一种阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示【技术领域】，能够使得与隔垫物相接触的薄膜层的厚度均一化。该阵列基板包括显示区域和非显示区域；非显示区域包括横纵交叉的栅线和数据线以及薄膜晶体管所在的区域，栅线和数据线通过对间隔排列的靶材进行磁控溅射然后进行图案化工艺而形成；在非显示区域的对应于靶材间隔区域的区域中形成有衬垫结构，对应靶材间隔区域形成的金属薄膜层与衬垫结构的厚度之和与对应靶材正对区域形成的金属薄膜层的厚度相等。
【专利说明】一种阵列基板及其制作方法、显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]随着显不技术的飞速发展，TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，正逐渐成为主流的显示产品。
[0003]TFT-1XD由阵列基板和彩膜基板构成。在相互对盒的阵列基板和彩膜基板之间充入液晶，形成液晶盒，通过控制液晶的偏转，从而实现对光线强弱的控制，然后通过彩膜基板的滤光作用，实现彩色图像显示。通常需要在阵列基板和彩膜基板之间设置多个隔垫物，以支撑液晶盒的盒厚。
[0004]现有的阵列基板的制作过程中，需要将金属薄膜层10(例如栅极金属层、源漏金属层等)通过磁控溅射的方式沉积于透明基板100上。具体的，将用于形成金属薄膜层的多条靶材12如图1所示，以相互间隔排列的形式进行拼接，然后对拼接好的靶材进行磁控溅射以形成于透明基板100上的金属薄膜层10，这样能够提高靶材的利用率。然而，由于相邻的两条靶材之间具有间隔区域120。因此，在磁控溅射的过程中，在该间隔区域120形成于上述透明基板100的金属薄膜层10的厚度要小于靶材正对区域121形成的金属薄膜层10的厚度。所以形成的金属薄膜层10会凹凸不平，这样一来形成于该金属薄膜层10表面与隔垫物相接处的薄膜层的表面平整度会降低，从而导致位于阵列基板上的多个隔垫物之间的高度不均一，例如，靶材间隔区域120对应透明基板100上金属薄膜层10的高度会小于正常值，使得位于其上的隔垫物无法起到支撑作用，进而造成显示异常等不良现象的产生，严重影响产品的质量。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够使得与隔垫物相接触的薄膜层的厚度均一化。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域；所述非显示区域包括横纵交叉的栅线和数据线以及薄膜晶体管所在的区域，所述栅线和所述数据线通过对间隔排列的靶材进行磁控溅射形成金属薄膜层并对所述金属薄膜层进行图形化而形成；所述非显示区域的对应于所述靶材间隔区域的区域中形成有衬垫结构，所述对应所述靶材间隔区域形成的所述金属薄膜层与所述衬垫结构的厚度之和与对应所述靶材正对区域形成的所述金属薄膜层的厚度相等。
[0008]本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板。
[0009]本发明实施例的又一方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域；所述方法包括在所述非显示区域，对间隔排列的靶材进行磁控溅射形成金属薄膜层并对所述金属薄膜层进行图形化而形成横纵交叉的栅线和数据线的方法，以及形成薄膜晶体管的方法；其特征在于，所述方法还包括:
[0010]在所述非显示区域内，在对应于所述靶材间隔区域的区域中形成衬垫结构，所述对应所述靶材间隔区域形成的所述金属薄膜层与所述衬垫结构的厚度之和与对应所述靶材正对区域形成的所述金属薄膜层的厚度相等。
[0011]本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括显示区域和非显示区域；该非显示区域包括横纵交叉的栅线和数据线以及薄膜晶体管所处的位置。其中，栅线和数据线通过对间隔排列的靶材进行磁控溅射然后进行图形化工艺而形成。在非显示区域的对应靶材间隔区域的区域中形成有衬垫结构，对应靶材间隔区域形成的金属薄膜层与衬垫结构的厚度之和与对应靶材正对区域形成的金属薄膜层的厚度相等。这样一来，形成于上述金属薄膜层的与隔垫物相接触的薄膜层的厚度能够均一化，使得位于阵列基板上的每个隔垫物都对液晶盒的盒厚进行支撑，从而保持了盒厚的平衡，提高了产品的质量。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1为现有技术提供的一种磁控溅射方法示意图；
