能量射线固化性树脂组合物118可通过吸收能量射线而产生的热而固化。[0162][辊母盘曝光设备的配置][0163]图5是示出用于制造辊母盘的辊母盘曝光设备的配置实例的示意图。辊母盘曝光设备被配置为光盘记录设备。[0164]激光源31是用于将在作为记录介质的辊母盘101的表面上形成膜的抗蚀剂曝光的光源，并生成用于记录的具有例如λ=266nm的波长的激光104。从激光源31发射的激光104作为平行光束以直线行进，并入射到电子光学元件(Ε0Μ:电子光学调制器)32上。通过电子光学元件32传播的激光104被镜(miir0r)33反射，并被引导至调制光学系统35。[0165]镜33被配置为作为偏振光束分离器，且具有反射一偏振分量并透射另一偏振分量的功能。通过镜33传播的偏振分量由光电二极管34接收。基于光接收信号，通过控制电子光学兀件32执行激光104的相位调制。[0166]在调制光学系统35中，激光104通过聚光透镜36汇聚在由玻璃(S12)等制成的声光元件(Α0Μ:声光调制器)37上。激光104通过声光元件37经历强度调制并被发散，并且此后通过透镜38而转换为平行光束。从调制光学系统35发射的激光104被镜41反射，并且水平地且平行地导入可移动光学台42。[0167]可移动光学台42具有扩束器43及物镜44。导入移动光学台42的激光104通过扩束器43形成为期望的光束形状，并且此后通过物镜44发射到辊母盘101上的抗蚀剂层。棍母盘101放置在与主轴电机45连接的转台(turntable)46上。随后,在使棍母盘101旋转并使激光104在辊母盘101的高度方向上移动的同时，通过利用激光104间歇地照射抗蚀剂层，对抗蚀剂层执行曝光处理。形成的潜影(latentimage)具有大致为椭圆的形状(其在圆周方向上具有长轴)。激光104通过可移动光学台42在箭线R方向的移动来移动。[0168]曝光设备包括例如用于在抗蚀剂层上形成潜影的控制机构47，潜影与图1C中所示的诸如六边形格子或准六边形格子的二维图案对应。控制机构47包括格式器(formatter)39及驱动器40。格式器39包括极性反转部。极性反转部控制利用激光104照射抗蚀剂层的时序。驱动器40接收极性反转部的输出，并控制声光元件37。[0169]在辊母盘曝光设备中，记录设备的旋转控制器与用于每个单个轨迹的极性反转格式器信号同步，从而二维图案空间地连接，并产生信号，由此通过声光元件37执行强度调制。通过以合适的馈入间距(feedpitch)、合适的调制频率和恒定角速度(CAV)的合适旋转数、执行图案化，可以记录六边形格子或准六边形格子图案。例如，为使圆周方向的周期设为315nm,且使相对于圆周方向为约60度方向(约-60度方向)的周期设为300nm,可以使馈入间距设为251nm(毕达哥拉斯定理)。极性反转格式器信号的频率取决于辊的旋转数(例如1800rpm、900rpm、450rpm、225rpm)。例如，分别与棍的旋转数1800rpm,900rpm,450rpm和225rpm对应的极性反转格式器信号的频率为37.70MHz、18.85MHz、9.34MHz和4.71MHz。准六边形格子图案通过以下列方式在期望的记录区域中形成精细的潜影而获得:通过可移动光学台42上的扩束器(BEX)33将远紫外线激光扩大光束直径的5倍，通过具有数值孔径(NA)为0.9的物镜44将其照射至辊母盘101上的抗蚀剂层上。图案的空间频率(圆周的315nm周期、相对于圆周方向的约60度方向(约_60度方向)的300nm周期)是均匀的。[0170][层压体的制造方法][0171]图6A至图7E是示出根据本技术的第一实施方式的层压体的制造方法的实例的过程图。[0172](抗蚀剂膜形成过程)[0173]首先，如图6A所示，设置圆柱状的辊母盘101。其次，如图6B所示，在辊母盘101的表面上形成抗蚀剂层103。作为抗蚀剂层103的材料，可使用例如有机抗蚀剂或无机抗蚀齐U。作为有机抗蚀剂的材料，例如，可以使用酚醛抗蚀剂、化学放大型抗蚀剂等。进一步地，作为无机抗蚀剂，例如，可以使用由一种或多种过渡金属制成的金属化合物。[0174](曝光过程)[0175]其次，如图6C所不,利用激光(曝光光束)104照射形成在棍母盘101的表面上的抗蚀剂层103。具体地，在图5中所示的放置在辊母盘曝光设备的转台46上的状态下，旋转辊母盘101，并且利用激光(曝光光束)104照射抗蚀剂层103。此时，通过间隙地发射激光104，同时使激光104在辊母盘101的高度方向(与具有圆柱形或柱形的辊母盘101的中心轴平行的方向)上移动，曝光抗蚀剂层103的整个表面。由此，以与可见光波长基本上相等的间距，遍及抗蚀剂层103的整个表面形成与激光104的轨迹(locus)相应的潜影105。[0176]例如，形成潜影105以便在母盘表面上形成多个轨迹，并且在其上形成六边形格子图案或准边形格子图案。潜影105例如具有椭圆形状(其长轴指向轨迹的延伸方向)。[0177](显影过程)[0178]接着，将显影液滴在抗蚀剂层103上，同时旋转辊母盘101，并且如图6D所示，抗蚀剂层103经历显影处理。如附图所示，当通过正型抗蚀剂形成抗蚀剂层103时，显影液在被激光104曝光的曝光部中的溶解率(solut1nrate)高于在非曝光部的溶解率。因此，与潜影(曝光部)105对应的图案形成在抗蚀剂层103上。[0179](蚀刻过程)[0180]接着，形成在辊母盘101上的抗蚀剂层103的图案(抗蚀剂图案)被用作掩模，并且辊母盘101的表面经历蚀刻处理。由此，如图7A所示，可以获得凹部(其长轴指向轨迹的延伸方向上并且椭圆锥形状或椭圆锥台形状)、即，可以获得结构102。作为蚀刻，可以使用例如干蚀刻或湿蚀刻。[0181](射线源布置过程)[0182]接着，如图7B所示，在辊母盘101内的容纳空间(空腔部)中布置一个或多个能量射线源110。优选地，能量射线源110与旋转轴I的轴方向或辊母盘101的宽度方向Dw平行地布置。[0183](转印过程)[0184]其次，必要时，涂布有能量射线固化性树脂组合物118的基材I的表面经历诸如电晕处理、等离子处理、火焰(flame)处理、UV处理、臭氧处理或喷射(blast)处理的表面处理。其次，如图7C所示，在长的基材I或辊母盘101上执行能量射线固化性树脂组合物118的涂布或印刷。虽然涂布方法并无特别限制，但可使用例如基材上或母盘上的灌注(potting)、旋涂法、凹板涂布法、模涂(diecoating)法及棒涂法等。作为印刷方法，可使用例如凸版印刷法、平板印刷法、凹板印刷法、凹雕印刷(intagl1printing)法、胶版印刷法、丝网印刷法等。其次，必要时，执行诸如溶剂去除或预烘烤的加热处理。[0185]接着，如图7D所示，在旋转辊母盘101的同时，使转印表面Sp紧密接触于能量射线固化性树脂组合物118，并且从辊母盘101的转印表面Sp—侧利用从辊母盘101内的能量射线源110发射的能量射线照射能量射线固化性树脂组合物118。利用此配置，能量射线固化性树脂组合物118固化，从而形成成形层2。具体地，能量射线固化性树脂组合物118的固化反应从辊母盘101的转印表面Sp—侧朝向基材I的表面一侧顺序地进行，并且经历涂布或印刷的能量射线固化性树脂组合物118整体被固化，从而形成成形层2。底层22的存在/不存在或者底层22的厚度通过例如调整辊母盘101对基材I的表面的压力是可选择的。接着，将形成在基材I上的成形层2从辊母盘101的转印表面Sp剥离。由此，如图7E所示，可以获得其中基材I的表面上形成有成形层2的层压体。在转印过程中，以类似于以上描述的方式，通过将具有带状形状的基材I的长度方向设为辊母盘101的旋转的正方向转印凹凸形状。[0186]此处，将详细描述使用图3中所示的转印设备的转印过程。[0187]首先，自基材供应辊111递送长的基材1，并且递送的基材I在涂布设备117下面通过。接着，在通过涂布设备117下面的基材I上通过涂布设备117而被涂布能量射线固化性树脂组合物118。随后，涂布有能量射线固化性树脂组合物118的基材I通过导辊113朝向棍母盘101输送。[0188]随后，在不在基材I与能量射线固化性树脂组合物U8之间造成气泡的情况下，所输送的基材I夹在辊母盘101与轧辊115之间。其后，在能量射线固化性树脂组合物118紧密接触于棍母盘101的转印表面Sp的同时,沿着棍母盘101的转印表面Sp输送基材I,并且利用从一个或多个能量射线源110辐射的能量射线通过辊母盘101的转印表面Sp照射能量射线固化性树脂组合物118。由此，能量射线固化性树脂组合物118被固化，从而形成成形层2。接着，通过剥离辊116从辊母盘101的转印表面Sp将成形层2剥离，由此可以获得长的层压体。随后，将所获得的层压体通过导辊114朝向卷绕辊112输送，并且通过卷绕辊112卷绕长的层压体。由此，可以获得卷绕着长层压体的母盘。[0189]〈2.第二实施方式〉[0190]图8是示出根据本技术的第二实施方式的转印设备的配置实例的示意图。转印设备包括棍母盘101、涂布设备117及输送台(transportstage)121。在第二实施方式中，与第一实施方式相同的部件将通过相同的参考符号和标号来标记，并且省略其说明。输送台121被配置为朝向箭线a的方向输送放置在输送台121上的基材I。[0191]接着，将描述具有配置的转印设备的操作的实例。[0192]首先，在涂布设备117下面通过的基材I通过涂布设备117而涂布能量射线固化性树脂组合物118。接着，涂布有能量射线固化性树脂组合物118的基材I朝向辊母盘101输送。接着，在能量射线固化性树脂组合物118紧密接触辊母盘101的转印表面Sp的同时进行输送，并且利用从设置于辊母盘101中的一个或多个能量射线源110辐射的能量射线通过辊母盘101的转印表面Sp照射能量射线固化性树脂组合物118。由此，能量射线固化性树脂组合物118被固化，从而形成成形层2。接着，通过沿着箭头a的方向输送该输送台，从辊母盘101的转印表面Sp将成形层2剥离。由此可以获得长的层压体。接着，必要时，将所得的层压体切割为预定大小或形状。以此方式，可以获得期望的层压体。[0193]〈3.第三实施方式〉[0194]图9是示出根据本技术的第三实施方式的转印设备的配置实例的示意图。该转印设备系包括棍131、132、134、135、作为带母盘(beltmaster)的压纹带(embossedbelt)133、平坦带136、一个或多个能量射线源110及涂布设备117。在第三实施方式中，与第一实施方式相同的部件将通过相同的符号和标号来标记，且省略其说明。[0195]压纹带133是带母盘的实例并具有环形形状。在其外周面上例如二维地排布多个结构102。压纹带133对于能量射线是透明的。平坦带136具有环形形状，且其外周表面形成为平面。在压纹带133与平坦带136之间形成基本上等于基材I的厚度的间隙，并且涂布有能量射线固化性树脂组合物118的基材I可在带之间行进。[0196]辊131与辊132分开地布置。辊131与辊132通过其内周表面支持压纹带133，并且压纹带133保持为延长的椭圆形等。通过驱动设置在压纹带133内部的辊131与辊132的旋转，压纹带133被配置为旋转。[0197]辊134和辊135分别布置成与辊131和辊132相对。辊134与辊135通过其内周表面支持平坦带136，并且平坦带136保持为延长的椭圆形等。通过驱动设置在平坦带136内部的辊134与辊135的旋转，平坦带136被配置为旋转。[0198]在压纹带133的内部，布置一个或多个能量射线源110。一个或多个能量射线源110保持为利用能量射线照射在压纹带133与平坦带136之间行进的基材I。优选地，诸如线状光源的能量射线源110与压纹带133的宽度方向平行地布置。可允许能量射线源110的任意排布，只要在由压纹带133的内周面形成的空间内进行排布即可，并且不特别限制。例如，可以在辊131及辊132的至少一个的内部进行排布。在这种情况下，优选地，由对于能量射线为透明的材料形成辊131及辊132。[0199]接着，将描述具有上述配置的转印设备的操作的实例。[0200]首先，在涂布设备117下面通过的基材I通过涂布设备117而涂布能量射线固化性树脂组合物118。接着，涂布有能量射线固化性树脂组合物118的基材I从辊131和134一侧被输送到正在旋转的压纹带133与平坦带136之间的间隙中。由此，压纹带133的转印表面与能量射线固化性树脂组合物118紧密接触。