阵列基板以及具备该阵列基板的显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及具备该阵列基板的显示面板，其中，阵列基板包括多个像素单元，每个所述像素单元包括：由扫描线和数据线构成的像素区域；配置于所述像素区域的像素电极，所述像素电极的图案形成为具有第一狭缝图案和第二狭缝图案，其中，所述第一狭缝图案包括呈不同方向的多个狭缝图案，所述第二狭缝图案形成为与所述第一狭缝图案相接的辐射状图案，其中心为所述像素区域的中心。该阵列基板能够在不牺牲开口率的情况下，满足全方位视角的需求。
【专利说明】阵列基板以及具备该阵列基板的显示面板
【技术领域】
[0001] 本发明涉及液晶显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板以及具备该阵列基板的显 示面板。
【背景技术】
[0002] 随着信息社会的发展，人们对显示设备的需求得到了增长，因而也推动了液晶显 示面板行业的快速发展。液晶显示面板的显示规格不断地朝向大尺寸发展，为了克服大尺 寸显示规格下的视角问题，液晶显示面板的广视角技术也必须进步。
[0003] 与传统TN型液晶的取向状态单一化相对，多畴（Multi-domain，MD)模式是将一个 像素区域分割为多个畴，每个畴对应的液晶按不同取向排列，从而形成多个不同的取向区 的广视角设计，这种广视角设计一般有四畴模式和八畴模式。
[0004] 图1是现有技术中TFT-IXD阵列中像素单元的结构示意图。该像素单元包括扫描 线11、数据线13、开关元件15以及像素电极17,开关元件15通过过14孔与像素电极17连 接。从图1中可以看出，该像素区域被分割为四个畴，在该四畴模式下，液晶在加电后，各个 畴的液晶分子分别朝四个方向转动。
[0005] 另外，现有技术中的八畴模式主要是通过主像素区和次像素区的压差，使得各像 素区（主像素区或次像素区）中每畴的液晶的旋转量不同。
[0006] 本发明的发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术至少存在如下技术缺陷： 虽然这种多畴的广视角设计能够在一定程度上获得增大视角的效果，但是无论是四畴模式 还是八筹模式，在方向上都只能实现四个方位视角，无法实现全方位视角。
[0007] 因此，提出一种能够实现全方位视角的新型的广视角设计，乃业界所致力的课题 之一。
【发明内容】
[0008] 本发明所要解决的技术问题之一是需要提供一种阵列基板，其能够实现全方位视 角。另外，还提供了一种具备该阵列基板的显示面板。
[0009] 1)为了解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括多个像素单元，每 个所述像素单元包括：由扫描线和数据线构成的像素区域；配置于所述像素区域的像素电 极，所述像素电极的图案形成为具有第一狭缝图案和第二狭缝图案，所述第一狭缝图案和 所述第二狭缝图案由像素电极线和像素电极线之间的间隔构成，其中，所述第一狭缝图案 包括呈不同方向的多个狭缝图案，所述第二狭缝图案形成为与所述第一狭缝图案相接的辐 射状图案，其中心为所述像素区域的中心。
[0010] 2)在本发明的第1)项的一个优选实施方式中，在所述像素区域为正方形时，所述 第一狭缝图案包括四个位于所述像素区域的角部分的狭缝图案；所述第二狭缝图案为内接 于所述像素区域且与四个狭缝图案相接的辐射状圆环形图案或辐射状多边形图案。
[0011] 3)在本发明的第1)项或第2)项的一个优选实施方式中，所述辐射状圆环形图案 包括多个同一圆心的直径逐渐减小的圆环形的像素电极线以及两条正交于该圆心的直线 形的像素电极线。
[0012] 4)在本发明的第1)-3)中任一项的一个优选实施方式中，所述第二狭缝图案所占 的面积比为50%?80%。
[0013] 5)在本发明的第1)-4)中任一项的一个优选实施方式中，所述多个狭缝图案的每 一个的方向与所述扫描线的方向所成的角度相等。
[0014] 6)另一方面，本发明还提供了一种显示面板，包括阵列基板，该阵列基板包括多个 像素单元，每个所述像素单元包括：由扫描线和数据线构成的像素区域；配置于所述像素 区域的像素电极，所述像素电极的图案形成为具有第一狭缝图案和第二狭缝图案，所述第 一狭缝图案和所述第二狭缝图案由像素电极线和像素电极线之间的间隔构成，其中，所述 第一狭缝图案包括呈不同方向的多个狭缝图案，所述第二狭缝图案形成为与所述第一狭缝 图案相接的辐射状图案，其中心为所述像素区域的中心。
[0015] 7)在本发明的第6)项的一个优选实施方式中，在所述像素区域为正方形时，所述 第一狭缝图案包括四个位于所述像素区域的角部分的狭缝图案；所述第二狭缝图案为内接 于所述像素区域且与四个狭缝图案相接的辐射状圆环形图案或辐射状多边形图案。
[0016] 8)在本发明的第6)项或第7)项的一个优选实施方式中，所述辐射状圆环形图案 包括多个同一圆心的直径逐渐减小的圆环形的像素电极线以及两条正交于该圆心的直线 形的像素电极线。