[0014]图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0015]图3为本发明实施例提供的一种衬垫结构的结构示意图；
[0016]图4为本发明实施例提供的另一种衬垫结构的结构示意图；
[0017]图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0018]图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图。
【具体实施方式】
[0019]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0020]本发明实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括显示区域113和非显示区域123。其中，非显示区域123包括横纵交叉的栅线101和数据线102以及薄膜晶体管TFT103所在的区域，栅线101和数据线102通过对间隔排列的靶材12 (如图1所示)进行磁控溅射形成金属薄膜层并对该金属薄膜层进行图形化形成。
[0021]其中，非显示区域123的对应于靶材12间隔区域120的区域中形成有衬垫结构104，对应靶材12间隔区域120形成的金属薄膜层10与衬垫结构104的厚度之和与对应靶材12正对区域121形成的金属薄膜层10的厚度相等。[0022]需要说明的是，为了提高利用率一般将上述靶材12以相互间隔排列的形式进行拼接，通过磁控溅射工艺沉积于透明基板100上以形成阵列基板上的金属薄膜层10。由于对应靶材12间隔区域120形成的金属薄膜层10的厚度小于对应靶材12正对区域121形成的金属薄膜层10的厚度。这样一来，形成的金属薄膜层10会出现凹凸不平的现象，使得形成于该金属薄膜层10表面的与隔垫物(图中未示出)相接处的薄膜层的表面平整度下降。这样位于阵列基板上的部分隔垫物不能起到支撑液晶盒盒厚的作用。通过上述设置于非显示区域123的衬垫结构104，可以增高对应于靶材12间隔区域120形成的金属薄膜层10的厚度，以使得对应靶材12间隔区域120形成的金属薄膜层10与衬垫结构104的厚度之和与对应靶材12正对区域121形成的金属薄膜层10的厚度相等。从而使得形成于该金属薄膜层10表面的与隔垫物相接触的薄膜层厚度均一。
[0023]本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括显示区域和非显示区域；该非显示区域包括横纵交叉的栅线和数据线以及薄膜晶体管所处的位置。其中，栅线和数据线通过对间隔排列的靶材进行磁控溅射然后进行图形化工艺而形成。在非显示区域的对应靶材间隔区域的区域中形成有衬垫结构，对应靶材间隔区域形成的金属薄膜层与衬垫结构的厚度之和与对应靶材正对区域形成的金属薄膜层的厚度相等。这样一来，形成于上述金属薄膜层的与隔垫物相接触的薄膜层的厚度能够均一化，使得位于阵列基板上的每个隔垫物都对液晶盒的盒厚进行支撑，从而保持了盒厚的平衡，提高了产品的质量。
[0024]进一步地，如图3所示，上述金属薄膜层10可以包括位于透明基板100表面的栅极金属层200。
[0025]需要说明的是，阵列基板上的有多种金属薄膜层10，例如构成栅线101的栅极金属层200、构成TFT103的源级和漏极的源漏极金属层等等。对于将公共电极设置于彩膜基板上的TN (Twist Nematic，扭曲向列)型显示装置而言，可以作为阵列基板上第一层金属薄膜层的栅极金属层200位于透明基板100的表面。因此，需要在栅极金属层200的表面制作衬垫结构104，以增高对应于靶材12间隔区域120形成的栅极金属层200的厚度，可以使得形成于栅极金属层200表面的与隔垫物相接触的薄膜层的厚度均一化。从而可以提高阵列基板的质量。
[0026]其中，TN型显示装置，是采用垂直电场原理的液晶显示器，通过被相对布置在彩膜基板上的公共电极和在阵列基板上的像素电极之间形成垂直电场来驱动求转向列模式的液晶。垂直电场液晶显示器具有大孔径比的优点，而且具有约90°的窄视角的缺点。
