阵列基板和显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型实施例公开了一种阵列基板和显示装置，涉及液晶显示领域，能够解决现有液晶显示器视角狭窄的问题。所述阵列基板，包括：交叉设置的数据线和栅线，以及，由相邻数据线和相邻栅线定义出的像素单元，所述数据线呈弯折状，包括：向第一方向弯折的第一部分和向第一方向的反方向弯折的第二部分。本实用新型适用于改进液晶显示器显示效果。
【专利说明】阵列基板和显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。其中，扭曲向列(Twist Nematic, TN)型TFT-1XD具有体积小、成本低、制造简单、透过率高等优点而被广泛应用于笔记本电脑等产品中。
[0003]传统的TN模式TFT-1XD中，如图1所示，阵列基板上的像素结构由数据线11、栅线13、像素电极14和薄膜晶体管12组成，数据线11与栅线13纵横交叉，限定出像素单元区域，像素电极14设置于该像素单元区域内，薄膜晶体管12位于数据线11和栅线13的交叉点附近，薄膜晶体管12的栅极与栅线12相连，薄膜晶体管12的源极与数据线11相连，薄膜晶体管12的漏极与像素电极14相连。工作时，像素电极14和公共电极31被施以电压，在像素电极14和公共电极31之间形成图2所示垂直基板方向的电场驱动液晶分子偏转，背光在液晶分子偏转以及上下偏光片的共同作用下，呈现出图像。这种传统的TN显示模式中，液晶显示装置存在可视角度(简称视角)狭窄的问题，如果超过可视角度的范围，就会存在对比度低、色彩失真的问题。相类似地，对于VA(Vertical Alignment,垂直排列)型液晶显示装置，也存在同样的问题。
【发明内容】
[0004]本实用新型实施例提供一种阵列基板和显示装置，能够解决现有液晶显示器视角狭窄的问题，提高显示效果。
[0005]为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案:
[0006]一方面，本实用新型实施例提供一种阵列基板，包括:交叉设置的数据线和栅线，以及，由相邻数据线和相邻栅线定义出的像素单元，所述像素单元中设置有像素电极，所述数据线呈弯折状，包括:向第一方向弯折的第一部分和向第一方向的反方向弯折的第二部分。
[0007]优选地，所述第一部分距离第一像素电极的间距小于第一阈值，并且，所述第二部分距离第二像素电极的间距也小于所述第一阈值，所述第一像素电极位于所述数据线第一方向的一侧且在该侧首先排列，所述第二像素电极位于所述数据线另一侧且在该侧首先排列。
[0008]可选地，所述第一方向与所述栅线平行。
[0009]可选地，所述第一方向为所述数据线延伸方向的左侧，所述第一方向的反方向为所述数据线延伸方向的右侧。
[0010]进一步地，所述数据线在第N行像素单元中向所述数据线延伸方向的左侧弯折，在第N+1行像素单元中向所述数据线延伸方向的右侧弯折，其中，N为自然数。[0011 ] 可选地，所述第一部分和所述第二部分位于同一像素单元中。
[0012]优选地，所述数据线上位于相邻栅线之间，且与像素单元相对应的线段，由多个所述第一部分和多个所述第二部分交替衔接而成；且，该线段关于所述像素单元的中分线对称，所述中分线平行于所述栅线。
[0013]可选地，所述数据线在所述像素电极的上半部分向所述数据线延伸方向的左侧弯折，在所述像素电极的下半部分向所述数据线延伸方向的右侧弯折。
[0014]可选的，所述数据线的第一部分与所述数据线延伸方向左侧像素单元中的像素电极相重叠。
[0015]可选的，所述数据线的第二部分与所述数据线延伸方向右侧像素单元中的像素电极相重叠。