[0017] 9)在本发明的第6)-8)中任一项的一个优选实施方式中，所述第二狭缝图案所占 的面积比为50%?80%。
[0018] 10)在本发明的第6)-9)中任一项的一个优选实施方式中，所述多个狭缝图案的 每一个的方向与所述扫描线的方向所成的角度相等。
[0019] 与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效 果：
[0020] 在本发明实施例中，通过将像素单元中像素电极的图案设计为包括第一狭缝图案 和第二狭缝图案，其中，第一狭缝图案具有呈不同方向的多个狭缝图案，第二狭缝图案形成 为与第一狭缝图案相接的辐射状图案。通过采用这两种图案的搭配设计，能够在不牺牲开 口率的情况下，满足全方位视角的需求。
[0021] 本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变 得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利 要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【专利附图】
【附图说明】
[0022] 上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了更清楚地说明本发明的技术方案，下 面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，描述中的附图仅仅是对 应于本发明的一些具体实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前 提下，在需要的时候还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
[0023] 图1是现有技术中TFT-IXD阵列中像素单元的结构示意图；
[0024] 图2是是根据本发明一实施例的显示面板的结构示意图；
[0025] 图3是根据本发明一实施例的像素单元的结构示意图；
[0026] 图4是根据本发明另一实施例的像素单元的像素电极的示意图；
[0027] 图5是根据本发明一实施例的阵列基板的制造方法的流程图。
【具体实施方式】
[0028] 以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用 技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明 的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合， 所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
[0029] 以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施 例。本发明所提到的方向用语，例如"上"、"下"、"左"、"右"、"左上"、"左下"、"右上"、"右下" 等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以 限制本发明。
[0030] 另外，为了清晰起见，附图中示出的每个元件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明 不限于此。
[0031] 下面将一边参考附图一边说明本申请的实施例。
[0032] 请参考图2,图2是根据本发明一实施例的显示面板的结构示意图。该显示面板 包括阵列基板100、源极驱动器200以及栅极驱动器300。阵列基板100包括由多条数据线 (如图所示的N条数据线DL1?DLN)与多条扫描线（如图所示的Μ条扫描线GL1?GLM) 正交配置形成的阵列以及多个像素110。源极驱动器200通过与其耦接的多条数据线将所 提供的数据信号传输至阵列基板100中。栅极驱动器300通过与其耦接的多条扫描线将所 提供的扫描信号传输至阵列基板100中。
[0033] 需要说明的是，本文中涉及到的像素包括多个像素单元，且各个像素单元被分别 配置在由数据线和扫描线交错配置形成的像素区中。在该实施例中，像素单元可以为红色 (R)像素单元、绿色（G)像素单元或蓝色（Β)像素单元等不同颜色的像素单元，针对这些像 素单元的设计可以如下列多个实施例所述。
[0034] 图3是根据本发明一实施例的像素单元的结构示意图。下面参考图3来说明该像 素单元的结构。