接着，在维持紧密接触状态的同时，利用从能量射线源110辐射的能量射线通过压纹带133照射能量射线固化性树脂组合物118。由此，能量射线固化性树脂组合物118被固化，从而在基材I上形成成形层2。接着，将压纹带133从成形层2剥离。由此，可以获得期望的层压体。[0201]〈4.第四实施方式〉[0202]图1OA是示出根据本技术的第四实施方式的层压体的配置实例的顶部平面图。图1OB是以放大的方式示出图1OA中所示的层压体的一部分的顶部平面图。根据第四实施方式的层压体与根据第一实施方式的层压体的不同之处在于，结构21排布成S形轨迹(在下文中，称为弯曲(meandering)轨迹)。优选地,基材I上的各个轨迹的弯曲为同步的。SP,优选地，弯曲为同步弯曲。如上所述，通过使弯曲同步，保持诸如六边形格子或准六边形格子的单位格子形状，并且因此可以将填充率(fillingrate)保持为较高。弯曲轨迹的波形的实例包括正弦波、三角波等，但并不限于此。弯曲轨迹的波形并不限于周期性波形，并且可为非周期性波形。[0203]除了上述描述之外，第四实施方式与第一实施方式相同。[0204]<5.第五实施方式>[0205]图1lA是示出根据本技术的第五实施方式的层压体的配置实例的剖面图。图1lB是以放大的方式示出图1lA中所示的层压体的一部分的顶部平面图。图1lC是图1lB中所示的层压体的剖面图。根据第四实施方式的层压体与根据第一实施方式的层压体的不同之处在于，多个结构21以随机的(不规则的)方式二维地排布。进一步地，可随机地改变结构21的大小和/或高度。[0206]除了以上描述之外，第五实施方式与第一实施方式相同。[0207]<6.第六实施方式>[0208]图12是示出根据本技术的第六实施方式的层压体的配置实例的立体图。如图12所示，根据第六实施方式的层压体与根据第一实施方式的层压体的不同之处在于，在基材表面上设置具有在一个方向延伸的柱形的结构21,并且结构21—维地排布在基材I上。[0209]结构21的剖面形状的实例包括三角形状、顶部具有曲率R的三角形状、多边形形状、半圆形状、半椭圆形状、抛物线形状、环形等，但并不特别限制。进一步地，结构21可以弯曲的方式在一个方向上延伸。[0210]除以上描述之外，第六实施方式与第一实施方式相同。[0211]〈7.第七实施方式〉[0212]图13A至图13E是分别是示出根据本技术的第七实施方式的设置有层压体的基材的第一至第五实例的剖面图。根据第七实施方式的层压体与根据第一实施方式的层压体的不同之处在于，在基材I的两个主表面上二维地排布多个结构21。具体地，除了在基材I的两个主表面上二维地排布多个结构21以外，第一至第五实例的层压体分别与根据上述第一实施方式的层压体的第一至第五实例相同(参照图2)。[0213]例如，可以下列方式制造根据第七实施方式的层压体。首先，在输送具有带状形状的基材I时，基材I的两个表面被涂布能量射线固化性树脂组合物。接着，被布置成接近基材I的两个表面的旋转母盘(例如辊母盘或带母盘)的转印表面紧密接触能量射线固化性树脂组合物，利用来自旋转母盘内的能量射线源的能量射线照射能量射线固化性树脂组合物。由此，能量射线固化性树脂组合物被固化，从而形成结构21。另外，两个旋转母盘可被布置成与介于其间的基材I相对，并且形状可在基材I夹持在两个母盘之间时转印到能量射线固化性树脂组合物上。[0214]除以上的描述之外，第七实施方式与第一实施方式相同。[0215]〈8.第八实施方式〉[0216]图14A是示出根据本技术的第八实施方式的设置有层压体的基材的第一实例的剖面图。图14B是示出根据本技术的第八实施方式的设置有层压体的基材的第二实例的剖面图。根据第八实施方式的层压体与根据第一实施方式或第七实施方式的层压体的不同之处在于，结构21对于能量射线是不透明的。不透明结构21可通过例如将吸收能量射线的诸如颜料的材料添加至能量射线固化性树脂组合物中来形成。[0217]除了以上描述之外,第八实施方式与第一实施方式相同。[0218]〈9.第九实施方式〉[0219](第九实施方式的概述)[0220]第九实施方式基于以下检查的结果来设计。本技术的技术人员对如图15A所示的成像光学系统执行锐意检查(keenexaminat1n),以抑制条纹亮线噪声的出现。成像光学系统包括:半透射镜(光学元件)601，其入射面上具有形成在其上的亚波长结构；以及成像设备602。结果,发现如下情形:当来自诸如亮点(brightspot)的光源的光L入射在半透射镜601的入射面上时，产生散射光Ls，所产生的散射光Ls到达成像设备602的成像区域(光接收区域)，并且随后为白色的散射光Ls在由成像设备602拍摄的图像中呈现为亮线噪声。[0221]因此，本技术的技术人员对由半透射镜601产生的散射光Ls的出现原因进行锐意检查。结果，发现以下情形:亚波长结构之间的排布间距Tp的变动是散射光Ls的出现原因。即，当使用光刻技术制造母盘时，由于曝光时的馈入间距的精度方面的问题，如图15B所示，导致亚波长结构603之间的排布间距Tp变动。如上所述，当排布间距Tp变动时，存在其中排布间距Tp大于理想排布间距Tp的区域(sect1n)。当利用来自诸如亮点的光源的光L照射其中排布间距Tp大的这种区域时，产生散射光Ls。[0222]因此，考虑到上述亮线噪声出现的原因，本技术的技术人员执行锐意检查，以抑制亮线噪声的出现。结果，发现如下情形:通过调整亚波长结构603的形状等，使到达成像区域的散射光Ls的分量相比到达成像区域之外的散射光Ls的分量减少，可以抑制亮线噪声的出现。[0223](成像装置的配置)[0224]图16是示出根据本技术的第九实施方式的成像装置的配置实例的示意图。如图16所示，根据第九实施方式的成像装置300是所谓的数码相机(数字静物照相机)，并且包括:外壳301、镜筒303以及设置在外壳301和镜筒303内的成像光学系统302。成像光学系统302包括:透镜311、抗反射光学元件201、成像设备312和自动调焦传感器313。外壳301与镜筒303可配置为是可拆卸的。[0225]透镜311使来自物体的光L朝向成像设备312汇聚。抗反射光学元件201使通过透镜311汇聚的光L的一部分朝向自动调焦传感器313反射，同时使光L的剩余部分朝向成像设备312传播。成像设备312具有接收通过抗反射光学元件201传播的光的矩形的成像区域A1，且将在成像区域A1中接收的光转换为电信号，并将信号输出至信号处理电路。自动调焦传感器313接收由抗反射光学元件201反射的光，并将所接收的光转换为电信号，并将信号输出至控制电路。[0226](抗反射光学元件)[0227]在下文中，将详细描述根据第九实施方式的抗反射光学元件201的配置。[0228]图17A是示出根据本技术的第九实施方式的抗反射光学元件的配置实例的顶部平面图。图17B是以放大的方式示出图17A中所示的抗反射光学元件的一部分的顶部平面图。图17C是图17B的轨迹T的剖面图。[0229]抗反射光学元件201包括:具有入射面和出射面的半透射镜(元件主体)202;以及形成在该半透射镜202的入射面上的多个结构203。结构203和半透射镜202单独地或整体地形成。在单独地形成结构203与半透射镜202时，必要时，在结构203与半透射镜202之间进一步设置底层204。底层204是在结构203的底侧上与结构203整体形成的层，且通过以与结构203类似的方式通过固化能量射线固化性树脂组合物来形成。具有凹凸形状的成形层210由半透射镜202的入射面上的结构203形成。必要时，成形层210可进一步包括底层204。[0230]在下文中，将按优先顺序描述设置在抗反射光学元件201中的半透射镜202和结构203。[0231](半透射镜)[0232]半透射镜202对于例如用于固化构成结构203的能量射线固化性树脂组合物的能量射线(例如紫外线等)是不透明的。半透射镜202是透射部分入射光并反射剩余部分的入射光的镜。半透射镜202的形状的实例包括片状和板状，但并非特别限制于这些形状。此处，片状被定义为包括膜。[0233](结构)[0234]结构203是所谓的亚波长结构，例如具有朝向半透射镜202的入射面凸起的形状，并且二维地排布在半透射镜202的入射面上。优选地，结构203以等于或小于作为减少反射的目标的光的波长带的窄排布间距周期性地二维排布。[0235]多个结构203具有在半透射镜202的表面上形成多个轨迹T的排布形式。由于母盘制作过程中曝光时的问题，如图17B所示，轨迹T之间的轨迹间距Tp根据轨迹之间的间隙变动。在本技术中，轨迹是指结构203排布成行的部分。作为轨迹T的形状，可使用直线形状、圆弧形状等，并且具有这种形状的轨迹可以弯曲的方式(S形)排布。如上所述，通过以弯曲的方式排布轨迹T，可以抑制从外部观看的不均的出现。[0236]在以弯曲的方式排布轨迹T时，优选地，半透射镜202上的各个轨迹T的弯曲为同步的。即，优选地，弯曲为同步的弯曲。如上所述，通过使弯曲同步，维持诸如六边形格子或准六边形格子的单位格子形状，并且因此可以将填充率保持为较高。弯曲轨迹T的波形的实例包括正弦波、三角波等。弯曲轨迹T的波形并不限于周期性波形，并且可为非周期性波形。弯曲的轨迹T的弯曲幅度选择为例如±10μm左右。[0237]半透射镜202的表面具有其中通过散射来自诸如亮点的光源的入射光来产生散射光的一个或多个区域。在该区域中，例如轨迹间距Tp变动为大于参考轨迹间距Tp。由于母盘制作过程中曝光时的问题而出现这种的区域，因此难以将该区域的出现抑制为亮线噪声的出现被消除或者可忽视的程度。[0238]例如，结构203被排布为在相邻的两个轨迹T之间偏移半个间距。具体地，在相邻的两个轨迹T中，在排布在一个轨迹(例如Tl)上的结构203的中心位置(偏移半个间距的位置)之间，放置在另一轨迹(例如Τ2)的结构203。结果，如图17Β所示，在相邻的3个轨迹(Tl至Τ3)中，结构203排布成其中结构203的中心位于al_a7的各个点的六边形格子图案或准六边形格子图案。在下文中，结构的行的延伸方向(轨迹的延长方向)被称为轨迹方向(行方向)a，并且半透射镜202的表面中的与轨迹方向a垂直的方向被称为轨迹阵列方向(行阵列方向)b。[0239]此处，六边形格子是指正六边形格子。与正六边形格子相反，准六边形格子是指变形的正六边形格子。例如，在结构203线性地排布时，准六边形格子是指具有其中正六边形格子变形为在线性阵列方向(轨迹方向)上拉伸的形状的六边形格子。在结构203被排布为S形时，准六边形格子是指具有其中正六边形格子通过结构203的S形阵列而变形的形状的六边形格子，或者具有其中正六边形格子变形为在线性阵列方向(轨迹方向)上拉伸并且通过结构203的S形阵列而变形的形状的六边形格子。[0240]在结构203被排布为形成准六边形格子图案时，如图17B所示，优选地，在同一轨迹中的结构203之间的排布间距Pl(例如al与a2之间的距离)长于在相邻两个轨迹之间的结构203之间的排布间距，即结构203在相对于轨迹的延伸方向为土Θ的方向上的之间的排布间距P2(例如al与a7之间的距离或者a2与a7之间的距离)。通过以此方式排布结构203,可以进一步提高结构203的填充密度(fillingconcentrat1n)。[0241]结构203的具体形状的实例包括圆锥形、柱形、针形、半球形、半椭圆形、多边形等，但并不限于这些形状，并且可采用其他形状。圆锥形的实例包括其顶部较尖的圆锥形、其顶部平坦的圆锥形以及其顶部具有拥有凸形或凹形的曲面的圆锥形，但并不限定于这些形状。其顶部具有拥有凸形的曲面的圆锥形的实例包括诸如抛物面形的2次曲面形状。进一步地，圆锥形的圆锥面可弯曲成凹形或凸形。可使用上述辊母盘曝光设备(参照图5)制造辊母盘。在这种情况下，作为结构203的形状，优选地采用其顶部具有拥有凸形的曲面的椭圆锥形状、或其顶部平坦的椭圆锥台形状，并且形成其底部的椭圆的长轴方向与轨迹T的延伸方向一致。[0242]从反射特性提高的观点而言，如图18A所示，优选地使用其倾斜度在顶部平缓并且倾斜度从中间部分至底部逐渐变陡的圆锥形状。进一步地，从反射特性和透射特性提高的观点而言，如图18B所示，优选地使用其在中间部分的倾斜度比在底部和顶部的倾斜度更陡的圆锥形状、或者如图18C所示的其顶部为平坦的圆锥形状。在结构203具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状时，优选地，其底部的长轴方向被设置为与轨迹的延伸方向平行。