[0016]本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0017]本实用新型提供的阵列基板及其显示装置，数据线排布方式由直线型结构改变为折线结构，包括:向第一方向弯折的第一部分和向第一方向的反方向弯折的第二部分，以第一方向为上述数据线的右侧，第一方向的反方向为上述数据线的左侧为例，当数据线向右侧弯折时，数据线与其右侧像素的像素电极之间的距离变小，此时该数据线与该像素电极之间的横向电场不可忽略，横向电场可对液晶分子产生影响，使在水平大视角下的图像得到更好的对比度，从而增加在水平方向的视角，具体到数据线向右侧弯折的情景而言，可以增加水平方向左侧的视角；当数据线向左侧弯折时，数据线距离与其左侧像素的像素电极之间的距离变小，此时数据线产生的电势影响该像素电极和公共电极之间的驱动电场，使液晶分子发生偏转，可以增加水平方向右侧的视角，向右侧弯折的第一部分和向左弯折的第二部分的共同作用可以增加水平方向的视角，从而解决了现有液晶显示器视角狭窄的技术问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0019]图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；
[0020]图2为现有技术中公共电极和像素电极之间电场的分布示意图；
[0021]图3为本实用新型的实施例1提供的阵列基板的结构示意图；
[0022]图4为本实用新型的实施例1中横向电场和驱动电场的分布示意图；
[0023]图5为本实用新型的实施例1中横向电场和驱动电场耦合形成的电场分布示意图；
[0024]图6为本实用新型的实施例1提供的阵列基板的另一种结构示意图；
[0025]图7为本实用新型的实施例2提供的阵列基板的第一种结构示意图；
[0026]图8为本实用新型的实施例2提供的阵列基板的第二种结构示意图；
[0027]图9为本实用新型的实施例2提供的阵列基板的第三种结构示意图。
[0028]【背景技术】中的附图标记:
[0029]11-数据线，12-薄膜晶体管，13-栅线，14-像素电极，31-公共电极。
[0030]实施例1和实施例2中的附图标记:
[0031]21-数据线，22-薄膜晶体管，23-栅线，24-像素电极，25-折线结构部，31-公共电极，211-第一部分，212-第二部分，241-第一像素电极，242-第二像素电极。
【具体实施方式】
[0032]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0033]实施例1
[0034]本发明实施例提供一种阵列基板，如图3所示，该阵列基板包括:交叉设置的数据线21和栅线23，以及，由数据线21和栅线23定义出的像素单元。所述数据线21呈弯折状，包括:向第一方向弯折的第一部分211和向第一方向的反方向弯折的第二部分212。
[0035]其中所述的第一方向、第一方向的反方向仅是一种相对的方向概念，用于指出平面图上数据线弯折的两个相对方向，并不是用于限定。一般而言，数据线21和栅线23纵横交错，所述第一方向与栅线23平行。为便于理解，下面叙述中参照图3所示方向进行理解，数据线21沿纵向(与栅线垂直方向)排列，其延伸方向如图中的箭头B的指向，所述第一方向即指数据线21延伸方向的左侧(对应图中的右侧)，所述第一方向的反方向即指数据线21延伸方向的右侧(对应图中的左侧)，为便于理解，下面叙述中如没有特意说明，左侧或右侧均是从看图者的方位而言的，而不应理解为数据线延伸方向的左侧和右侧。
[0036]图3所示仅为符合本实施例的一种【具体实施方式】，数据线21和栅线23在阵列基板上交叉设置，数据线21和栅线23定义出像素单元，像素单元中设置有像素电极24，数据线21和栅线23的每一个交叉点附近设置有薄膜晶体管22，薄膜晶体管22的源极与数据线21相连接，薄膜晶体管22的栅极与栅线23相连接，薄膜晶体管22的漏极通过过孔与像素电极24相连接，其中，数据线21呈弯折状，包括向右侧弯折的第一部分211和向左侧弯折的第二部分212，更为详细的结构解释为，数据线21可以由线段AB、线段CD和折线结构部25 (BC)组成，线段AB、线段⑶通过折线结构部25首尾相接形成图3所示弯折结构。线段AB、线段⑶不在同一直线上，线段AB靠近数据线左侧的像素电极，线段⑶靠近数据线右侧的像素电极，折线结构部25为线段AB与线段CD之间的转接部分，其具体形式不作限定。线段AB与线段CD之间可通过直角转接，也可通过其他角度转接，或者其它形式转接。