[0035] 如图3所示，该像素单元包括扫描线21、数据线23、至少一有源元件25以及配置 于扫描线21和数据线23所构成的像素区域中的像素电极27。此处，扫描线21和数据线 23彼此交错设置，且扫描线21和数据线23之间具有绝缘层。扫描线21的延伸方向和数据 线23的延伸方向不平行，较优地，扫描线21的延伸方向和数据线23的延伸方向垂直。举 例而言，扫描线21是沿着X方向延伸，数据线23是沿着Υ方向延伸。基于导电性的考虑， 扫描线21和数据线23 -般使用金属材料。然，本发明不限于此，根据其他实施例，扫描线 21和数据线23也可以使用其他导电材料。例如，合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化 物、金属材料的氮氧化物等材料。
[0036] 而且，有源元件25可以是底部栅极型薄膜晶体管或是顶部栅极型薄膜晶体管，其 包括栅极、沟道、源极和漏极。有源元件25和扫描线21、数据线23电连接。另外，有源元件 25通过过孔24与像素电极27电性连接。
[0037] 特别地，像素电极27的图案形成为具有第一狭缝图案和第二狭缝图案。这些狭缝 图案由像素电极线（图中黑色区域）和各个像素电极线之间的间隔构成，其中第一狭缝图 案包括呈不同方向的彼此分离的多个狭缝图案，第二狭缝图案形成为与第一狭缝图案相接 的辐射状图案，其中心为像素区域的中心。
[0038] 在像素区域为正方形时，第一狭缝图案包括四个位于像素区域的角部分的狭缝图 案，每个狭缝图案包含的像素电极线的个数在5条以上。具体如图3所示，第一狭缝图案包 括图3中的左上、左下、右上、右下的角状图案，分别被标记为A、B、C、D。如图所示，A部分 与扫描线21的延伸方向V形成第一锐角，B部分与扫描线21的延伸方向V形成第二锐角， C部分与扫描线21的延伸方向V形成第三锐角，D部分与扫描线21的延伸方向V形成第四 锐角。优选地，第一锐角、第二锐角、第三锐角和第四锐角这四个锐角大致相等，例如可以为 45。。
[0039] 图3为本发明的一个优选方案，需要重点说明的是，在该方案中，像素区域大致为 正方形，而第二狭缝图案为辐射状圆环形图案，该图案内接于像素区域，这个辐射状圆环形 图案包括多个同一圆心的直径逐渐减小的圆环形的像素电极线以及两条正交于该圆心的 直线形的像素电极线。而且，该第二狭缝图案所占的面积比大约为80%。在外加驱动电压 的开态下，处于第二狭缝图案区域的液晶分子能够在360°范围内的倾斜方向实现均等的 取向，因而能够获得较为优秀的广视角特性。
[0040] 根据图3所示的像素单元结构，像素电极的图案采用两种类型图案搭配设计，那 么通过第二狭缝图案实现360°全方位视角的同时，还由于设计了第一狭缝图案而不会牺 牲开口率。
[0041] 当然，除了图3所示的例子外，该像素单元还可以为其他结构。图4是根据本发明 另一实施例的像素单元的像素电极的示意图，其中图4省略了扫描线、数据线、开关元件等 部分，仅简略地绘制了像素区域。
[0042] 在图4中，第二狭缝图案所占的面积比大约为50%。相比图3所示的实施例，图 4中的辐射状圆环图案未内接于像素区域，也就是说，该辐射状圆环图案的直径最大的外环 与像素区域的四条边之间还存在一定距离，另外，该辐射状圆环图案与第一狭缝图案的四 个角状图案相接。在此情况下，由于第二狭缝图案所占的面积减小，进而使得构成第一狭缝 图案的角状图案的像素电极线增加，例如为图中的9条，但是，这样也不会影响开口率，而 且，在该示例中，在外加驱动电压的开态下，处于第二狭缝图案区域的液晶分子在360°范 围内的倾斜方向实现均等的取向，因而也能够获得较为理想的广视角特性。
[0043] 当然，上述两种像素单元仅为两个实施例，只要通过第二狭缝图案能够在外加驱 动电压的状态下使液晶分子在360°或接近360°的范围内倾斜，第二狭缝图案的形状和 所占面积不作限定。在一个实施例中，第二狭缝图案还可以为辐射状的接近圆形的正多边 形。而且，优选地，第二狭缝图案所占的面积比在50 %?80 %。
[0044] 另外，在像素区域大致为长方形时，第二狭缝图案可以为内接于该像素区域的辐 射状椭圆形图案，也能够实现大致360°视角的效果。
[0045] 值的一提的是，在本发明中，像素单元的结构不限于如图3所示的布局结构。其他 具有主像素区和次像素区的像素单元采用本发明的原理以现实广视角效果的布局方式或 是架构都可以应用于本发明。为了详细地说明本发明，主要以图3的像素单元结构为例来 说明，但本发明不以此为限。
[0046] 图5是根据本发明一实施例的阵列基板的制造方法流程图，下面将参考图5来详 细说明如何制造阵列基板。
[0047] 步骤S510,在基板上形成栅极、栅极绝缘层、由非晶硅层和欧姆接触层组成的有源 层、在有源层上的源极和漏极、钝化层和位于漏极上方并在钝化层上形成的钝化层过孔。
[0048] 步骤S520,在完成步骤S510的基板上沉积ΙΤ0薄膜，并在ΙΤ0薄膜上涂布光阻，利 用曝光设备将掩膜版上的图案转移到光阻上。
[0049] 需要说明的是，光阻是一种可以对紫外线照射进行感光的材料。当紫外线通过掩 膜版上的无图形部分，照射到光阻上时，被照射到的光阻将发生化学反应，这个过程称为曝 光。将发生化学反应的光阻在显像液中浸泡除去，这个过程称为显影。经过曝光与显影之 后，掩膜版上的图形转移到了光阻上，在该步骤中光阻层的厚度在1.5μπι±0.5μπι。