[0027]进一步地，该衬垫结构104还可以包括增高层201，该增高层201与TFT的半导体有源层材质相同。其中，TFT的半导体有源层同层可以采用IGZO (indium gallium zincoxide,铟镓锌氧化物)构成。这样一来，可以在制作TFT的半导体有源层的同时通过构图工艺完成增高层201的制作。从而省去了单独制作具有增高层201的衬垫结构104的制作工序，进而能够简化制作工艺提高生产效率。
[0028]需要说明的是，在本发明中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
[0029]进一步地，如图3所示，衬垫结构104还可以包括:[0030]在非显示区域123内的由从栅极绝缘层200表面起依次形成的第一绝缘层202、刻蚀保护层203、源漏极金属层204以及第二绝缘层205构成的梯形堆叠结构。其中该梯形堆叠结构具体是指，如图3所示，形成于栅极绝缘层200表面的面积依次减小的多个薄膜层的堆叠结构。其中，距离栅极绝缘层200最近的薄膜层(第一绝缘层202)的面积最大，距离栅极绝缘层200最远的薄膜层(第二绝缘层205)的面积最小。这样一来，形成的上小下大结构的衬垫结构104，与隔垫物相接触时，能够提高隔垫物支撑液晶盒时的稳定性。
[0031]这样一来，衬垫结构104除了上述增高层201以外，还具有构成阵列基板的其它薄膜层。由于上述增高层201增加了对应靶材12间隔区域120形成的栅极绝缘层200的厚度。因此使得对应靶材12间隔区域120处形成的与隔垫物相接触的薄膜层和对应靶材12正对区域121形成的与隔垫物相接触的薄膜层的厚度基本相等，提高了与隔垫物相接处的薄膜层厚度的均一性。从而使得位于阵列基板上的每个隔垫物都对液晶盒的盒厚进行支撑，保持了盒厚的平衡，提高了产品的质量。
[0032]需要说明的是，本发明实施例提供的阵列基板还可以适用于FSS (Fringe FieldSwitching,边缘场开关)型液晶显示器。
[0033]如图4所示，上述衬垫结构104还可以包括:
[0034]在非显示区域123内的位于透明基板100与栅极金属层200之间的第一电极层300。对于将第一电极层300和第二电极层301均设置在阵列基板上的FFS型显示装置而言，作为阵列基板上的第一层金属薄膜层的栅极金属层200位于第一电极层300的表面。因此为了使得形成于栅极金属层200的表面与隔垫物相接触的薄膜层的厚度均一。可以在非显示区域123内，在对应于靶材12间隔区域120形成的栅极金制属层200于透明基板100之间，制作由第一电极层300构成的衬垫结构104。从而增高对应于靶材12间隔区域120形成的栅极金属层200的厚度，使得形成于栅极金属层200表面的与隔垫物相接触的薄膜层厚度均一。进而可以提高阵列基板的质量。
[0035]其中，FFS技术通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
[0036]为了进一步提高阵列基板上与隔垫物相接触的薄膜层厚度的均一性，如图5所示，该衬垫结构104还可以包括:
[0037]在非显示区域123内的位于第二绝缘层205表面的第二电极层301。这样一来，可以在非显示区域123内，在对应靶材12间隔区域120形成的薄膜金属层的位置，通过增加第一电极层300、增高层203以及第二电极层301以构成衬垫结构104，使得对应靶材12间隔区域120形成的金属薄膜层与衬垫结构104的厚度之和与对应靶材12正对区域121形成的金属薄膜层的厚度相等，这样阵列基板上与隔垫物相接触的薄膜层厚度均一。从而使得位于阵列基板上的每个隔垫物都对液晶盒的盒厚进行支撑，保持了盒厚的平衡，提高了产品的质量。
[0038]进一步地，第一电极层300可以为公共电极，第二电极层301可以为像素电极；或，
[0039]第一电极层300可以为像素电极，第二电极层301可以为公共电极。
[0040]需要说明的是，在FFS型显示装置的阵列基板中，公共电极和像素电极可以异层设置，其中位于上层的电极包含多个狭缝型电极，位于下层的电极包含多个狭缝型电极或为平板形电极。