[0243]优选地，如图18A和图18C所示，结构203在底部的外周部分处具有弯曲部203a，其中，高度从顶部朝向下部平缓降低。其原因在于，在抗反射光学元件201的制造过程中，可将抗反射光学元件201容易地从母盘等剥离。应注意，弯曲部203a可设置在结构203的外周部分的一部分上。然而，从剥离特性提高的观点而言，优选地，弯曲部设置在结构203的整个外周部分上。[0244]优选地，在结构203的部分或整个外周上设置突出部205。其原因在于，以此方式，即使当结构203的填充率较低时，也可以抑制反射率。从形状形成的容易性的观点而言，优选地，突出部205设置在彼此相邻的结构203之间，如图18A至图18C所示。进一步地，如图18D所示，延长的突出部205可设置在结构203的部分或整个外周上。延长的突出部205例如可被配置为从结构203的顶部朝向下部延伸，但并不限于此。突出部205的形状的实例包括剖面三角形、剖面四边形等，但并不特别限制于这些形状，并且可考虑形状成形的容易性等来选择。进一步地，可通过粗糙化结构203周围的部分或全部表面来形成精细的凹凸形状。具体地，例如，彼此相邻的结构203之间的表面可被粗糙化并形成为精细的凹凸形状。进一步地，可在结构203的表面上(例如顶部)形成小孔。[0245]应注意，在图17A至图18D中，每个结构203具有相同的大小、形状及高度，但结构203的形状并不限于此，并且可在基材表面形成具有两种或更多种大小、形状及高度的结构203。[0246]例如，结构203以等于或小于作为减少反射的目标的光的波长带的窄排布间距规则性(周期性)地二维排布。可通过以此方式二维排布多个结构203，在半透射镜202的表面上形成二维的波前(wavefront)。此处，排布间距是指排布间距Pl和排布间距P2。作为减少反射的目标的光的波长带例如是紫外光的波长带、可见光的波长带或红外光的波长频带。此处，紫外光的波长带被定义为1nm至360nm的波长带，可见光的波长带被定义为360nm至830nm的波长带,红外光的波长带被定义为830nm至Imm的波长带。具体地，排布间距优选地等于或大于175nm并且等于或小于350nm。当排布间距小于175nm时，则存在难以产生结构203的趋势。另一方面，当排布间距大于350nm时，则存在出现可见光的衍射的趋势。[0247]在轨迹的延长方向上的结构203的高度Hl优选地小于在行方向上的结构203的高度H2。S卩，结构203的高度HI和H2优选地满足H1〈H2的关系。当结构203被排布成满足Hl彡H2的关系时，则必需增加在轨迹的延伸方向的排布间距P1。因此，在轨迹的延伸方向上的结构203的填充率降低。如上所述，当填充率降低时，这导致反射特性的劣化。[0248]结构203的高度并无特别限制，并且可根据要传播的光的波长区域来适当设定。例如，高度被设定为在236nm以上并且450nm以下的范围内、优选地在415nm以上并且42Inm以下的范围内。[0249]结构203的纵横比(高度/排布间距)优选地设定为在0.81以上并且1.46以下的范围内，更优选地在0.94以上并且1.28以下的范围。其原因在于，若小于0.81，则反射特性及透射特性趋于劣化，并且若大于1.46，则在形成结构203时的剥离特性劣化，并且复制品(replica)的复制物(replicat1n)往往是不完美的。进一步地，从进一步提高反射特性的观点而言，结构203的纵横比优选地设定在0.94以上并且1.46以下的范围内。进一步地，从进一步提高透射特性的观点而言，结构203的纵横比优选地设定在0.81以上并且1.28以下的范围内。[0250]此处，高度分布是指具有两个或更多个高度的结构203设置在半透射镜202的表面上。例如，具有参考高度的结构203以及具有与结构203的参考高度不同的高度的结构203可设置在半透射镜202的表面上。在这种情况下，例如，具有与参考不同的高度的结构203可周期性或非周期性(随机地)地设置在半透射镜202的表面上。周期性的方向的实例包括轨迹的延伸方向、行方向等。[0251]应注意，在本技术中，纵横比由以下表达式(I)定义。[0252]纵横比=H/Pm(l)[0253]其中，H是结构的高度，并且Pm是平均排布间距(平均周期)。[0254]此处，平均排布间距Pm由以下表达式⑵定义。[0255]平均排布间距Pm=(P1+P2+P2)/3(2)[0256]其中，Pl是在轨迹的延伸方向上的排布间距(轨迹延伸方向周期)，P2是在相对于轨迹的延伸方向为土Θ的方向(其中，Θ=60°-5，此处，6优选为0°<δ彡11°，并且更优选为3°彡δ彡6°)上的排布间距(Θ方向周期)。[0257]进一步地，结构203的高度H被设为结构203在行方向上的高度。结构203在轨迹延伸方向(X方向)上的高度小于其在行方向(Y方向)上的高度。进一步地，结构203在除轨迹延伸方向以外的部分的高度与其在行方向的高度大致相同。因此，亚波长结构的高度由其在行方向上的高度为代表。此处，当结构203为凹部时，表达式(I)中的结构的高度H被设为结构的深度H。[0258]假设在同一轨迹上的结构203之间的排布间距为P1，并且相邻两个轨迹之间的结构203之间的排布间距为P2，优选地，比率P1/P2满足1.00(P1/P2<1.1或1.00<P1/P2^1.1的关系。通过将该比率设定在此数值范围内，可以提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构203的填充率。因此，可以提高抗反射特性。[0259]假设100%为上限，基材表面上的结构203的填充率在65%以上的范围内，优选地在73%以上的范围内、更优选地在86%以上的范围内。通过将填充率设定在此范围内，可以提高抗反射特性。为了提高填充率，优选地，相邻的结构203的下部彼此连接或重叠，或者通过结构底部的椭圆率的调整等使结构203变形。[0260]此处，结构203的填充率(平均填充率)是以如下的方式计算的值。[0261]首先，利用扫描型电子显微镜(SEM)以俯视图拍摄抗反射光学元件201的表面。接着，从拍摄的SEM图片中，随机地选取单位格子Uc，并且测量单位格子Uc的排布间距Pl和轨迹间距Tp(参照图17Β)。进一步地，通过图像处理测量位于该单位格子Uc的中心处的结构203的底部的面积S。接着，利用所测量的排布间距Ρ1、轨迹间距Tp以及底部的面积S，通过以下表达式(3)来计算填充率。[0262]填充率=(S(hex.)/S(unit))X100(3)[0263]单位格子面积:S(unit)=PlX2TP[0264]在单位格子内的结构的底部的面积:S(hex.)=2S[0265]对从拍摄的SEM图片中随机地选取的10个单位格子执行上述填充率计算的处理。随后，通过简单地将所测量的值求平均(计算其算术平均值)来计算填充率的平均率(averagerate)，且将该平均率用作基材表面上的结构203的填充率。[0266]当结构203重叠或在结构203之间存在诸如突出部205的子结构时，可通过以下方法计算填充率:通过将对应于结构203的高度的5%的值设为阈值来确定面积比。[0267]优选地，结构203的下部连接为彼此重叠。具体地，优选地，相邻的结构203的某些或全部下部彼此重叠，并且优选地，下部在轨迹方向、Θ方向、或这两个方向上彼此重叠。通过以此方式使结构203的下部彼此重叠，可以提高结构203的填充率。优选地，在其中考虑折射率的光路长度的使用环境中，结构在对应于光的波长带的最大值的1/4的部分处彼此重叠。原因在于，以这种方式，可以获得优异的抗反射特性。[0268]直径2r与排布间距Pl的比率((2r/Pl)X100)等于或大于85%，优选地等于或大于90%，并且更优选地等于或大于95%。通过将比率设定在此范围，可以提高结构203的填充率，并且可以提高抗反射特性。当比率((2r/Pl)X100)增大时，结构203的重叠部分过度增大，并且因此抗反射特性趋于降低。因此，优选地，在其中考虑折射率的光路长度的使用环境下，比率((2r/Pl)X100)的上限被设置为使得结构在对应于光的波长带的最大值的1/4的部分处彼此连接。此处，排布间距Pl是如图17B所示的在轨迹方向上的结构203之间的排布间距，并且直径2r是如图17B所示的在轨迹方向上的结构底部的直径。应注意，当结构底部为圆形时，直径2r为直径，在结构底部为椭圆形时，直径2r为长径。[0269](成像光学系统)[0270]图19A是以放大的方式示出图16中所示的成像光学系统的一部分的示意图。图20A是从射线Ltl入射的一侧观察的图19A中所示的成像光学系统的示意图。图20B是以放大的方式示出设置在图20A中所示的成像光学系统中的抗反射光学元件的一部分的放大图。在图19A中，射线Ltl表示来自物体的主射线，射线Lmin表示其对于抗反射光学元件201的入射角最小的射线，并且射线Lmax表示其对于抗反射光学元件201的入射角最大的射线。进一步地，将与具有矩形形状的成像区域A1的长边平行的方向定义为X轴方向，并且将与短边平行的方向定义为Y轴方向。进一步地，将与成像设备312的成像表面垂直的方向定义为Z轴方向。[0271]抗反射光学元件201的入射面具有其中通过散射入射光来产生散射光Ls的一个或多个区域。优选地，散射光Ls中到达成像区域A1的分量之和小于到达成像区域外部的区域A2的分量之间。由此，可以抑制所捕捉的图像中的亮线噪声的出现。[0272]从抑制亮线噪声的出现的观点而言，优选地，在成像区域A1中的散射光Ls的强度分布的最大值小于在成像区域A1外部的区域A2中的散射光Ls的强度分布的最大值。[0273]如图19A所示，散射光Ls在X轴方向上几乎不扩散并到达包括成像设备312的成像表面的平面。因此，散射光Ls的强度分布主要仅在Y轴方向上变化。即，散射光Ls的强度分布在X轴方向与Y轴方向上不同，并且是各向异性的。在本说明书中，强度分布是指Y轴方向上的强度分布。[0274]被抗反射光学元件201的表面散射的散射光Ls的总强度Ib与入射在抗反射光学元件201的表面上的入射光的总强度Ia的比率(Ib/Ia)，优选地在小于1/500的范围内，更优选地在1/5000以下的范围内，并且仍更优选地在1/105以下的范围内。通过将比率(Ib/Ia)设为小于1/500，可以抑制条纹亮线噪声的出现。[0275]图19B是示出图19A中所示的成像光学系统的数值孔径NA的定义的示意图。此处，如图19B所示，将抗反射光学元件201和成像设备312的光轴定义为光轴I。将被抗反射光学元件201的入射面散射的散射光Ls的方向定义为散射方向S。将在光轴I的方向与散射光Ls的方向之间形成的角定义为角度δ。将数值孔径NA定义为nsinδ(η:抗反射光学元件201与成像设备312之间的介质(例如空气)的折射率)。[0276]各向异性的散射光Ls的强度分布根据数值孔径NA而不同。在这种情况下，优选地，散射光的强度分布的每单位立体角的强度在数值孔径ΝΑ>0.8的范围相比在数值孔径NA^0.8的范围内更小。其原因在于，可以减少到达成像设备312的成像区域A1的散射光Ls的光量。[0277]如图20A所示，成像区域A1例如具有拥有两组彼此面对的边(即一组短边与一组长边)的矩形形状。在这种情况下，结构203的轨迹方向a与作为两组边中的其中一组边的长边的延伸方向(X轴方向)平行。由此，散射光Ls可朝向具有窄宽度的成像区域A1的短边的延伸方向(Y轴方向)散射以与光轴I分离。因此，可以减少到达成像设备312的成像区域A1的散射光Ls的光量。[0278]如上所述，在结构203的轨迹方向a与成像区域A1的长边的延伸方向(X轴方向)平行时，如图20B所示，(a)优选地，结构203形成为具有拥有椭圆形状(具有长轴与短轴)的底部的锥形，(b)优选地，底部的长轴的方向与轨迹方向a—致。(a)通过将结构203形成为具有拥有椭圆形状(具有长轴与短轴)的底部的锥形，与将结构203的底部形成为圆形等的情况相比，可以使轨迹间距Tp变窄。由此，与将结构203的底部形成为圆形等的情况相比，来自诸如亮点的光源的射线Ltl可被散射为进一步与光轴I分离。(b)通过使结构203的底部的长轴的方向与轨迹方向a—致，来自诸如亮点的光源的射线Ltl可朝向具有窄宽度的成像区域仏的短边的延伸方向(Y轴方向)散射。因此，利用上述配置(a)与(b)的组合，相比将结构203的底部形成为圆形的情况相比，来自诸如亮点的光源的射线Ltl可朝向Y轴方向散射以与光轴I分离。因此，可以进一步减少到达成像设备312的成像区域A1的散射光Ls的光量。