[0050] 该掩膜板上的图案包括第一狭缝图案和第二狭缝图案。第一狭缝图案包括与扫描 线的方向呈不同角度的多个方向的狭缝图案，第二狭缝图案形成为与多个方向的狭缝图案 的边界相接的辐射状圆环形图案。
[0051] S530,利用湿法蚀刻将未被光阻覆盖的ΙΤ0薄膜蚀刻掉。
[0052] 此步骤是对ΙΤ0薄膜层的有选择的移除的过程。
[0053] -般，蚀刻分为使用蚀刻液的湿法蚀刻和使用蚀刻气体的干法蚀刻，根据沉积层 的材料的不同，对刻蚀液或刻蚀气体进行选择。由于在该步骤中采用的是湿法蚀刻，因此需 要选择合适的蚀刻液来进行蚀刻。
[0054] S540,剥离光阻得到如图3或图4所示的像素电极图案，进而完成阵列基板的制 作。
[0055] 光阻作为一种高分子材料，在形成金属图形的过程中起辅助作用，在图案形成之 后，需要将其剥离。
[0056] 综上所述，本发明实施例将像素单元中像素电极的图案设计为包括第一狭缝图案 和第二狭缝图案，其中，第一狭缝图案具有呈不同方向的多个狭缝图案，第二狭缝图案形成 为内接于像素区域且与第一狭缝图案相接的辐射状图案。通过采用这两种图案的搭配设 计，能够在不牺牲开口率的情况下，满足全方位视角的需求。
[0057] 以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此， 任何熟悉该技术的人员在本发明所公开的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵 盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1. 一种阵列基板，包括多个像素单元， 每个所述像素单元包括： 由扫描线和数据线构成的像素区域； 配置于所述像素区域的像素电极，所述像素电极的图案形成为具有第一狭缝图案和第 二狭缝图案，所述第一狭缝图案和所述第二狭缝图案由像素电极线和像素电极线之间的间 隔构成， 其中，所述第一狭缝图案包括呈不同方向的多个狭缝图案，所述第二狭缝图案形成为 与所述第一狭缝图案相接的辐射状图案，其中心为所述像素区域的中心。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 在所述像素区域为正方形时，所述第一狭缝图案包括四个位于所述像素区域的角部分 的狭缝图案； 所述第二狭缝图案为内接于所述像素区域且与四个狭缝图案相接的辐射状圆环形图 案或辐射状多边形图案。
3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于， 所述辐射状圆环形图案包括多个同一圆心的直径逐渐减小的圆环形的像素电极线以 及两条正交于该圆心的直线形的像素电极线。
4. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于， 所述第二狭缝图案所占的面积比为50%?80%。
5. 根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其特征在于， 所述多个狭缝图案的每一个的方向与所述扫描线的方向所成的角度相等。
6. -种显示面板，其特征在于，包括阵列基板， 该阵列基板包括多个像素单元，每个所述像素单元包括： 由扫描线和数据线构成的像素区域； 配置于所述像素区域的像素电极，所述像素电极的图案形成为具有第一狭缝图案和第 二狭缝图案，所述第一狭缝图案和所述第二狭缝图案由像素电极线和像素电极线之间的间 隔构成， 其中，所述第一狭缝图案包括呈不同方向的多个狭缝图案，所述第二狭缝图案形成为 与所述第一狭缝图案相接的辐射状图案，其中心为所述像素区域的中心。
7. 根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于， 在所述像素区域为正方形时，所述第一狭缝图案包括四个位于所述像素区域的角部分 的狭缝图案； 所述第二狭缝图案为内接于所述像素区域且与四个狭缝图案相接的辐射状圆环形图 案或辐射状多边形图案。
8. 根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于， 所述辐射状圆环形图案包括多个同一圆心的直径逐渐减小的圆环形的像素电极线以 及两条正交于该圆心的直线形的像素电极线。
9. 根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于， 所述第二狭缝图案所占的面积比为50%?80%。
10. 根据权利要求6-9中任一项所述的显示面板，其特征在于， 所述多个狭缝图案的每一个的方向与所述扫描线的方向所成的角度相等。
【文档编号】G02F1/1362GK104155816SQ201410443122
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年9月2日 优先权日:2014年9月2日
【发明者】柴立 申请人:深圳市华星光电技术有限公司