一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置，涉及显示【技术领域】，可避免由于树脂层暴露在空气中而引发的各种mura现象；该阵列基板包括衬底基板、依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、树脂层以及像素电极，在此基础上，所述阵列基板还包括设置在所述树脂层与所述像素电极之间的钝化层，且所述钝化层完全包裹所述树脂层。用于阵列基板、包括该阵列基板的液晶显示装置的设计及制造。
【专利说明】一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置。
【背景技术】
[0002] 薄膜场效应晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-IXD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的显示器市场中占据主导地 位。
[0003] TFT-IXD包括阵列基板、彩膜基板以及位于二者之间的液晶层。其中，阵列基板包 括设置在衬底基板上的栅极、与栅极同层的栅线、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极、像 素电极等。
[0004] 其中，由于栅极和漏极之间存在寄生电容，并且当该阵列基板为底栅型阵列基板 时，由于像素电极与数据线之间最多只有一层氮化硅的保护层而易受到数据线产生电场的 干扰，因此，通常采用介电常数较低的树脂层来代替保护层，以解决上述寄生电容以及干扰 的问题。
[0005] 然而，当树脂材料暴露于空气中时，其容易吸收水分，从而引发各种画面品质不良 (mura)现象的出现。
【发明内容】
[0006] 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置，可避免由于树脂层暴 露在空气中而引发的各种mura现象。
[0007] 为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
[0008] -方面，提供一种阵列基板，包括衬底基板、依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶 体管、树脂层以及像素电极，在此基础上，所述阵列基板还包括设置在所述树脂层与所述像 素电极之间的钝化层，且所述钝化层完全包裹所述树脂层。
[0009] 优选的，所述树脂层的边缘距离所述衬底基板的边缘1000-2000 μ m ;所述钝化层 的边缘与所述衬底基板的边缘齐平。
[0010] 优选的，所述阵列基板还包括设置在所述树脂层与所述钝化层之间公共电极。
[0011] 基于上述，优选的，所述树脂层的材料为光刻胶。
[0012] 优选的，所述阵列基板还包括设置在所述树脂层靠近所述衬底基板一侧且与所述 树脂层接触的粘附层；其中，所述粘附层用于增强所述树脂层的粘附性。
[0013] 另一方面，提供一种液晶显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。
[0014] 再一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上依次形成薄膜晶体 管、树脂层、以及像素电极，在此基础上，所述方法还包括在所述树脂层与所述像素电极之 间形成钝化层，且所述钝化层完全包裹所述树脂层。
[0015] 优选的，形成所述树脂层和所述钝化层包括：
[0016] 在形成有所述薄膜晶体管的基板上，通过一次构图工艺形成所述树脂层，所述树 脂层包括露出所述薄膜晶体管的漏极的第一过孔；其中，所述树脂层的边缘距离所述衬底 基板的边缘1000-2000 μ m;在形成有所述树脂层的基板上，通过一次构图工艺形成所述钝 化层，所述钝化层包括与所述第一过孔对应的第二过孔；其中，所述钝化层的边缘与所述衬 底基板的边缘齐平。
[0017] 进一步优选的，所述在形成有所述薄膜晶体管的基板上，通过一次构图工艺形成 所述树脂层，包括：
[0018] 在形成有所述薄膜晶体管的基板上，形成光刻胶薄膜；采用普通掩模板对形成有 所述光刻胶薄膜的基板进行曝光，形成光刻胶完全曝光部分和光刻胶未曝光部分；其中，所 述光刻胶完全曝光部分至少对应所述第一过孔的区域和所述衬底基板的边缘区域，所述光 刻胶未曝光部分对应其他区域；显影后，所述光刻胶未曝光部分形成所述树脂层。
[0019] 基于上述，优选的，所述方法还包括：在所述树脂层与所述钝化层之间形成公共电 极；其中，在所述第一过孔和所述第二过孔对应的位置，所述公共电极断开。
[0020] 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置，该阵列基板包括衬底 基板、依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、树脂层以及像素电极，在此基础上，所述 阵列基板还包括设置在所述树脂层与所述像素电极之间的钝化层，且所述钝化层完全包裹 所述树脂层。
[0021] 由于所述树脂层位于所述薄膜晶体管和所述像素电极之间，因此，不管是顶栅型 薄膜晶体管还是底栅型薄膜晶体管，本发明实施例提供的阵列基板，均可以增大栅极与像 素电极之间、漏极或栅极与像素电极之间的距离，从而可以解决栅极与漏极之间的寄生电 容以及像素电极受到数据线或栅线干扰的问题。在此基础上，由于还设置有包裹所述树脂 层的钝化层，所述钝化层可以使所述树脂层与空气、水隔绝，从而可以避免由于树脂层暴露 在空气中而引发的各种mura现象。
