光敏共聚物，包含所述光敏共聚物的光刻胶，和形成一种电子器件的方法
【专利摘要】本发明涉及一种光敏共聚物，包含所述光敏共聚物的光刻胶，和形成一种电子器件的方法。一种共聚物，其包含共聚单体与具有式（I）的单体的聚合产物：其中c是0、1、2、3、4或5，Ra是H、F、-CN、C1-10烷基或C1-10氟烷基；Rx和Ry每个独立地是未取代的或取代的C1-10线型或支化的烷基基团、未取代或取代的C3-10环烷基基团、未取代或取代的C3-10烯基烷基基团、或未取代或取代的C3-10炔基烷基基团，其中Rx和Ry一起任选地形成环；Rz是由含有缩醛的基团或含有缩酮的基团取代的C6-20芳基基团，或由含有缩醛的基团或含有缩酮的基团取代的C3-C20杂芳基，其中C6-20芳基基团或C3-C20杂芳基可任选地被进一步取代。本发明还描述了：一种含有所述共聚物的光刻胶、具有所述光刻胶层的已涂覆的基材、和采用所述光刻胶制备电子器件的方法。
【专利说明】光敏共聚物，包含所述光敏共聚物的光刻胶，和形成一种电子器件的方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及可用于光刻胶组合物的光敏共聚物。
[0002]简介
[0003]用于电子束和远紫外(EUV)光刻的光刻胶优选能展现出高敏感性。已证明现有的化学放大光刻胶的最优化是很困难的。敏感性对提高器件产量以及弥补EUV源的低功率来说，变得越来越重要。
[0004]化学放大光刻胶(CAR)的保护基团(离去基团)在获取良好光刻性能方面起着重要作用。这是因为，离去基团的反应性是影响光刻胶敏感性和分辨率的一个因素。参见如:H.1to的“用于微光刻的化学放大光刻胶” (“Chemical amplification resistsfor micro lithography”)，Adv.Polym.Sc1.2005,第 172 卷,第 37-245 页。之前的工作说明，高活性光刻胶聚合物和低活性光刻胶聚合物的混合物可提供所需的分辨率和敏感性的平衡。J.W.Thackeray, R.A.Nassar, K.Spear-Alfonso, T.Wallow,和 B.LaFontaine的“用于对EUV光刻的高活性和低活性光刻胶的评价”(“Evaluation of High and LowActivation Resists for EUV Lithography，，)， Journal of Photopolymer Science andTechnology2006,第19卷，第4期，第525-531页。不过，人们仍需要敏感性提高的光刻胶。
【发明内容】
[0005]一个实施方式是一种共聚物，其包含下列物质的聚合产物:具有式(I)的酸-可脱保护单体和共聚单体
[0006]
【权利要求】
1.一种共聚物，其包含以下物质的聚合产物: 具有式(I)的酸-可脱保护单体和共聚单体:
2.如权利要求1 的共聚物，其特征在于，所述酸-可脱保护单体含有至少两个除丙烯酸酯以外的酸-可脱保护基团。
3.如权利要求1或2的共聚物，其特征在于，所述Ry是未取代的C2_6线型烷基、氟取代的C3_6线型烷基、未取代的C3_6烯基烷基、或未取代的C3_1(l炔基烷基。
4.如权利要求1-3中的任一项的共聚物，其特征在于，所述Rz是:
5.如权利要求4的共聚物，其特征在于，所述Ra是氢或甲基。
6.如权利要求1的共聚物，其特征在于，所述酸-可脱保护单体是:
7.如权利要求1-6的任一共聚物，其特征在于，所述共聚单体包括以下单体中的至少一种: 具有式(II)的酸-可脱保护单体、式(III)的含内酯单体、式(IV)的碱溶性单体、式(V)的光致生酸单体:
8.一种包含如权利要求1-7任一项所述的共聚物的光刻胶组合物。
9.一种形成电子器件的方法，其包括:(a)在基材上施加如权利要求8所述的光刻胶组合物层；(b)以图案化方式将所述光刻胶组合物层曝光于活化辐射；以及(C)对经曝光的光刻胶组合物层进行显影，以提供光刻胶浮雕图像。
10.如权利要求9的方法，其特征在于，所述活化辐照是远紫外辐射或电子束辐射。
【文档编号】G03F7/00GK104004128SQ201410062164
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年2月24日 优先权日:2013年2月25日
【发明者】O·昂格伊, J·W·撒克里, J·F·卡梅伦 申请人:罗门哈斯电子材料有限公司