[0279][辊母盘的配置][0280]图21A是示出辊母盘的配置实例的立体图。图21B是以放大的方式示出图21A中所示的辊母盘的一部分的顶部平面图。图21C是图21B的轨迹T的剖面图。辊母盘211是用于在基材表面上形成多个结构203的母盘。辊母盘211具有例如圆柱形或柱形形状。圆柱形表面或柱形表面形成为用于在基材表面上形成多个结构203的成形表面(旋转表面)。在该成形表面上二维排布多个结构212。结构212例如具有朝向成形表面凹入的形状。作为辊母盘211的材料，可采用例如玻璃，但材料并不特别限制于此。[0281]排布在辊母盘211的成形表面上的多个结构212与排布在上述半透射镜202的表面上的多个结构203具有相反的凹凸关系。即，辊母盘211的结构212的形状、阵列、排布间距等与半透射镜202的结构203的那些相同。[0282]当辊母盘211的成形表面与涂布在半透射镜(元件主体)202的表面上的能量射线固化性树脂组合物紧密接触地旋转时，通过成形表面利用从设置在成形表面内部的能量射线源辐射的能量射线照射能量射线固化性树脂组合物，从而固化能量射线固化性树脂组合物。以这种方式，可以获得设置在多个结构203的表面上的抗反射光学元件201。[0283]辊母盘211被配置为透射能量射线。其上设置有多个结构(例如，亚波长结构)212的成形表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域。优选地，散射光的强度分布为各向异性的。[0284][曝光设备的配置][0285]用于制造图21A中所示的辊母盘的辊母盘曝光设备的配置与上述第一实施方式的配置相同。[0286][抗反射光学元件的制造方法][0287]除了在半透射镜202的表面上形成多个结构203之外，根据本技术的第九实施方式的抗反射光学元件201的制造方法与上述第一实施方式的制造方法相同。[0288]应注意，上述轨迹间距Tp的变动是由在曝光过程中的激光的照射问题产生的。通过曝光条件的调整难以将轨迹间距Tp的变动降低至亮线噪声的出现被消除或可忽视的程度。为此，在本实施方式中，通过采用上述技术来抑制亮线噪声的出现。[0289]<10.第十实施方式>[0290][抗反射光学元件的配置][0291]图22A是示出根据本技术的第十实施方式的抗反射光学元件的配置实例的顶部平面图。图22B是以放大的方式示出图22A中所示的抗反射光学元件的一部分的顶部平面图。图22C是图22B的轨迹T的剖面图。[0292]根据第十实施方式的抗反射光学元件201与第九实施方式的抗反射光学元件201的不同之处在于:多个结构203在相邻的3个轨迹T之间形成四边形格子图案或准四边形格子图案。[0293]此处，四边形格子是指正四边形格子。与正四边形格子相反，准四边形格子是指变形的正四边形格子。例如，在线性地排布结构203时，准四边形格子是指具有其中正四边形格子变形为在线性阵列方向(轨迹方向)上拉伸的形状的四边形格子。在结构203排布成S形时，准四边形格子是指具有其中正四边格子通过结构203的S形阵列而变形的形状的四边形格子。可替代地，它是指具有其中正四边形格子变形为在线性阵列方向(轨迹方向)上拉伸并且通过结构203的S形阵列而变形的形状的四边形格子。[0294]优选地，在同一轨迹上的结构203之间的排布间距Pl长于在相邻的两个轨迹之间的结构203之间的排布间距P2。进一步地，假设在同一轨迹上的结构203之间的排布间距为P1，并且在相邻的两个轨迹之间的结构203之间的排布间距为P2，优选地，P1/P2满足1.4<P1/P2(1.5的关系。通过将比率设定在此数值范围内，可以提高具有椭圆锥或椭圆锥台形状的结构203的填充率。因此，可以提高抗反射特性。进一步，优选地，结构203在相对于轨迹为45度的方向或约45度的方向上的高度或深度小于结构203在轨迹的延伸方向上的高度或深度。[0295]优选地，结构203在相对于轨迹的延伸方向倾斜的阵列方向(Θ方向)上的高度H2小于结构203在轨迹的延伸方向上的高度Hl。S卩，优选地，结构203的高度Hl和H2满足H1>H2的关系。[0296]在结构203形成四边形格子或准四边形格子图案时，优选地，结构底部的椭圆率e在140%<e(180%的范围内。其原因在于，通过将椭圆率设定在此范围，可以提高结构203的填充率，并且可以获得优异的抗反射特性。[0297]假设100%为上限，基材表面上的结构203的填充率在65%以上的范围内、优选地在73%以上的范围内、并且更优选地在86%以上的范围内。通过将填充率设定在此范围，可以提闻抗反射特性。[0298]此处，结构203的填充率(平均填充率)是以下列式来计算的值。[0299]首先，利用扫描型电子显微镜(SEM)以俯视图拍摄抗反射光学元件201的表面。接着，从拍摄的SEM图片中，随机地选取单位格子Uc，并且测量单位格子Uc的排布间距Pl和轨迹间距Tp(参照图22Β)。进一步地，通过图像处理测量在单位格子Uc中包括的4个结构203的任一个底部的面积S。接着，利用所测量的排布间距Ρ1、轨迹间距Tp及底部的面积S，通过以下表达式(4)来计算填充率。[0300]填充率=(S(tetra)/S(unit))X100(4)[0301]单位格子面积=S(Unit)=2X((PlXTp)X(1/2))=PlXTp[0302]在单位格子的结构的底部的面积:S(tetra)=S[0303]对从拍摄的SEM图片中随机选取的10个单位格子执行上述填充率计算的处理。随后，通过将所测量的值简单地求平均(计算算术平均值)，计算填充率的平均率，并且将该平均率用作基材表面上的结构203的填充率。[0304]直径2r与排布间距Pl的比率((2r/Pl)X100)等于或大于64%、优选地等于或大于69%、并且更优选地等于或大于73%。通过将比率设定在此范围，可以提高结构203的填充率，并且可以提高抗反射特性。此处，排布间距Pl是在轨迹方向上的结构203之间的排布间距，并且直径2r是在轨迹方向上的结构底部的直径。应注意，在结构底部为圆形时，直径2r为直径，在结构底部为椭圆形时，直径2r为长径。[0305]除了以上描述，第十实施方式与第九实施方式相同。[0306]〈11.第i^一实施方式〉[0307]图23A是示出根据本技术的第十一实施方式的抗反射光学元件的配置实例的顶部平面图。图23B是以放大的方式示出图23A中所示的抗反射光学元件的一部分的顶部平面图。图23C是图23B的轨迹T的剖面图。[0308]根据第十一实施方式的抗反射光学元件201与第九实施方式的抗反射光学元件201的不同之处在于:在基材表面上排布多个作为凹部的结构203。结构203的形状是与第九实施方式中的结构203的凸形形状相反的凹形。另外，在结构203如上所述地形成为凹形时，结构203的开口部分(凹部的入口部分)被定义为下部，并且半透射镜202在深度方向上的最低部分(凹部的最深部分)被定义为顶部。即，作为非实体(solid)空间的结构203定义顶部及下部。进一步地，第十二实施方式中，结构203具有凹形形状，并且因此，表达式(I)等中的结构203的高度H变成结构203的深度H。[0309]除了上述描述之外，第十一实施方式与第九实施方式相同。[0310]〈12.第十二实施方式〉[0311](第十二实施方式的概述)[0312]第十二实施方式基于以下检查的结果来设计。[0313]如第九实施方式中所述的，作为锐意检查的结果，本技术的技术人员发现以下事实:在所捕捉的图像中的亮线噪声的出现是由于亚波长结构之间的排布间距Tp的变动。因此，本技术的技术人员通过与第九实施方式中的技术不同的技术对抑制条纹亮线噪声的出现进行研究。结果，发现以下情形:使亚波长结构的排布位置在与亚波长结构的行垂直的方向上偏移，并且使来自诸如亮点的光源的光二维地扩展和扩散，从而抑制亮线噪声的出现。[0314](成像装置的配置)[0315]除了形成在抗反射光学元件表面上的结构203的排布形式以外，根据本技术的第十二实施方式的成像装置与第九实施方式的成像装置相同。因此，在下文中，将对结构203的排布形式进行描述。[0316](结构的排布形式)[0317]图24A是以放大的方式示出根据本技术的第十二实施方式的抗反射光学元件的表面的一部分的顶部平面图。如图24A所示，多个结构203的中心位置α相对于作为参考的虚拟轨迹Ti在轨迹阵列方向(行阵列方向)b上变动。通过以此方式使结构203的中心位置α变动，来自诸如亮点的光源的光可被二维地扩展和扩散。因此，可以抑制在所捕捉的图像中亮线噪声的出现。结构203的中心位置α的变动例如是规则的或不规则的。从减少在所捕捉的图像中的亮线噪声的出现的观点而言，优选地，变动是不规则的。进一步地，从提高结构203的填充率的观点而言，优选地，如图24Α中所示的区域D，在各虚拟轨迹Ti之间使变动的方向同步。[0318](虚拟轨迹)[0319]图24Β是示出虚拟轨迹Ti的定义的示意图。虚拟轨迹Ti是从结构203的中心位置α的平均位置来计算的虚拟轨迹，并且具体地，以下列方式计算。[0320]首先，利用扫描型电子显微镜(SEM)以俯视图拍摄抗反射光学元件的表面。接着，从拍摄的SEM图片中，选取用于计算虚拟轨迹Ti的一行结构203。随后，从所选取的行中随机地选取10个结构203。然后，通过设置垂直于结构203的变动方向b的直线L，基于直线L计算出所选取的各个结构203的中心位置(Cl，C2，……，C10)。此后，将所计算的10个结构203的中心位置简单地求平均(计算其算术平均值),计算结构203的平均中心位置Cm(=((^+(^+…+(^)/^))。随后，基于所计算的平均中心位置Cm，通过计算与直线L平行的直线，将该直线设为虚拟轨迹Ti。另外，由于在母盘制作过程中曝光时的问题，虚拟轨迹Ti的轨迹间距Tp如图24A所示的在轨迹之间变动。[0321](变动范围)[0322]图25A是示出结构的中心位置的变动范围的示意图。假设轨迹间距Tp的变动范围ΛΤρ的最大值设为ΛTpmax，优选地，结构203的中心位置α的变动范围ΛΑ大于ΛΤρ_。由此,可以减少条纹亮线噪声的出现。此处,结构203的中心位置α的变动范围ΛΑ是基于虚拟轨迹Ti的变动范围。[0323](轨迹间距Tp的最大变动范围ΔTpmax)[0324]轨迹间距Tp的最大变动范围ΛTpmax可以下列方式计算。[0325]首先，利用SEM以俯视图拍摄抗反射光学元件的表面。接着，从拍摄的SEM图片中，选取一组相邻的结构203的行。随后，对所选取的每行结构203，分别计算虚拟轨迹Ti。然后，计算所计算的虚拟轨迹Ti之间的轨迹间距Tp。在从拍摄的SEM图片中随机选取的10个位置处执行计算上述轨迹间距Tp的处理。然后，通过对在10个位置处计算的轨迹间距Tp简单地求平均值(计算其算术平均值)，计算平均轨迹间距Tpm。[0326]接着，计算以此方式计算的平均轨迹间距Tpm与轨迹间距Tp之间的差的绝对值(ITp-Tpml)，并且将其设为轨迹间距Tp的变动范围ΛTp。计算以此方式计算的多个轨迹间距Tp的变动范围ΛΤρ，并从其中选出最大值，并将其设为最大变动范围ΛΤρ.。[0327](变动比率)[0328]图25Β是示出结构的变动比率的示意图。假设在轨迹方向a上的结构203之间的排布间距为排布间距P，优选地，结构203的中心位置α以能够抑制条纹亮线噪声的出现的频率在轨迹阵列方向b上变动。具体地，优选地，结构203的中心位置α以等于或小于轨迹方向a上的预定距离(预定周期)ηΡ(η:自然数，例如η=5)的距离在轨迹阵列方向b上变动。更具体地，优选地，结构203的中心位置α以等于或大于在轨迹方向a上的一与预定数η(η:自然数，例如η=5)的比例的比率在轨迹阵列方向b上变动。[0329](结构的排布形式的实例)[0330]图26A是示出结构的排布形式的第一实例的示意图。如图26A所示，在第一实例中，结构203的中心位置α变动以便被排布为S形。具体地，结构203的中心位置α以弯曲的的方式(S形)排布在轨迹(以下称为弯曲轨迹)Tw上。[0331]优选地，各弯曲轨迹Tw为同步的。通过以此方式使弯曲轨迹Tw同步，保持诸如(准)四边形格子形或(准)六边形格子形的单位格子形状，并且因此可以将填充率保持为较高。弯曲轨迹Tw的波形的实例包括正弦波、三角波等。[0332]弯曲轨迹Tw的周期T及振幅A可被设置为规则的或不规则的。从减少条纹亮线噪声的出现的观点而言，优选第，如图26Β所示，使周期T及振幅A的至少一个为不规则的，并且更优选地使两者为不规则的。应注意，弯曲轨迹Tw的振幅A的变动并不限于周期单位，并且振幅A也可在单个周期内变动。