【专利附图】
【附图说明】
[0022] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0023] 图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视不意图；
[0024] 图2为图1所示阵列基板的AA'向剖视示意图；
[0025] 图3为本发明实施例提供的一种阵列基板中树脂层和钝化层的俯视示意图；
[0026] 图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；
[0027] 图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二；
[0028] 图6a_6b为本发明实施例提供的制备树脂层和钝化层的过程示意图；
[0029] 图7a_7b为本发明实施例提供的制备树脂层的过程示意图。
[0030] 附图标记：
[0031] 01-阵列基板；10-衬底基板；20-薄膜晶体管；201-栅极；202-栅绝缘层；203-半 导体有源层；204-源极；205-漏极；206-栅线；207-数据线；30-树脂层；30a-光刻胶薄 膜；30al-光刻胶完全曝光部分；30a2-光刻胶未曝光部分；301-第一过孔；40-像素电极； 50-钝化层；501-第二过孔；60-公共电极；70-粘附层。
【具体实施方式】
[0032] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0033] 本发明实施例提供了一种阵列基板01，如图1和2所示，该阵列基板01包括衬底 基板10、依次设置在所述衬底基板上10的薄膜晶体管20、树脂层30以及像素电极40,在 此基础上，所述阵列基板01还包括设置在所述树脂层30与所述像素电极40之间的钝化层 50,且所述钝化层50完全包裹所述树脂层30。
[0034] 其中，所述薄膜晶体管20包括栅极201、栅绝缘层202、半导体有源层203、源极 204和漏极205。所述阵列基板还包括与所述栅极201电连接的栅线206、与所述源极204 电连接的数据线207。
[0035] 需要说明的是，第一，不对所述薄膜晶体管20的类型进行限定，其可以是顶栅型， 也可以是底栅型。
[0036] 第二，不对所述薄膜晶体管20的半导体有源层203的材料进行限定，其可以是非 晶硅，金属氧化物等。
[0037] 其中，当所述半导体有源层203的材料为非晶硅时，优选在所述半导体有源层203 与所述源极204、漏极205之间设置欧姆接触层。当所述半导体有源层203的材料为金属 氧化物半导体时，为了避免刻蚀形成所述源极204和所述漏极205时，对所述半导体有源层 203造成影响，优选在形成所述半导体有源层203后形成所述源极204和所述漏极205之 前，形成刻蚀阻挡层。
[0038] 此外，所述半导体有源层203的材料也可以为其他，具体可根据实际情况进行设 定，在此不做限定。
[0039] 第三，所述钝化层50可以与所述树脂层30接触，也可以在所述钝化层50和所述 树脂层30之间设置其他图案层，只要在最终形成的所述阵列基板01中，所述钝化层50完 全包裹所述树脂层30即可。
[0040] 其中，所述钝化层50完全包裹所述树脂层30,即为：所述树脂层30在所述衬底基 板10上的投影完全重叠于所述钝化层50在所述衬底基板10上的投影，且所述钝化层50 在所述衬底基板10上的投影的尺寸大于所述树脂层30在所述衬底基板10上的投影的尺 寸。
[0041] 本发明实施例提供了一种阵列基板01，包括衬底基板10、依次设置在所述衬底基 板上的薄膜晶体管20、树脂层30以及像素电极40,在此基础上，所述阵列基板01还包括设 置在所述树脂层30与所述像素电极40之间的钝化层50,且所述钝化层50完全包裹所述树 脂层30。
[0042] 由于所述树脂层30位于所述薄膜晶体管20和所述像素电极40之间，因此，不管 是顶栅型薄膜晶体管还是底栅型薄膜晶体管，本发明实施例提供的阵列基板，均可以增大 栅极201与像素电极40之间、漏极205或栅极201与像素电极40之间的距离，从而可以解 决栅极201与漏极205之间的寄生电容以及像素电极40受到数据线207或栅线206干扰 的问题。在此基础上，由于还设置有包裹所述树脂层30的钝化层50,所述钝化层50可以 使所述树脂层30与空气、水隔绝，从而可以避免由于树脂层30暴露在空气中而引发的各种 mura现象。
[0043] 当该阵列基板01应用于液晶显示装置时，为了避免对液晶显示装置的透过率产 生影响，本发明实施例中，将所述树脂层30的材料优选设置为具有高透过率的树脂材料。
[0044] 在此基础上，所述树脂层30的材料优选为光刻胶材料，这样可以简化形成所述树 脂层30时的工艺步骤，并且节省成本。
[0045] 优选的，如图3所示，所述树脂层30的边缘距离所述衬底基板10的边缘 1000-2000 μ m ;所述钝化层50的边缘与所述衬底基板10的边缘齐平。