[0037]数据线21向其右侧弯折时(即在数据线21的第一部分211，对应图3中第N行像素单元处的数据线)，该数据线21右侧的像素电极24与该数据线21的距离缩短，数据线21电势的影响增加，这时该数据线21与其右侧像素电极24之间有横向电场产生，如图4所示为此横向电场与像素电极24、公共电极31间的驱动电场的分布示意图，横向电场可对液晶分子产生影响，使在水平大视角下的图像得到更好的对比度，从而增加在水平方向的视角，具体到数据线21向右弯折的情景而言，可以增加水平方向左侧的视角。实际上，上述横向电场与像素电极24、公共电极31间的驱动电场并不是独立存在的，而是上述横向电场与驱动电场耦合形成如图5所示的电场分布，其效果不变。相类似地，数据线21向其左侧弯折时(即在数据线21的第二部分212，对应图3中第N+1行像素单元处的数据线)，该数据线21左侧的像素电极24与该数据线21的距离缩短，数据线21电势对其左侧像素单元的影响增加，这时该数据线21与其左侧像素电极24之间有横向电场产生，可以增加水平方向右侧的视角。
[0038]一种可选的【具体实施方式】如图3所示，与上述实施例不同之处在于，数据线21在第N行像素单元中向数据线21延伸方向的左侧弯折；在第N+1行像素单元中该数据线21向数据线21延伸方向的右侧弯折，其中，N为自然数。
[0039]这样，就某一条数据线21而言，在第N行像素单元中，该数据线21靠近其右侧的像素电极24，数据线21右侧的像素电极24与该数据线21之间有横向电场产生，可以增加水平方向左侧的视角；在第N+1行像素单元中，该数据线21靠近其左侧的像素电极24，该数据线21与其左侧的像素电极24之间有横向电场产生，可以增加水平方向右侧的视角，N为自然数。因此对整个显示装置而言，增加水平方向左侧的视角的像素单元行与增加水平方向右侧的视角的像素单元行交替排列，可以扩大整个显示装置左右方向的视角。
[0040]可选地，第一部分211距离第一像素电极241的间距小于第一阈值，并且，第二部分212距离第二像素电极242的间距也小于所述第一阈值，第一像素电极241位于数据线第一方向的一侧且在该侧首先排列，第二像素电极242位于数据线的另一侧且在该侧首先排列。
[0041]以图3为例，数据线21的第一部分向图中的右侧弯折，数据线右侧第一个排列的为第一像素电极241，该第一像素电极241也是距离该数据线第一部分211最近的像素电极，该第一像素电极241与数据线第一部分211的间距小于第一阈值；第二部分212向图中的左侧弯折，对第二部分而言，数据线左侧第一个排列的为第二像素电极242，该第二像素电极242也是距离数据线第二部分212最近的像素电极，该第二像素电极242与数据线第二部分212的间距小于第一阈值；本实施例将所述第一阈值定义为只要数据线距离最近像素电极的间距小于该第一阈值，数据线电势的影响不可忽略，就会因此在像素电极边缘区域产生横向电场，视角改善效果明显。其中的间距为数据线(第一部分或第二部分)的边缘到对应的像素电极的边缘之间的距离。
[0042]上述实施例中还可以如图6所示，数据线21的第一部211分与数据线21延伸方向左侧像素单元中的像素电极24相重叠，即第N行像素单元中，数据线21向其右侧弯折的程度加大，进入右侧的像素单元区域内，这时，该数据线21与其右侧的像素电极24更近，数据线21与像素电极24之间存在的横向电场更强，水平方向左侧的视角改善效果更好。
[0043]或者可选地，数据线21的第二部分212与数据线延伸方向右侧的像素电极相重叠，即如图6示的第N+1行像素单元中，数据线21向其左侧弯折的程度加大，进入左侧的像素单元区域内，该数据线21与其左侧的像素电极24更近，水平方向右侧的视角改善效果更好，就整个显示装置而言，左右的视角扩展更大。
[0044]上述实施例中数据线在第N行像素单元中数据线向其延伸方向的左侧弯折，在第N+1行像素单元中数据线向其延伸方向的右侧弯折仅是举例而言，并不用作限定。另外，还可以是第N行和第N+1行像素单元中对应的部分数据线为本实施例中的第一部分211，向第一方向弯折；第N+2和第N+3行像素单元中对应的部分数据线为本实施例中的第二部分212，向第一方向的反方向弯折，或者相类似的其他弯折方式。