[0333]图26C是示出结构的排布形式的第二实例的示意图。如图26C的区段SI所示，在第二实例中，各个结构203的中心位置α相对于作为参考的虚拟轨迹Ti在轨迹阵列方向b上独立地变动。进一步地，如图26C的区段S2所示，在轨迹方向a上相邻的预定数量的结构203构成块(结构组)B，并且通过将块B设置为变动单位，结构203的中心位置α可变动。此处,结构203的中心位置α的变动可设为规则或不规则的。因此，从减少条纹亮线噪声的产生的观点而言，优选地，使得变动为不规则的。另外，图26C示出了其中在单个行中混合由区段SI及区段S2所指示的两种排布形式的实例。然而，排布形式并非必需混合使用，并且可使用任一排布形式来形成抗反射光学元件的表面。[0334](散射光的强度Ib与入射光的强度Ia的比率)[0335]被抗反射光学元件的表面散射的散射光Ls的总强度Ib与入射在抗反射光学元件的表面上的入射光的总强度Ia的比例(Ib/Ia)优选地在小于1/500的范围内，更优选地在1/5000以下的范围内，并且仍更优选地在1/105以下的范围内。通过使比例(Ib/Ia)小于1/500，可以抑制条纹亮线噪声的出现。[0336]<13.第十三实施方式>[0337](结构的排布形式)[0338]图27A是不出根据本技术的第十三实施方式的抗反射光学兀件的表面的一部分的顶部平面图。如图27A所示，第十三实施方式与第十二实施方式的不同之处在于:在相同轨迹上的结构203之间的排布间距P相对于平均排布间距Pm变动。[0339](变动范围)[0340]图27B是示出结构之间的排布间距P的变动范围的示意图。假设轨迹间距Tp的变动范围ΛTp的最大值为ΛTpmax时，排布间距P的变动范围ΛP优选地大于ΛTpmax。由此，可以减少条纹亮线噪声的出现。此处，排布间距P的变动范围ΛΡ是基于平均排布间距Pm的变动范围。[0341](平均排布间距Pm)[0342]平均排布间距Pm可以下列方式计算。[0343]首先，利用SEM以俯视图拍摄抗反射光学元件的表面。接着，从拍摄的SEM图片中选取一个轨迹T。然后，从排布在所选取的轨迹T上的多个结构203中选取相邻的两个结构203作为一组，并计算在轨迹方向a上的排布间距P。在从拍摄的SEM图片中随机选取的10个位置处执行计算上述排布间距P的处理。随后，通过对在10个位置处计算的排布间距P简单地求平均(计算其算术平均值)，计算平均排布间距Pm。[0344]〈14.第十四实施方式〉[0345]上述第九实施方式描述了其中本技术应用于作为成像装置的数码相机(数字静物照相机)的示例性情形。然而，本技术的应用实例并不限于此。本技术的第十四实施方式将描述其中本技术应用于数码摄像机的示例性情形。[0346]图28是示出根据本技术的第十四实施方式的成像装置的配置实例的示意图。如图28所示，根据第十四实施方式的成像装置401是所谓的数码摄像机，且包括第一透镜组L1、第二透镜组L2、第三透镜组L3、第四透镜组L4、固态成像设备402、低通滤光器403、滤光器404、电机405、光圈叶片406以及电光调制元件407。在成像装置401中，成像光学系统由第一透镜组L1、第二透镜组L2、第三透镜组L3、第四透镜组L4、固态成像设备402、低通滤光器403、滤光器404、光圈叶片406及电光调制元件407构成。光圈叶片406和电光调制元件407构成光学调整设备。[0347]第一透镜组LI和第三透镜组L3是固定透镜。第二透镜组L2是变焦透镜。第四透镜组是聚焦透镜。[0348]固态成像设备402将入射光转换为电信号，并将信号供应至未示出的信号处理部。固态成像设备402例如是电荷耦合设备(CCD)等。[0349]低通滤光器403例如设置在固态成像设备402的前面。低通滤光器403用于抑制在拍摄具有接近像素间距的边缘(fringe)的图像时产生的伪信号(aliasing)(莫尔条纹)，并且例如由人工水晶构成。[0350]滤光器404例如用于通过截止入射至固态成像设备402的光的红外区，并且抑制在近红外区(630nm-700nm)中的光谱的浮动,使可见光范围(400nm-700nm)的光强度均勻。滤光器404例如由红外截止滤光器(在下文中，称为IR截止滤光器)404a以及通过在IR截止滤光器404a上层压层IR截止涂层而形成的IR截止涂层404b构成。此处，IR截止涂层404b例如形成在物体一侧的IR截止滤光器404a的表面以及固态成像设备402—侧的IR截止滤光器404a的表面中的至少一个上。图28示出了其中在物体一侧的IR截止滤光器404a的表面上形成IR截止涂层404b的实例。[0351]电机405基于从未示出的控制部供应的控制信号移动第四透镜组L4。光圈叶片406用于调整入射在固态成像设备402上的光量，且通过未示出的电机来驱动。[0352]电光调制元件407用于调整入射在固态成像设备402上的光量。电光调制元件407是由至少包括基于染料的色素的液晶制成的电光调制元件，且是由例如二色性GH液晶制成的电光调制兀件。[0353]在构成成像光学系统的第一透镜组L1、第二透镜组L2、第三透镜组L3、第四透镜组L4、低通滤光器403、滤光器404及电光调制元件407中的至少一个光学元件或光学元件组(以下称为光学部)的表面上形成多个结构。利用这种结构的配置，形状和排布形式例如与上述第一至第十三实施方式中的任一个相同。[0354]具体地，当在构成成像光学系统的光学部中单独地设置在固态成像设备402的前侧(物体一侧)的第三透镜组L3或滤光器404的表面上形成多个结构时，优选地，结构的配置、形状及排布形式等与上述第一至第十三实施方式中的任一个相同。当在单独地设置在固态成像设备402的前面的除滤光器404及第三透镜组L3以外的光学部的表面上形成多个结构时，优选地，结构的配置、形状以及排布形式等与上述第四或第十三实施方式相同。特别地，当在设置在邻近于固态成像设备402的前面的低通滤光器403的表面上形成多个结构形成时，优选地，结构的配置、形状及排布形式等与第四或第十三实施方式相同。[0355]<15.第十五实施方式>[0356]图29是示出根据本技术的第十五实施方式的成像装置的配置实例的示意图。[0357]如图29所示，根据第十五实施方式的成像装置300与第九实施方式的成像装置300的不同之处在于:进一步设置了光量调整设备314。图29示出了其中在镜筒303中设置了光量调整设备314的实例。然而，设置光量调整设备314的位置并不限定于该实例。也可在作为成像装置主体的外壳301中设置光量调整设备314。[0358]光量调整设备314是调整以成像光学系统302的光轴为中心的用于光阑(diaphragm)的孔径的大小的光阑设备。光量调整设备314例如包括一对光阑叶片以及使透射的光的光量减少的ND滤光器。作为驱动光量调整设备314的方法，例如，可以使用通过单个致动器驱动一对光阑片和ND滤光器的方法、以及分别通过独立的两个致动器驱动一对光阑片和ND滤光器的方法。驱动方法并不特别限于这种方法。作为ND滤光器，可以使用透射率或者浓度(concentrat1n)恒定不变的滤光器、或者透射率或浓度变为具有渐变形状的滤光器。进一步地，ND滤光器的数量并不限于一个，并且在层压滤光器的状态下可使用多个ND滤光器。[0359](ND滤光器)[0360]图30A是示出了ND滤光器的配置实例的剖面图。如图30A所示，ND滤光器501是抗反射ND滤光器(抗反射光学元件)，且包括具有入射面及出射面的ND滤光器主体(元件主体)502、及设置在ND滤光器主体502的入射面上的多个亚波长结构503。从提高ND滤光器主体502的透射特性的观点而言，优选第，在入射面及出射面的两个表面上设置多个亚波长结构503。ND滤光器501例如具有膜状。亚波长结构503和ND滤光器主体502单独地或整体地形成。当亚波长结构503与ND滤光器主体502单独地形成时，必要时，可在亚波长结构503与ND滤光器主体502之间进一步设置底层504。底层504是在亚波长结构503的底侧上与亚波长结构503整体形成的层，且以与亚波长结构503相似的方式通过固化能量射线固化性树脂组合物来形成。[0361]在下文中，将按优先顺序描述设置在ND滤光器501中的ND滤光器整体502及亚波长结构503。[0362](ND滤光器主体)[0363]作为ND滤光器主体502，可以使用诸如含有色素和/或颜料的膜的基材。具有这种配置的ND滤光器主体502例如可通过将色素和/或颜料混合在树脂材料中来形成。色素并不特别限制，只要它是在可见光区域中具有吸收性的染料即可。例如，色素可以是酞菁基、硫醇金属复合基、偶氣基、聚甲块基、_■苯基甲烧基、二苯甲烧基、醒基、恩醒基、_■亚按盐基等。颜料包括选自碳黑、金属氧化物、金属氮化物及金属氮氧化物中的至少一种无机颗粒。具体地，这些无机颗粒的实例包括诸如碳粒子、黑色氧化钛、象牙黑、桃黑、灯黑、浙青和苯胺黑的黑色颜料。[0364]如图30B所示，作为ND滤光器主体502的配置，可采用其中设置有基材511以及设置在基材511的表面上且含有染料和/或颜料的ND层512的配置。ND层512不仅可为单层结构，也可为其中层压多个ND层的层压层结构。作为基材511，可使用透明基材，但基材并不限于此，并且可使用含有色素和/或颜料的基材。[0365]如图30C所示，作为ND层512，可使用其中在基材511的表面上层压多个无机膜513^5132^…、513n的层压膜。作为层压膜,例如可以使用金属膜、金属氧化物、电介质膜坐寸ο[0366]如图30D所示，作为ND滤光器主体502的配置，可采用其中含有色素和/或颜料的层514夹在多个膜515和516之间的配置。[0367](亚波长结构)[0368]亚波长结构503与根据上述第九实施方式的结构203相同。[0369]除了以上描述之外，第十五实施方式与第九实施方式相同。应注意，作为根据第十四实施方式的成像装置的光量调整设备，也可使用在上述第十五实施方式中描述的光量调整设备。[0370]<变形例>[0371]如图29所示，可在镜筒303的光入射一侧的表面(即物体一侧的表面)上设置滤光器315。滤光器315被配置为可从镜筒303上拆卸下来。滤光器315包括具有入射面及出射面的滤光器主体以及设置在滤光器主体的入射面上的多个亚波长结构。从提高滤光器主体的透射特性的观点而言，优选地，在入射面及出射面的两个表面上设置多个亚波长结构。亚波长结构与在上述第十五实施方式中的亚波长结构503相同。滤光器315并不特别限制，只要它安装在镜筒303的光入射一侧的表面上即可。然而，滤光器的实例包括偏振(PL)滤光器、锐截止(SC)滤光器、色彩强调和效果滤光器、调光(dimming)(ND)滤光器、色温转换(LB)滤光器、色彩校正(CC)滤光器、白平衡获取滤光器、透镜保护滤光器等。[0372][实例][0373]在下文中，将参照实例详细描述本技术，但本技术并非限于这些实例。[0374]将按下列顺序描述实例、比较实例和测试实例。[0375]1、ND滤光器的光学特性[0376]2、轨迹间距与散射光之间的关系[0377]3、轨迹间距的变动量与散射光之间的关系[0378][1.ND滤光器的光学特性][0379](实例I)[0380]首先，设置外径为126mm的玻璃辊母盘，并且在该玻璃辊母盘的表面上以如下的方式形成抗蚀剂层。即，利用稀释剂将抗蚀剂稀释至1/10，并且通过浸溃法(dippingmethod),在玻璃棍母盘的圆柱面上涂布具有月70nm厚度的被稀释的抗蚀剂,从而形成抗蚀剂层。接着，作为记录介质的玻璃辊母盘被输送至图7所示的辊母盘曝光设备。由此，在抗蚀剂层上图案化潜影。潜影作为一个螺旋连接并在相邻的三个轨迹间形成六边形格子图案。[0381]具体地，利用曝光至玻璃辊母盘表面为止的功率为0.50mff的激光照射其中将形成具有六边形格子形的曝光图案的区域，由此形成具有六边形格子形的曝光图案。另外，在轨迹行的行方向上的抗蚀剂层的厚度为约60nm，并且在轨迹的延伸方向上的抗蚀剂厚度为约50nm。[0382]其次，对玻璃辊母盘上的抗蚀剂层执行显影处理，并且使曝光部分中的抗蚀剂层溶解，由此形成显影。具体地，将未显影的玻璃辊母盘放置在未示出的显影单元的转台上，在玻璃辊母盘与转台一起旋转的同时，将显影液滴落在玻璃辊母盘的表面，从而将表面上的抗蚀剂层显影。由此，可以获得其中抗蚀剂层在六边形格子图案上打开的抗蚀剂玻璃母盘。[0383]接着，使用辊蚀刻设备，在CHF3气氛下执行等离子蚀刻。