[0046] 通过在形成所述树脂层30时，使所述树脂层30的边缘距离所述衬底基板10的边 缘1000-2000 μ m，可以在后续形成所述钝化层50时，容易使所述钝化层50完全包裹所述树 脂层30, S卩，不至于由于树脂层30的边缘距离所述衬底基板10的边缘距离太小，而无法在 所述树脂层30的侧面形成所述钝化层30的相应部分。
[0047] 优选的，本发明实施例提供的阵列基板01可以适用于高级超维场转换技术 (Advanced Super Dimensional Switching,简称ADS)型液晶显示装置的生产。其中，高级 超维场转换技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以 及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正 上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高 级超维场转换技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、 宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（Push Mura)等优点。
[0048] 因此，如图4所示，所述阵列基板01还包括设置在所述树脂层30与所述钝化层50 之间公共电极60。
[0049] 其中，所述公共电极60为板状电极，所述像素电极40为狭缝电极。
[0050] 这里，将所述公共电极60设置在所述树脂层30上方，还可以避免公共电极60受 到数据线207或栅线206的干扰。
[0051] 基于上述，优选的，如图5所示，所述阵列基板01还包括设置在所述树脂层30靠 近所述衬底基板10 -侧且与所述树脂层30接触的粘附层70 ;其中，所述粘附层70用于增 强所述树脂层30的粘附性。
[0052] 这里，由于树脂层30和与其接触的膜层结合强度不够强，因此采用所述粘附层70 来增强所述树脂层30与位于所述树脂层30下方的薄膜晶体管20最靠近所述树脂层30例 如源极204和漏极205的结合强度，其材质可以选用例如氮化硅。
[0053] 需要说明的是，所述粘附层70的尺寸可以与所述树脂层30的尺寸完全一致，在此 情况下，可以采用普通掩膜板通过一次构图工艺同时形成所述粘附层70和所述树脂层30 ; 当然，所述粘附层70的尺寸可以与所述树脂层30的尺寸不一致，在此情况下，可根据实际 情况，采用一次或两次构图工艺形成所述粘附层70和所述树脂层30 ;具体可以根据实际情 况进行设定，在此不做限定。
[0054] 本发明实施例还提供了一种液晶显示装置，包括上述的阵列基板01。
[0055] 此处，本发明实施例所述液晶显示装置具体可以是液晶显示器、液晶电视、数码相 框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
[0056] 本发明实施例还提供了一种阵列基板01的制备方法，参考图1和图2所示，该方 法包括：在衬底基板10上依次形成薄膜晶体管20、树脂层30、以及像素电极40,在此基础 上，所述方法还包括在所述树脂层30与所述像素电极40之间形成钝化层50,且所述钝化层 50完全包裹所述树脂层30。
[0057] 其中，所述薄膜晶体管20包括栅极201、栅绝缘层202、半导体有源层203、源极 204和漏极205。所述阵列基板还包括与所述栅极201电连接的栅线206、与所述源极204 电连接的数据线207。
[0058] 由于所述树脂层30形成于所述薄膜晶体管20和所述像素电极40之间，因此，不 管是顶栅型薄膜晶体管还是底栅型薄膜晶体管，本发明实施例提供的阵列基板，均可以增 大栅极201与像素电极40之间、漏极205或栅极201与像素电极40之间的距离，从而可以 解决栅极201与漏极205之间的寄生电容以及像素电极40受到数据线207或栅线206干 扰的问题。在此基础上，由于还设置有包裹所述树脂层30的钝化层50,所述钝化层50可以 使所述树脂层30与空气、水隔绝，从而可以避免由于树脂层30暴露在空气中而引发的各种 mura现象。
[0059] 优选的，形成所述树脂层30和所述钝化层50具体可以包括如下步骤：
[0060] S101、如图6a所示，在形成有所述薄膜晶体管20的基板上，通过一次构图工艺形 成所述树脂层30,所述树脂层30包括露出所述漏极205的第一过孔301 ;其中，所述树脂层 的30边缘距离所述衬底基板10的边缘1000-2000 μ m。
[0061] 其中，优选将所述树脂层30的材料设置为具有高透过率的树脂材料。在此基础 上，所述树脂层30的材料优选为光刻胶材料，这样可以简化形成所述树脂层30时的工艺步 骤，并且节省成本。
[0062] S102、如图6b所示，在形成有所述树脂层30的基板上，通过一次构图工艺形成所 述钝化层50,所述钝化层50包括与所述第一过孔301对应的第二过孔501 ;其中，所述钝化 层50的边缘与所述衬底基板10的边缘齐平。
[0063] 在此基础上，后续形成的所述像素电极40便可以通过所述第二过孔501和所述第 一过孔301与所述漏极205电连接。
[0064] 进一步的，上述步骤S101，具体可以通过如下步骤实现：
[0065] S1011、如图7a所示，在形成有所述薄膜晶体管20的基板上，形成光刻胶薄膜30a。
[0066] S1012、如图7b所示，采用普通掩模板对形成有所述光刻胶薄膜30a的基板进行曝 光，形成光刻胶完全曝光部分30al和光刻胶未曝光部分30a2 ;其中，所述光刻胶完全曝光 部分30al至少对应所述第一过孔301的区域和所述衬底基板10的边缘区域，所述光刻胶 未曝光部分30a2对应其他区域。