[0041]异层设置是针对至少两种图案而言的，至少两种图案异层设置是指，分别将至少两层薄膜通过构图工艺形成至少两种图案。对于两种图案异层设置是指，通过构图工艺，由两层薄膜各形成一种图案。例如，公共电极和像素电极异层设置是指:由第一透明电极薄膜层通过构图工艺形成下层电极，由第二透明电极薄膜层通过构图工艺形成上层电极，其中，下层电极为公共电极(或像素电极)，上层电极为像素电极(或公共电极)。其中，如图5所示，位于上层电极为狭缝形的像素电极，位于下层电极为平面形的公共电极。
[0042]本发明实施例提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板，具有与本发明前述实施例提供的阵列基板相同的有益效果，由于阵列基板在前述实施例中已经进行了详细说明，此处不再赘述。
[0043]在本发明实施例中，显示装置具体可以包括液晶显示装置，例如该显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
[0044]本发明实施例提供一种显示装置，包括阵列基板，该阵列基板包括显示区域和非显示区域；该非显示区域包括横纵交叉的栅线和数据线以及薄膜晶体管所处的位置。其中，栅线和数据线通过对间隔排列的靶材进行磁控溅射然后进行图形化工艺而形成。在非显示区域的对应靶材间隔区域的区域中形成有衬垫结构，对应靶材间隔区域形成的金属薄膜层与衬垫结构的厚度之和与对应靶材正对区域形成的金属薄膜层的厚度相等。这样一来，形成于上述金属薄膜层的与隔垫物相接触的薄膜层的厚度能够均一化，使得位于阵列基板上的每个隔垫物都对液晶盒的盒厚进行支撑，从而保持了盒厚的平衡，提高了产品的质量。
[0045]本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，其中，如图2所示，阵列基板包括显示区域113和非显示区域123 ;该制作方法包括在非显示区域123，对间隔排列的靶材12进行磁控溅射(如图1所示)形成金属薄膜层并对该金属薄膜层进行图形化而形成横纵交叉的栅线101和数据线102的方法，以及形成薄膜晶体管TFT103的方法。其中，上述制作方法还可以包括:
[0046]在非显示区域123内，在对应于靶材12间隔区域120的区域中形成衬垫结构104，对应靶材12间隔区域120形成的金属薄膜层10与衬垫结构104的厚度之和与对应靶材12正对区域121形成的金属薄膜层10的厚度相等。
[0047]需要说明的是，为了提高利用率一般将上述靶材12以相互间隔排列的形式进行拼接，通过磁控溅射工艺沉积于透明基板100上以形成阵列基板上的金属薄膜层10。由于，对应靶材12间隔区域120形成的金属薄膜层10的厚度小于对应靶材12正对区域121形成的金属薄膜层10的厚度。这样一来，形成的金属薄膜层10会出现凹凸不平的现象，使得形成于该金属薄膜层10表面的与隔垫物(图中未示出)相接处的薄膜层的表面平整度下降。这样位于阵列基板上的部分隔垫物不能起到支撑液晶盒盒厚的作用。通过上述设置于非显示区域123的衬垫结构104，可以增高对应于靶材12间隔区域120形成的金属薄膜层10的厚度，以使得对应靶材12间隔区域120形成的金属薄膜层10与衬垫结构的厚度之和与对应靶材12正对区域121形成的金属薄膜层10的厚度相等。从而使得形成于该金属薄膜层10表面的与隔垫物相接触的薄膜层厚度均一。[0048]本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，该阵列基板包括显示区域和非显示区域；该制作方法包括在非显示区域，对间隔排列的靶材进行磁控溅射形成金属薄膜层并对金属薄膜层进行图形化而形成横纵交叉的栅线和数据线的方法，以及形成薄膜晶体管的方法。该方法还包括在非显示区域内，在对应于靶材间隔区域的区域中形成衬垫结构，对应所述靶材间隔区域形成的金属薄膜层与衬垫结构的厚度之和与对应所述靶材正对区域形成的金属薄膜层的厚度相等。这样一来，与隔垫物相接触的薄膜层的厚度能够均一化，使得位于阵列基板上的每个隔垫物都对液晶盒的盒厚进行支撑，从而保持了盒厚的平衡，提高了产品的质量。
[0049]进一步地，形成金属薄膜层10的方法包括在透明基板100上沉积栅极绝缘层200。