由此，在玻璃辊母盘的表面上，仅对从抗蚀剂层暴露的六边形格子图案的部分进行蚀刻，其他的区域因抗蚀剂层成用作掩模而未被蚀刻，并且在玻璃辊母盘上形成具有椭圆锥形状的凹部。此时，蚀刻量(深度)通过蚀刻时间段进行调整。最后，通过O2灰化完全地将抗蚀剂层去除，可以获得具有凹形的六边形格子图案的蛾眼玻璃辊母盘。在行方向上的凹部的深度大于在轨迹的延伸方向上的凹部的深度。[0384]接着，在以此方式获得的蛾眼玻璃辊母盘的空腔部中布置多个UV光源。接着，使用蛾眼玻璃辊母盘，通过UV压印在膜状的ND滤光器的两侧制造多个结构。具体地，在旋转蛾眼玻璃辊母盘的同时，使其转印表面与涂布有紫外线固化树脂的ND滤光器紧密接触，并且从蛾眼玻璃辊母盘的转印表面一侧利用具有lOOmJ/cm2功率的紫外线照射紫外线固化性树脂，并固化和剥离紫外线固化性树脂。由此，可以获得其中多个以下结构排布在其两个表面上的ND滤光器。[0385]结构的阵列:六边形格子[0386]结构的形状:钟室形(BellChamberShape)(大致为旋转抛物形)[0387]结构的平均排布间距P:250nm[0388]结构的平均高度H:200nm[0389]结构的纵横比(H/P):0.8[0390]利用这种配置，可以获得具有抗反射功能的ND滤光器。[0391](比较实例I)[0392]在ND滤光器的两个表面上不形成多个结构，并且将ND滤光器自身作为样品。[0393](评估)[0394]如上所述获得的实例I及比较实例I的ND滤光器的透射特性及反射特性以如下方式进行评估。[0395](透射特性)[0396]通过分光光度计(由日本JASCO公司制造，商品名:V-550)测量ND滤光器在大致为可见光波长区域(350nm至750nm)中的透射光谱。结果在图31A中示出。[0397](反射特性)[0398]通过将黑色胶带粘结在ND滤光器的一个表面上来制造测量样品。接着，通过分光光度计(由日本JASCO公司制造，商品名:V-550)测量该测量样品在大致为可见光波长区域(350nm至850nm)中的反射光谱。结果在图31B中示出。[0399]从图31A可以看出，通过将结构设置在ND膜的两个表面上，可以在大致整个可见光波长区域(350nm至700nm)中将透射率提高约1%。[0400]从图31B可以看出，通过将结构设置在ND膜的两个表面上，可以在大致整个可见光波长区域(350nm-850nm)将反射率减少约4%。[0401][2.轨迹间距与散射光之间的关系][0402]通过严格耦合波分析(RCWA)模拟对轨迹间距与散射光之间的关系进行研究。[0403](测试实例1-1)[0404]提出其表面上形成有多个亚波长结构的光学元件，通过模拟来计算当利用来自点光源的光照射光学兀件时的散射光的强度分布。[0405]模拟的条件如下。[0406]亚波长结构的阵列:四边形格子[0407]轨迹方向的排布间距Pl:250nm[0408]轨迹间距Tp:200nm[0409]亚波长结构的底部形状:椭圆形[0410]亚波长结构的高度:200nm[0411]结构的形状:抛物形(钟室形)[0412]偏光:无偏光[0413]折射率:1.5[0414](测试实例1-2)[0415]除了将轨迹间距Tp设为250nm以外，以与测试实例1_1相同的方式，通过模拟来计算散射光的强度分布。[0416]图32A是示出测试实例1-1的模拟结果的示图。图32B是示出测试实例1_2的模拟结果的示图。图32A和图32B示出在水平和垂直轴(XY轴)的范围:NA=±1.5内的散射光的强度分布，其中，利用更亮的色调(接近白色的色调)来表示在具有更高强度的位置处的强度。应注意，分别在图32A和图32B的中心(光轴部分)处示出的散射光的强度较高的部分表示入射光(O级光(Oth-orderlight))的强度。[0417]从上述模拟结果，可发现以下事实。[0418]在测试实例1-1中，因为散射光变得远离光轴，所以在测试实例1-1中提出的光学元件中，与测试实例1-2中提出的光学元件相比，在ΝΑ〈0.8的范围内，散射光的强度趋向于变得更小。因此，在测试实例1-1的光学元件中，可以减少在捕捉的图像中的图像噪声(亮线噪声)。[0419]在测试实例1-2中，散射光存在于光轴附近，并且在ΝΑ〈0.8的范围内，散射光的强度取向于变高。因此，在测试实例1-2的光学元件中，在捕捉图像中产生图像噪声(亮线噪声)。[0420]如上所述，从减少图像噪声的出现的观点而言，优选第，使轨迹间距(在轨迹阵列方向的排布间距)Tp变窄。[0421][3.轨迹间距的变动量与散射光之间的关系][0422]通过严格耦合波分析(RCWA)模拟，对轨迹间距的变动量、亚波长结构的阵列形式与散射光的关系进行研究。[0423](测试实例2-1)[0424]提出表面上形成有多个亚波长结构的光学元件。并且通过模拟来计算当利用来自点光源的光照射该光学兀件时的散射光的强度分布。[0425]模拟的条件如下。[0426]亚波长结构的阵列:四边形格子[0427]轨迹方向的排布间距Pl:250nm[0428]轨迹间距Tp的中心值:250nm[0429]轨迹间距Tp的变动量的最大值:32nm[0430]亚波长结构的底部形状:椭圆形[0431]亚波长结构的高度:200nm[0432]结构的形状:抛物形(钟室形)[0433]偏光:无偏光[0434]折射率:1.5[0435](测试实例2-2)[0436]除了将轨迹间距Tp的变动量的最大值设为ΛTp=8nm以外，以与测试实例2_1相同的方式，通过模拟计算散射光的强度分布。[0437](测试实例2-3)[0438]除了将轨迹间距Tp的变动量的最大值设为ΛΤΡ=8nm并且轨迹以弯曲方式排布以外，以与测试实例2-1相同的方式，通过模拟来计算散射光的强度分布。[0439]图33A和图33B是示出测试实例2_1的模拟结果的示图。图34A和图34B是示出测试实例2-2的模拟结果的示图。图35A和图35B是示出测试实例2_3的模拟结果的图。图33A、图34A和图35A示出了在水平和垂直轴(XY轴)的范围:NA=±1.5内的散射光的强度分布。应注意，分别在图33A、图34A和图35A的中心(光轴部分)处示出的散射光的具有高强度的部分表示入射光(O级光)的强度。应注意，由于测试实例2-1的雾度值(hazevalue)接近通过实际测量所得的雾度值(蛾眼部分的雾度值)，因此，可确定在测试实例2-1至2-3的模拟中提出的模型是合理的。[0440]关于测试实例2-1至2-3，带状散射光的总光量ILb与入射光的总光量ILa的比率((ILb/ILa)X100[%])表示为如下。[0441]测试实例2-1:0.2%(散射光的总强度Ib与入射光的总强度Ia的比率(Ib/Ia):1/500)[0442]测试实例2-2:0.02%(散射光的总强度Ib与入射光的总强度Ia的比率(Ib/Ia):1/5000)[0443]测试实例2-3:0.001%(散射光的总强度Ib与入射光的总强度Ia的比率(Ib/Ia):1/105)[0444]从上述模拟的结果，可发现以下事实。[0445]根据测试实例2-1的模拟结果，可发现当轨迹间距Tp的变动量ΛTp的最大值较大时,产生亮线噪声。[0446]根据测试实例2-2的模拟结果，可发现:可以通过减小轨迹间距Tp的变动量ΛΤρ的最大值来抑制亮线噪声的出现，并且具有通过增加轨迹间距的变动量的精度来抑制亮线噪声的出现的效果。[0447]根据测试实例2-3的模拟结果，可发现:可以通过减小轨迹间距Tp的变动量ΛΤρ的最大值，并且以非周期性的弯曲方式排布轨迹以引起轨迹的变动来进一步抑制亮线噪声的出现。[0448]如上所述，从抑制亮线噪声的出现的观点而言，散射光的强度与入射光的强度的比率优选地在小于1/500的范围内，更优选地在1/5000以下的范围内，并且仍更优选地在1/105以下的范围内。[0449]以上对本技术的实施方式进行了详细描述，但本技术并不限于上述实施方式，并且可基于本技术的技术范围以各种形式修改本技术。[0450]例如，根据本技术的实施方式的光学元件不仅可适用于成像装置，而且也可适用于显微镜或曝光设备等。[0451]进一步地，例如，在上述实施方式中，所列举的配置、方法、过程、形状、材料以及数值等仅为实例。必要时，可使用除此之外的配置、方法、过程、形状、材料以及数值等。[0452]此外，在上述实施方式中，在不脱离本技术的范围的情况下，配置、方法、过程、形状、材料以及数值等可进行组合。[0453]而且，在上述实施方式中，对将本技术应用于成像装置的实例进行了描述，但本技术并不限于这些实例。本技术也可适用于具有多个亚波长结构形成在其表面(入射面和出射面的至少一个)上的光学元件的光学系统或具有该光学系统的光学装置。例如，本技术也可适用于显微镜或曝光设备等。[0454]另外，在上述实施方式中，将本技术应用于数字成像装置的情况作为实例进行了描述，但本技术也可适用于模拟成像装置。[0455](本技术的配置)[0456]另外，本技术可具有以下配置。[0457](1-1)一种光学元件，包括:[0458]元件主体；以及[0459]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0460]其中，亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，[0461]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0462]其中，其上设置有多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0463]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0464](1-2)根据(1-1)所述的光学元件，进一步包括设置在元件主体的表面上并且具有凹凸形状的表面的成形层，[0465]其中，凹凸形状包括多个亚波长结构，并且[0466]其中，在不产生凹凸形状的不连贯性的情况下，在成形层的表面上连续地排布具有预定亚波长结构图案的单位区域。[0467](1-3)根据(1-2)所述的光学元件，[0468]其中，元件主体具有带状形状，并且[0469]其中，在元件主体的长度方向上连续地排布单位区域。[0470](1-4)根据(1-2)或(1-3)所述的光学元件，其中，凹凸形状的不连贯性是预定亚波长结构图案的周期性无序。[0471](1-5)根据(1-2)或(1-3)所述的光学元件，其中，凹凸形状的不连贯性是彼此相邻的单位区域之间的重叠、间隙或未转印部。[0472](1-6)根据(1-2)或(1-3)所述的光学元件，其中，在固化能量射线固化性树脂组合物时，在不产生不连贯性的情况下连接单位区域。[0473](1-7)根据(1-6)所述的光学元件，其中，在固化能量射线固化性树脂组合物时的不连贯性是聚合度的差异。[0474](1-8)根据(1-1)至(1-7)中任一项所述的光学元件，其中，亚波长结构通过从与元件主体相对的一侧推进涂布在元件主体的表面上的能量射线固化性树脂组合物的固化反应来形成。[0475](1-9)根据(1-2)至(1-7)中任一项所述的光学元件，其中，单位区域是通过将旋转母盘的旋转表面旋转一周而形成的转印区域。[0476](1-10)根据(1-1)所述的光学元件，[0477]其中，亚波长结构形成格子图案，[0478]其中，亚波长结构被排布为在表面上形成多个轨迹，[0479]其中，格子图案包括六边形格子图案、准六边形格子图案、四边形格子图案和准四边形格子图案的至少一种，[0480]其中，表面散射入射光的一部分，并且[0481]其中，散射光的强度小于入射光的强度的1/500。[0482](1-11)根据(1-2)至(1-9)中任一项所述的光学元件，其中，亚波长结构图案通过一维地或二维地排布具有凸形或凹形的多个亚波长结构来形成。[0483](1-12)根据(1-1)至(1-11)中任一项所述的光学元件，其中，多个亚波长结构规则地或不规则地排布。[0484](1-13)根据(1-2)至(1_7)中任一项所述的光学元件，[0485]其中，元件主体至少具有一个平面或曲面，并且[0486]其中，在平面或曲面上形成成形层。[0487](1-14)根据(1-1)至(1-13)中任一项所述的光学元件，[0488]其中，亚波长结构被排布为在表面上形成多个轨迹，并且[0489]其中，轨迹之间的间距Tp根据轨迹之间的间隙变动。