[0067] S1013、参考图6a所示，显影后，所述光刻胶未曝光部分30a2形成所述树脂层30。
[0068] 基于上述，优选的，参考图4所示，所述方法还包括：在所述树脂层30与所述钝化 层50之间形成公共电极60 ;其中，在所述第一过孔301和所述第二过孔501对应的位置， 所述公共电极60断开。
[0069] 这里，将所述公共电极60设置在所述树脂层30上方，还可以避免公共电极60受 到数据线207或栅线206的干扰。
[0070] 进一步优选的，参考图5所示，所述阵列基板01还包括形成在所述树脂层30靠近 所述衬底基板10 -侧且与所述树脂层30接触的粘附层70 ;其中，所述粘附层70用于增强 所述树脂层30的粘附性。
[0071] 这里，采用所述粘附层70来增强所述树脂层30与位于所述树脂层30下方的薄膜 晶体管20最靠近所述树脂层30例如源极204和漏极205的结合强度，其材质可以选用例 如氮化硅。
[0072] 需要说明的是，所述粘附层70的尺寸可以与所述树脂层30的尺寸完全一致，在此 情况下，可以采用普通掩膜板通过一次构图工艺同时形成所述粘附层70和所述树脂层30 ; 当然，所述粘附层70的尺寸可以与所述树脂层30的尺寸不一致，在此情况下，可根据实际 情况，采用一次或两次构图工艺形成所述粘附层70和所述树脂层30 ;具体可以根据实际情 况进行设定，在此不做限定。
[0073] 以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵 盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1. 一种阵列基板，包括衬底基板、依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、树脂层以 及像素电极，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述树脂层与所述像素电极之间的 钝化层，且所述钝化层完全包裹所述树脂层。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述树脂层的边缘距离所述衬底基 板的边缘1000-2000ym ; 所述钝化层的边缘与所述衬底基板的边缘齐平。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置在所述树 脂层与所述钝化层之间公共电极。
4. 根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述树脂层的材料为光刻 胶。
5. 根据权利要求1至3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置 在所述树脂层靠近所述衬底基板一侧且与所述树脂层接触的粘附层； 其中，所述粘附层用于增强所述树脂层的粘附性。
6. -种液晶显示装置，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的阵列基板。
7. -种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上依次形成薄膜晶体管、树脂层、以及 像素电极，其特征在于，所述方法还包括在所述树脂层与所述像素电极之间形成钝化层，且 所述钝化层完全包裹所述树脂层。
8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述树脂层和所述钝化层包括： 在形成有所述薄膜晶体管的基板上，通过一次构图工艺形成所述树脂层，所述树脂层 包括露出所述薄膜晶体管的漏极的第一过孔；其中，所述树脂层的边缘距离所述衬底基板 的边缘 1000-2000 μ m ; 在形成有所述树脂层的基板上，通过一次构图工艺形成所述钝化层，所述钝化层包括 与所述第一过孔对应的第二过孔；其中，所述钝化层的边缘与所述衬底基板的边缘齐平。
9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述薄膜晶体管的基板上， 通过一次构图工艺形成所述树脂层，包括： 在形成有所述薄膜晶体管的基板上，形成光刻胶薄膜； 采用普通掩模板对形成有所述光刻胶薄膜的基板进行曝光，形成光刻胶完全曝光部分 和光刻胶未曝光部分；其中，所述光刻胶完全曝光部分至少对应所述第一过孔的区域和所 述衬底基板的边缘区域，所述光刻胶未曝光部分对应其他区域； 显影后，所述光刻胶未曝光部分形成所述树脂层。
10. 根据权利要求7至9任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述树 脂层与所述钝化层之间形成公共电极；其中，在所述第一过孔和所述第二过孔对应的位置， 所述公共电极断开。
【文档编号】G02F1/1343GK104155812SQ201410366579
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年7月29日 优先权日:2014年7月29日
【发明者】李鸿鹏, 宋省勋, 李京鹏 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司