[0045]本发明实施例提供的阵列基板，有的像素单元行增加水平方向左侧的视角，有的像素单元行增加水平方向右侧的视角，总体而言可以扩大整个显示装置左右的视角。
[0046]实施例2
[0047]本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括:交叉设置的数据线和栅线，所述数据线呈弯折状，包括:向第一方向弯折的第一部分和向第一方向的反方向弯折的第二部分。其中，所述的第一部分和所述的第二部分位于同一像素单元中。
[0048]参照图7所示，以第一方向为数据线21延伸方向的左侧为例，向左弯折的第一部分和向右弯折的第二部分与同一像素单元相对应，即向左弯折和向右弯折发生在同一像素单元中，其中向左弯折的第一部分距离其左侧的像素电极24较近，受数据线电势的影响该像素电极与数据线的第一部分之间有横向电场产生，可以增加水平方向右侧的视角；其中向右弯折的第二部分与左侧像素电极距离较远，但距离右侧的像素电极较近，增加水平方向左侧的视角，其结果是就一个像素单元而言，一个像素单元中既受其左侧数据线右弯折的影响，又受其右侧数据线左弯折的影响，这样一个像素单元大小的区域既可达到增加水平方向右侧的视角又可达到增加水平方向左侧的视角的目的，整体而言，既能扩大视角，又不会整体画面的均匀性造成影响。
[0049]图7所示仅为符合本实施例的一种可选的实施方式，图7中数据线21在像素电极24的上半部分向数据线21延伸方向的左侧弯折，在像素电极24的下半部分向数据线21延伸方向的右侧弯折。
[0050]具体而言，图7所示数据线21在像素电极的上半部分向右侧弯折，此时像素电极24的上半部分距离其左侧数据线21较近，有横向电场产生，可以增加水平方向左侧的视角；数据线21在像素电极的下半部分向左侧弯折，像素电极24的下半部分与其右侧数据线21的距离更近，此时像素电极24的下半部分与其右侧的数据线21之间有横向电场产生，可以增加水平方向右侧的视角。最终在每个像素单元中，既可以增加水平方向左侧的视角又可以增加水平方向右侧的视角，可以提高了水平方向大视角下的对比度，又不会对整体画面的均匀性造成影响。
[0051]上述实施例中还可以如图8所示，数据线的第一部分与数据线21延伸方向左侧像素单元中像素电极24相重叠，第二部分与数据线21延伸方向右侧像素单元的像素电极24相重叠。具体而言，数据线21的第一部分向右侧弯折的程度加大，进入右侧的像素单元的区域，此时每个像素电极24的上半部分距离该像素单元的数据线21更近，数据线21电势的影响更大，水平方向左侧的视角的改善效果更明显；数据线21的第二部分还可以向左侧弯折，进入左侧的像素单元的区域，即每个像素单元中的像素电极24的下半部分与其右侧数据线21的距离更近，此时像素电极24的下半部分与其右侧的数据线21之间有横向电场产生，该使得每个像素单元中水平方向右侧的视角改善效果更明显，最终究其整体效果而言，既提高了水平方向大视角下的对比度，又不会对整体画面的均匀性造成影响。
[0052]本实施例中每个像素单元中存在一个折线结构部，包括一个向第一方向弯折的第一部分和一个向第一方向的反方向弯折的第二部分，实际上，具体实施时，每个像素单元中的折线结构部不限于一个，可以为两个、三个或更多个，此时每个像素单元包括更多个第一部分和更多个第二部分，结果是一个像素单元区域对应形成更多畴区的多畴结构，视角改善效果更佳。
[0053]具体如图9所示，数据线21上位于相邻栅线22之间，且与像素单元相对应的线段，由多个第一部分211和多个第二部分212交替衔接而成；且，该线段关于像素单元的中分线CC’对称，中分线CC’平行于栅线22，这样，不仅形成的多畴区数目更多，视角改善效果更佳，而且多畴区分布均匀，视觉效果更好。
[0054]实施例3