[0490](1-15)根据(1-1)至(1-14)中任一项所述的光学元件，[0491]其中，亚波长结构形成格子图案，[0492]其中，亚波长结构被排布为在表面上形成多个轨迹，并且[0493]其中，格子图案包括六边形格子图案、准六边形格子图案、四边形格子图案和准四边形格子图案的至少一种。[0494](1-16)一种光学元件的制造方法，包括:[0495]在元件主体的表面上涂布能量射线固化性树脂组合物；以及[0496]通过使旋转母盘的旋转表面旋转并紧贴涂布在元件主体的表面上的能量射线固化性树脂组合物，同时利用从设置在旋转母盘中的能量射线源辐射的能量射线通过旋转母盘的旋转表面照射能量射线固化性树脂组合物，以固化能量射线固化性树脂组合物，来在元件主体的表面上形成多个亚波长结构，[0497]其中，其上设置有多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0498]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0499](1-17)根据(1-16)所述的光学元件的制造方法，其中，元件主体对于能量射线是不透明的。[0500](1-18)根据(1-16)或(1-17)所述的光学元件的制造方法，其中，通过一维的或二维的排布具有凸形或凹形的多个亚波长结构来形成旋转表面的凹凸形状。[0501](1-19)根据(1-18)所述的光学元件的制造方法，其中，规则地或不规则地排布多个亚波长结构。[0502](1-20)根据(1-16)至(1_19)中任一项所述的光学元件的制造方法，其中，旋转母盘是辊母盘或带母盘。[0503](1-21)根据(1-16)至(1_20)中任一项所述的光学元件的制造方法，其中，能量射线源布置在旋转母盘的宽度方向上。[0504](1-22)根据(1-16)至(1_21)中任一项所述的光学元件的制造方法，[0505]其中，元件主体具有带状形状，并且[0506]其中，在形成亚波长结构时，通过将元件主体的长度方向设置为旋转的正方向来转印凹凸形状。[0507](1-23)根据(1-16)至(1_22)中任一项所述的光学元件的制造方法，[0508]其中，元件主体具有至少一个平面或曲面，并且[0509]其中，在平面或曲面上形成成形层。[0510](1-24)—种光学系统，包括:[0511]光学元件；以及[0512]成像元件，具有通过光学元件接收光的成像区域；[0513]其中，光学元件包括:[0514]元件主体；以及[0515]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0516]其中，亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，[0517]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明性的，[0518]其中，其上设置有多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0519]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0520](1-25)根据(1-24)所述的光学系统，其中，到达成像区域的散射光的分量之和小于到达成像区域之外的分量之和。[0521](1-26)根据(1-24)或(1_25)所述的光学系统,其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0522](1-27)根据(1-24)至(1_26)中任一项所述的光学系统,其中，散射光的强度分布根据数值孔径NA而不同。[0523](1-28)根据(1-24)至(1_27)中任一项所述的光学系统，其中，在数值孔径NA^0.8范围内的散射光的强度分布的每单位立体角的强度小于在数值孔径NA>0.8范围内散射光的强度分布的每单位立体角的强度。[0524](1-29)根据(1-24)至(1_28)中任一项所述的光学系统，其中，在成像区域中的散射光的强度分布的最大值小于在成像区域之外的区域中的散射光的强度分布的最大值。[0525](1-30)根据(1-24)至(1_29)中任一项所述的光学系统，[0526]其中，多个亚波长结构被排布为在光学元件的表面上形成多个行，并且[0527]其中，在所述区域中，行之间的间距P与参考间距P相比是变化的。[0528](1-31)根据(1-30)所述的光学系统，其中，行的形状是直线形或圆弧形的。[0529](1-32)根据(1-24)至(1_31)中任一项所述的光学系统，[0530]其中，多个亚波长结构形成格子图案，并且[0531]其中，给子图案包括六边形格子图案、准六边形格子图案、四边形格子图案和准四边形格子图案的至少一种。[0532](1-33)根据(1-30)所述的光学系统，[0533]其中，成像区域具有拥有两组彼此面对的边的矩形形状，并且[0534]其中，行的方向与两组边中的其中一组边的延伸方向平行。[0535](1-34)根据(1-33)所述的光学系统，[0536]其中，两组边由彼此面对的一组短边和彼此面对的一组长边形成，并且[0537]其中，行的方向与长边的延伸方向平行。[0538](1-35)一种成像装置，包括光学系统，所述光学系统包括光学元件以及具有通过光学元件接收光的成像区域的成像设备，[0539]其中，光学元件包括:[0540]元件主体；以及[0541]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0542]其中，亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，[0543]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0544]其中，其上设置有多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0545]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0546](1-36)一种光学装置，包括光学系统，所述光学系统包括光学元件以及具有通过光学元件接收光的成像区域的成像设备，[0547]其中，光学元件包括:[0548]元件主体；以及[0549]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0550]其中，亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，[0551]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0552]其中，其上设置有多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0553]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0554](1-37)一种母盘，具有用于形成多个亚波长结构的旋转表面，[0555]其中，通过使旋转表面旋转并紧贴涂布在元件主体的表面上的能量射线固化性树脂组合物，同时利用从设置在旋转表面内部的能量射线源辐射的能量射线通过旋转表面照射能量射线固化性树脂组合物，以固化能量射线固化性树脂组合物，来在元件主体的表面上形成多个亚波长结构，[0556]其中，其上形成设置多个亚波长结构的表面散射入射光并具有产生散射光的区域，并且[0557]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0558](1-38)一种母盘，具有其上设置有多个亚波长结构的旋转表面，[0559]其中，旋转表面被配置为能够透射能量射线，[0560]其中，其上设置有多个亚波长结构的旋转表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且[0561]其中，散射光的强度分布是各向异性的。[0562]进一步地，本技术可以具有以下配置。[0563](2-1)—种转印设备，包括:[0564]旋转母盘，具有拥有凹凸形状的旋转表面，并且具有设置在旋转表面内部的能量射线源，[0565]其中，旋转母盘对于从能量射线源辐射的能量射线是透明的，并且[0566]其中，通过使旋转母盘的旋转表面旋转并紧贴涂布在元件主体的表面上的能量射线固化性树脂组合物，同时利用从能量射线源辐射的能量射线通过旋转表面照射能量射线固化性树脂组合物，以固化能量射线固化性树脂组合物，来在元件主体的表面上其上被转印有旋转表面的凹凸形状的成形层。[0567](2-2)一种母盘，具有拥有凹凸形状的旋转表面，并且对从能量射线源辐射的能量射线是透明的，[0568]其中，利用从能量射线源辐射的能量射线通过旋转表面照射能量射线固化性树脂组合物来固化能量射线固化性树脂组合物。[0569]进一步地，本技术还可具有以下配置。[0570](3-1)—种光学元件，包括:[0571]元件主体，具有表面；以及[0572]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0573]其中，亚波长结构通过固化能量射线固化性树脂组合物来形成，[0574]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0575]其中，多个亚波长结构在表面上形成多个行，[0576]其中，亚波长结构的中心位置在行阵列方向上变动。[0577]此处，光学元件是具有抗反射功能的光学元件。元件主体是使用亚波长结构提供抗反射功能的光学元件主体。光学元件主体的实例包括透镜、滤光器(例如，ND滤光器等)、半透射镜、光调制元件、棱镜、偏光元件等，但并不限于此。[0578](3-2)根据(3-1)所述的光学元件，其中，变动是不规则的变动。[0579](3-3)根据(3-1)或(3-2)所述的光学元件，其中，假设行之间的间距的变动范围ΛΤρ的最大值为ATPmax，则亚波长结构的中心位置在行阵列方向上以大于ATpmax的量变动。[0580](3-4)根据(3-1)或(3-2)所述的光学元件，其中，行被排布为S形。[0581](3-5)根据(3-4)所述的光学元件，其中，行的S形的周期和振幅的至少一个为不规则的。[0582](3-6)根据(3-1)或(3_2)所述的光学元件，其中，亚波长结构的各个中心位置在行阵列方向上独立地变动。[0583](3-7)根据(3-1)或(3_2)所述的光学元件，其中，在行方向上相邻的亚波长结构形成块，并且以块为单位，亚波长结构的中心位置在行阵列方向上变动。[0584](3-8)—种光学元件，包括:[0585]元件主体，具有表面；以及[0586]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0587]其中，亚波长结构通过固化能量射线固化性树脂组合物来形成，[0588]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0589]其中，多个亚波长结构在表面上形成多个行，并且[0590]其中，在同一行中的亚波长结构之间的排布间距P相对于平均排布间距Pm变动。[0591](3-9)根据(3-8)所述的光学元件，其中，变动是不规则的变动。[0592](3-10)根据(3-8)或(3_9)所述的光学元件，其中，假设行之间的间距的变动范围的最大值为ΛTPmax，则排布间距P相对于平均排布间距Pm的变动范围ΛΡ以大于ATPmax的量变动。[0593](3-11)根据(3-8)或(3_9)所述的光学元件，其中，亚波长结构之间的各个排布间距P在行方向上独立地变动。[0594](3-12)根据(3-8)或(3_9)所述的光学元件，其中，在行方向上相邻的亚波长结构形成块，并且以块为单位，亚波长结构之间的排布间距P在行方向上变动。[0595](3-13)一种光学系统，包括具有其上形成有多个亚波长结构的表面的一个或多个光学兀件，[0596]其中，光学元件包括:[0597]元件主体，具有表面；以及[0598]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0599]其中，亚波长结构通过固化能量射线固化性树脂组合物来形成，[0600]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0601]其中，多个亚波长结构在表面上形成多个行，并且[0602]其中，亚波长结构的中心位置在行阵列方向上变动。