[0050]需要说明的是，阵列基板上的有多种金属薄膜层10，例如构成栅线101的栅极金属层200、构成TFT103的源级和漏极的源漏极金属层等等。对于将公共电极设置于彩膜基板上的TN (Twist Nematic，扭曲向列)型显示装置而言，可以作为阵列基板上第一层金属薄膜层的栅极金属层200位于透明基板100的表面。因此，需要在栅极金属层200的表面制作衬垫结构104，以增高对应于靶材12间隔区域120形成的栅极金属层200的厚度，可以使得形成于栅极金属层200表面的与隔垫物相接触的薄膜层的厚度均一化。从而可以提高阵列基板的质量。
[0051]进一步地，制作衬垫结构104的方法可以包括:
[0052]通过一次构图工艺采用与薄膜晶体管TFT的半导体有源层相同的材质形成增高层201的图案。其中，TFT的半导体有源层同层可以采用IGZ0(indium gallium zinc oxide,铟镓锌氧化物)构成。这样一来，可以在制作TFT的半导体有源层的同时通过构图工艺完成增高层201的制作。从而省去了单独制作具有增高层201的衬垫结构104的制作工序，进而能够简化制作工艺提高生产效率。
[0053]进一步地，制作衬垫结构104的方法，如图6所示，还可以包括:
[0054]S101、在形成有上述结构的基板表面通过构图工艺在栅极金属层200与增高层201之间形成第一绝缘层202的图案。
[0055]S102、在形成有增高层201的基板表面通过构图工艺依次形成刻蚀保护层203、源漏极金属层204以及第二绝缘层205的图案。
[0056]其中，第一绝缘层202、刻蚀保护层203、源漏极金属层204、第二绝缘层205构成的梯形堆叠结构。
[0057]具体的，该梯形堆叠结构具体是指，如图3所示，形成于栅极绝缘层200表面的面积依次减小的多个薄膜层的堆叠结构。其中，距离栅极绝缘层200最近的薄膜层(第一绝缘层202)的面积最大，距离栅极绝缘层200最远的薄膜层(第二绝缘层205)的面积最小。这样一来，形成的上小下大结构的衬垫结构104，与隔垫物相接触时，能够提高隔垫物支撑液晶盒时的稳定性。
[0058]这样一来，衬垫结构104除了上述增高层201以外，还具有构成阵列基板的其它薄膜层。由于上述增高层201增加了对应靶材12间隔区域120形成的栅极绝缘层200的厚度。因此使得对应靶材12间隔区域120处形成的与隔垫物相接触的薄膜层和对应靶材12正对区域121形成的与隔垫物相接触的薄膜层的厚度基本相等，提高了与隔垫物相接处的薄膜层厚度的均一性。从而使得位于阵列基板上的每个隔垫物都对液晶盒的盒厚进行支撑，保持了盒厚的平衡，提高了产品的质量。
[0059]进一步地，当本发明实施例提供的阵列基板的制作方法应用于FSS(Fringe FieldSwitching，边缘场开关)型液晶显示器时，在透明基板100上沉积栅极绝缘层200的步骤之前，制作衬垫结构104的方法还可以包括:
[0060]在透明基板100的表面形成第一电极层300的图案。
[0061]对于将第一电极层300和第二电极层301均设置在阵列基板上的FFS型显示装置而言，作为阵列基板上的第一层金属薄膜层的栅极金属层200位于第一电极层300的表面。因此为了使得形成于栅极金属层200的表面与隔垫物相接触的薄膜层的厚度均一。可以在透明基板100上沉积栅极绝缘层200的步骤之前，在透明基板100的表面形成第一电极层300的图案。该第一电极层300构成了衬垫结构104。从而可以增高对应于靶材12间隔区域120形成的栅极金属层200的厚度，使得形成于栅极金属层200表面的与隔垫物相接触的薄膜层厚度均一。进而可以提高阵列基板的质量。
[0062]其中，FFS技术通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
[0063]为了进一步提高阵列基板上与隔垫物相接触的薄膜层的平坦度，制作衬垫结构104的方法还可以包括:
[0064]在形成有第二绝缘层205的基板表面通过构图工艺形成第二电极层301的图案。这样一来，可以在非显示区域123内，在对应靶材12间隔区域120形成的薄膜金属层的位置，通过增加制作第一电极层300、增高层203以及第二电极层301来衬垫结构104，使得对应靶材12间隔区域120形成的金属薄膜层与衬垫结构104的厚度之和与对应靶材12正对区域121形成的金属薄膜层的厚度相等，这样阵列基板上与隔垫物相接触的薄膜层厚度均一。从而使得位于阵列基板上的每个隔垫物都对液晶盒的盒厚进行支撑，保持了盒厚的平衡，提闻了广品的质量。