[0055]本发明实施例还提供一种显示装置，其包括上述实施例中的任意一种阵列基板。所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0056]根据上述实施例中对阵列基板的描述，可知，当数据线21向左侧弯折时，该数据线21左侧的像素电极24与该数据线21的距离很近，甚至数据线21进入像素单元的区域，数据线21电势的影响增加，这时该数据线21与左侧像素电极24之间有横向电场产生，可以增加水平方向右侧的视角；当数据线21向右侧弯折时，该数据线21右侧的像素电极24与该数据线21的距离很近甚至数据线21进入像素单元的区域，数据线21电势的影响增加，可以增加水平方向左侧的视角，整体而言，可以增加显示装置水平方左右侧的视角。
[0057]为了便于清楚说明，在本发明中采用了第一、第二等字样对相似项进行类别区分，该第一、第二字样并不在数量上对本发明进行限制，只是对一种优选的方式的举例说明，本领域技术人员根据本发明公开的内容，想到的显而易见的相似变形或相关扩展均属于本发明的保护范围内。
[0058]本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
[0059]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括:交叉设置的数据线和栅线，以及，由相邻数据线和相邻栅线定义出的像素单元，所述像素单元中设置有像素电极，其特征在于， 所述数据线呈弯折状，包括:向第一方向弯折的第一部分和向第一方向的反方向弯折的第二部分。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分距离第一像素电极的间距小于第一阈值，并且，所述第二部分距离第二像素电极的间距也小于所述第一阈值，所述第一像素电极位于所述数据线第一方向的一侧且在该侧首先排列，所述第二像素电极位于所述数据线的另一侧且在该侧首先排列。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方向与所述栅线平行。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方向为所述数据线延伸方向的左侧，所述第一方向的反方向为所述数据线延伸方向的右侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于， 所述数据线在第N行像素单元中向所述数据线延伸方向的左侧弯折，在第N+1行像素单元中向所述数据线延伸方向的右侧弯折，其中，N为自然数。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于， 所述第一部分和所述第二部分位于同一像素单元中。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线上位于相邻栅线之间，且与像素单元相对应的线段，由多个所述第一部分和多个所述第二部分交替衔接而成；且， 该线段关于所述像素单元的中分线对称，所述中分线平行于所述栅线。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于， 所述数据线在所述像素电极的上半部分向所述数据线延伸方向的左侧弯折，在所述像素电极的下半部分向所述数据线延伸方向的右侧弯折。
9.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于， 所述数据线的第一部分与所述数据线延伸方向左侧的像素电极相重叠。
10.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线的第二部分与所述数据线延伸方向右侧的像素电极相重叠。
11.一种显示装置，其特征在于，包括:权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
【文档编号】G02F1/1362GK204009303SQ201420466394
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月18日 优先权日:2014年8月18日
【发明者】李盼, 李文波, 程鸿飞, 乔勇, 先建波 申请人:京东方科技集团股份有限公司