[0603](3-14)根据(3-13)所述的光学系统，其中，变动是不规则的变动。[0604](3-15)根据(3-13)或(3_14)所述的光学系统，其中，假设行之间的间距的变动范围ΛΤρ的最大值为ΛTPmax，则亚波长结构的中心位置在行阵列方向以大于ΛTPmax的量变动。[0605](3-16)根据(3-13)或(3_14)所述的光学系统，其中，行被排布为S形。[0606](3-17)根据(3-16)所述的光学系统，其中，行的S形的周期和振幅的至少一个为不规则的。[0607](3-18)根据(3-13)或(3_14)所述的光学系统，其中，亚波长结构的各个中心位置在行阵列方向上独立地变动。[0608](3-19)根据(3-13)或(3_14)所述的光学系统，其中，在行方向上相邻的亚波长结构形成块，并且以块为单位，亚波长结构的中心位置在行阵列方向上变动。[0609](3-20)根据(3-13)至(3_19)中任一项所述的光学系统，进一步包括通过光学元件接收光的成像设备。[0610](3-21)一种光学系统，包括具有其上形成有多个亚波长结构的表面的一个或多个光学兀件，[0611]其中，光学元件包括:[0612]元件主体，具有表面；以及[0613]多个亚波长结构，设置在元件主体的表面上，[0614]其中，亚波长结构通过固化能量射线固化性树脂组合物来形成，[0615]其中，元件主体对于用于固化能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，[0616]其中，在同一行中的亚波长结构之间的排布间距P相对于平均排布间距Pm变动。[0617](3-22)根据(3-21)所述的光学系统，其中，变动是不规则的变动。[0618](3-23)根据(3-21)或(3_22)所述的光学系统，其中，假设行之间的间距的变动范围的最大值为ΛTPmax，则排布间距P相对于平均排布间距Pm的变动范围ΛΡ以大于ΔTPmax的量变动。[0619](3-24)根据(3-21)或(3_22)所述的光学系统，其中，亚波长结构之间的各个排布间距P在行方向上独立地变动。[0620](3-25)根据(3-21)或(3_22)所述的光学系统，其中，在行方向上相邻的亚波长结构形成块，并且以块为单位，亚波长结构之间的排布间距P在行方向上变动。[0621](3-26)根据(3-21)至(3_25)中任一项所述的光学系统，进一步包括通过光学元件接收光的成像设备。[0622](3-27)一种成像装置，包括根据(3-13)至(3_26)中任一项所述的光学系统。[0623](3-28)一种光学装置，包括根据(3-13)至(3_26)中任一项所述的光学系统。[0624](3-29)一种母盘，具有其上形成有多个亚波长结构的表面，[0625]其中，多个亚波长结构在表面上形成多个行，并且[0626]其中，亚波长结构的中心位置在行阵列方向上变动。[0627](3-30)根据(3-29)所述的母盘，其中，变动是不规则的变动。[0628](3-31)根据(3-29)或(3_30)所述的母盘，其中，假设行之间的间距的变动范围ΛΤρ的最大值为ATPmax，则亚波长结构的中心位置在行阵列方向上以大于ATPmax的量变动。[0629](3-32)根据(3-29)或(3_30)所述的母盘，其中，行被排布为S形。[0630](3-33)根据(3-32)所述的母盘，其中，行的S形的周期和振幅的至少一个为不规则的。[0631](3-34)根据(3-29)或(3_30)所述的母盘，其中，亚波长结构的各个中心位置在行阵列方向上独立地变动。[0632](3-35)根据(3-29)或(3_30)所述的母盘，其中，在行方向上相邻的亚波长结构形成块，并且以块为单位，亚波长结构的中心位置在行阵列方向上变动。[0633](3-36)一种母盘,具有其上形成有多个亚波长结构的表面，[0634]其中，多个亚波长结构在表面上形成多个行，并且[0635]其中，在同一行内的亚波长结构之间的排布间距P相对于平均排布间距Pm变动。[0636](3-37)根据(3-36)所述的母盘，其中，变动是不规则的变动。[0637](3-38)根据(3-36)或(3_37)所述的母盘，其中，假设行之间的间距的变动范围的最大值为ΛTPmax,则排布间距P相对于平均排布间距Pm的变动范围ΛP以大于ΛTPmax的量变动。[0638](3-39)根据(3-36)或(3_37)所述的母盘，其中，亚波长结构之间的各个排布间距P在行方向上独立地变动。[0639](3-40)根据(3-36)或(3_37)所述的母盘，其中，在行方向上相邻的亚波长结构形成块，并且以块为单位，亚波长结构之间的排布间距P在行方向上变动。[0640]参考标号列表[0641]I基材[0642]2结构[0643]Ila不透明层[0644]Ilb透明层[0645]21结构[0646]22底层[0647]101辊母盘[0648]102结构[0649]110能量射线源[0650]118能量射线固化性树脂组合物[0651]133压纹带[0652]136平坦带[0653]201抗反射光学元件[0654]202半透射镜[0655]203、212结构[0656]204底层[0657]211辊母盘[0658]213抗蚀剂层[0659]214激光[0660]216潜影[0661]300成像装置[0662]301外壳[0663]302成像光学系统[0664]311透镜[0665]312成像设备[0666]Sp成形表面[0667]Si后表面[0668]Al成像区域【权利要求】1.一种光学元件，包括:元件主体；以及多个亚波长结构，设置在所述元件主体的表面上，其中，所述亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，其中，所述元件主体对于用于固化所述能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，其中，其上设置有所述多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且其中，所述散射光的强度分布是各向异性的。2.根据权利要求1所述的光学元件，进一步包括成形层，所述成形层设置在所述元件主体的表面上并具有拥有凹凸形状的表面，其中，所述凹凸形状包括所述多个亚波长结构，并且其中，在不产生所述凹凸形状的不连贯性的情况下，在所述成形层的表面上连续排布具有预定亚波长结构图案的单位区域。3.根据权利要求2所述的光学元件，其中，所述元件主体具有带状形状，并且其中，在所述元件主体的长度方向上连续排布所述单位区域。4.根据权利要求2所述的光学元件，其中，所述凹凸形状的不连贯性是所述预定亚波长结构图案的周期性无序。5.根据权利要求2所述的光学元件，其中，所述凹凸形状的不连贯性是彼此相邻的所述单位区域之间的重叠、间隙或未转印部。6.根据权利要求2所述的光学元件，其中，在不产生所述能量射线固化性树脂组合物的固化度的不连贯性的情况下连接所述单位区域，并且其中，所述能量射线固化性树脂组合物的固化度的不连贯性是聚合度的差异。7.根据权利要求1所述的光学元件，其中，通过从与所述元件主体相反的一侧推进被涂布在所述元件主体的表面上的所述能量射线固化性树脂组合物的固化反应来形成所述亚波长结构。8.根据权利要求1所述的光学元件，其中，所述亚波长结构被排布为在所述表面上形成多个轨迹，并且其中，所述轨迹之间的间距Tp在所述轨迹之间变动。9.根据权利要求1所述的光学元件，其中，所述亚波长结构形成格子图案，其中，所述亚波长结构被排布为在所述表面上形成多个轨迹，其中，所述格子图案包括六边形格子图案、准六边形格子图案、四边形格子图案和准四边形格子图案中的至少一种，其中，所述表面散射所述入射光的一部分，并且其中，所述散射光的强度小于所述入射光的强度的1/500。10.一种光学元件的制造方法，包括:在元件主体的表面上涂布能量射线固化性树脂组合物；以及通过使旋转母盘的旋转表面旋转并紧贴被涂布在所述元件主体的表面上的所述能量射线固化性树脂组合物，同时利用从设置在所述旋转母盘中的能量射线源辐射的能量射线通过所述旋转母盘的所述旋转表面照射所述能量射线固化性树脂组合物，以固化所述能量射线固化性树脂组合物，来在所述元件主体的表面上形成多个亚波长结构，其中，其上设置有所述多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且其中，所述散射光的强度分布是各向异性的。11.一种光学系统，包括:光学兀件；以及成像元件，具有通过所述光学元件接收光的成像区域；其中，光学元件包括:元件主体；以及多个亚波长结构，设置在所述元件主体的表面上，其中，所述亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，其中，所述元件主体对于用于固化所述能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，其中，其上设置有所述多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且其中，所述散射光的强度分布是各向异性的。12.根据权利要求11所述的光学系统，其中，所述散射光的到达所述成像区域的分量之和小于到达所述成像区域之外的分量之和。13.根据权利要求11所述的光学系统，其中，所述散射光的强度分布根据数值孔径NA而不同。14.根据权利要求13所述的光学系统，其中，在数值孔径NA(0.8范围内的所述散射光的强度分布的每单位立体角的强度小于在数值孔径NA>0.8范围内的所述散射光的强度分布的每单位立体角的强度。15.根据权利要求11所述的光学系统，其中，在所述成像区域中的所述散射光的强度分布的最大值小于在所述成像区域之外的区域中的所述散射光的强度分布的最大值。16.根据权利要求11所述的光学系统，其中，所述多个亚波长结构被排布为在所述光学元件的表面上形成多个行，并且其中，在所述区域中，所述行之间的间距P与参考间距P相比是变化的。17.根据权利要求16所述的光学系统，其中，所述成像区域具有拥有两组彼此面对的边的矩形形状，并且其中，所述行的方向与所述两组的边中的其中一组的边的延伸方向平行。18.根据权利要求17所述的光学系统，其中，所述两组的边由彼此面对的一组短边和彼此面对的一组长边形成，并且其中，所述行的方向与所述长边的延伸方向平行。19.一种成像装置，包括光学系统，所述光学系统包括光学元件以及具有通过所述光学元件接收光的成像区域的成像设备，其中，所述光学元件包括:元件主体；以及多个亚波长结构，设置在所述元件主体的表面上，其中，所述亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，其中，所述元件主体对于用于固化所述能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，其中，其上设置有所述多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且其中，所述散射光的强度分布是各向异性的。20.一种光学装置，包括光学系统，所述光学系统包括光学元件以及具有通过所述光学元件接收光的成像区域的成像设备，其中，所述光学元件包括:元件主体；以及多个亚波长结构，设置在所述元件主体的表面上，其中，所述亚波长结构包括能量射线固化性树脂组合物，其中，所述元件主体对于用于固化所述能量射线固化性树脂组合物的能量射线是不透明的，其中，其上设置有所述多个亚波长结构的表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且其中，所述散射光的强度分布是各向异性的。21.一种母盘，具有其上设置有多个亚波长结构的旋转表面，其中，所述旋转表面被配置为能够透射能量射线，其中，其上设置有所述多个亚波长结构的旋转表面具有其中通过散射入射光来产生散射光的区域，并且其中，所述散射光的强度分布是各向异性的。【文档编号】G02B1/11GK104185800SQ201380015491【公开日】2014年12月3日申请日期:2013年3月8日优先权日:2012年3月28日【发明者】田泽洋志,林部和弥申请人:索尼公司