[0065]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域；所述非显示区域包括横纵交叉的栅线和数据线以及薄膜晶体管所在的区域，所述栅线和所述数据线通过对间隔排列的靶材进行磁控溅射形成金属薄膜层并对所述金属薄膜层进行图形化而形成；其特征在于， 所述非显示区域的对应于所述靶材间隔区域的区域中形成有衬垫结构，所述对应所述靶材间隔区域形成的所述金属薄膜层与所述衬垫结构的厚度之和与对应所述靶材正对区域形成的所述金属薄膜层的厚度相等。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属薄膜层包括位于透明基板表面的栅极金属层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于， 所述衬垫结构包括增高层，所述增高层与所述薄膜晶体管的半导体有源层材质相同。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述衬垫结构还包括: 在所述非显示区域内的由从所述栅极金属层表面起依次形成的第一绝缘层、刻蚀保护层、源漏极金属层、第二绝缘层构成的梯形堆叠结构。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述衬垫结构还包括: 在所述非显示区域内的位于所述透明基板与所述栅极金属层之间的第一电极层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述衬垫结构还包括: 在所述非显示区域内的位于所述第二绝缘层表面的第二电极层。
7.根据权利要求5或6所述的·阵列基板，其特征在于， 所述第一电极层为公共电极，所述第二电极层为像素电极；或， 所述第一电极层为像素电极，所述第二电极层为公共电极。
8.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域；所述方法包括在所述非显示区域，对间隔排列的靶材进行磁控溅射形成金属薄膜层并对所述金属薄膜层进行图形化而形成横纵交叉的栅线和数据线的方法，以及形成薄膜晶体管的方法；其特征在于，所述方法还包括: 在所述非显示区域内，在对应于所述靶材间隔区域的区域中形成衬垫结构，所述对应所述靶材间隔区域形成的所述金属薄膜层与所述衬垫结构的厚度之和与对应所述靶材正对区域形成的所述金属薄膜层的厚度相等。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，形成金属薄膜层的方法包括在所述透明基板上沉积栅极绝缘层。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，制作所述衬垫结构的方法包括: 通过一次构图工艺与采用与所述薄膜晶体管的半导体有源层相同的材质形成增高层的图案。
12.根据权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，制作所述衬垫结构的方法还包括: 在形成有上述结构的基板表面通过构图工艺在所述栅极金属层与所述增高层之间形成第一绝缘层的图案； 在形成有所述增高层的基板表面通过构图工艺依次形成刻蚀保护层、源漏极金属层第二绝缘层的图案； 其中，所述第一绝缘层、刻蚀保护层、源漏极金属层以及第二绝缘层构成梯形堆叠结构。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述透明基板上沉积栅极绝缘层的步骤之前，制作所述衬垫结构的方法还包括: 在所述透明基板的表面形成第一电极层的图案。
14.根据权利要求13所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，制作所述衬垫结构的方法还包括: 在形成有所述第二绝缘层的基板表`面通过构图工艺形成第一电极层的图案。
【文档编号】G02F1/1368GK103852946SQ201410062665
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2014年2月24日 优先权日:2014年2月24日
【发明者】蔡振飞, 陈正伟 申请人:合肥鑫晟光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司