光学指纹传感器芯片光栅的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种光学指纹传感器芯片光栅，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，光栅的不透光的成分为金属，电路部分全部用金属覆盖。结构简单、精度高，芯片可以直接使用。
【专利说明】光学指纹传感器芯片光栅
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种光学指纹传感器芯片，尤其涉及一种光学指纹传感器芯片光栅。
【背景技术】
[0002]如图1、图2所示，光学指纹传感器采用小孔成像的原理，需要在每个像素上做成光栅，从而满足小孔成像的条件。
[0003]现有技术中，都是需制作单独的光栅。结构复杂、精度低。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的是提供一种结构简单、精度高的光学指纹传感器芯片光栅。
[0005]本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:
[0006]本实用新型的光学指纹传感器芯片光栅，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单兀对应开孔，电路部分被覆盖。
[0007]由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型实施例提供的光学指纹传感器芯片光栅，由于直接在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖，结构简单、精度高，芯片可以直接使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为光学指纹传感器像素中光栅的结构示意图；
[0009]图2为小孔成像原理图；
[0010]图3-1为本实用新型实施例中感光单元加工完的晶圆示意图；
[0011]图3-2为本实用新型实施例中CVD方法生成透明的二氧化硅膜示意图；
[0012]图3-3为本实用新型实施例中SPUTTER溅射方法生成不透明的金属膜示意图；
[0013]图3-4为本实用新型实施例中PR光刻方法露出将需要透光的区域示意图；
[0014]图3-5为本实用新型实施例中经过干法刻蚀后将透光的区域打开，在芯片上做出光栅不意图；
[0015]图3-6为本实用新型实施例中CVD的方法在芯片的表面生成透明的保护膜示意图。
[0016]图中:1、物体(手指)，2、光栅单元，3、芯片的感光单元。
【具体实施方式】
[0017]下面将对本实用新型实施例作进一步地详细描述。
[0018]本实用新型的光学指纹传感器芯片光栅，其较佳的【具体实施方式】是:
[0019]在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖。
[0020]所述光栅的不透光的成分为金属，所述电路部分全部用金属覆盖。
[0021]本实用新型的光学指纹传感器芯片光栅的制作方法，包括步骤:
[0022]A、在光学指纹传感器芯片感光单元加工完的晶圆上用CVD(化学气相沉积)方法生成透明的二氧化硅膜；
[0023]B、用溅射方法生成不透明的金属膜；
[0024]C、用光刻方法露出需要透光的区域；
[0025]D、经过干法刻蚀后将需要透光区域的金属刻蚀掉，在芯片上做出光栅；
[0026]E、用CVD的方法在芯片的表面生成透明的保护膜。
[0027]所述步骤E包括:
[0028]首先，用SPIN ON GLASS (自旋玻璃)方法制作透明的二氧化硅；
[0029]然后，用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)方法生成透明的氮氧化硅保护膜。
[0030]本实用新型为晶圆级光栅的生成方法，直接在晶圆(WAFER)上生成光栅，光栅的不透光的成分为金属，采用溅射和光刻的方法；
[0031]图像传感器的感光单元对应开孔，电路部分全部用金属覆盖。
[0032]具体实施例:
[0033]如图3 — 1至图3 — 5所示，制作方法如下:
[0034]1.S102-CVD—透明的二氧化硅膜；
[0035]2.溅射的方法做金属；
[0036]3.光刻；
[0037]4.干刻的方法将感光区域对应的位置的金属刻蚀掉；
[0038]5.1S0G保护膜一SPIN ON GLASS方法透明的二氧化硅；
[0039]5.2PECVD方法生成的S10N，透明的氮氧化硅，保护膜防划伤，芯片可以直接使用。
[0040]以上所述，仅为本实用新型较佳的【具体实施方式】，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本【技术领域】的技术人员在本实用新型披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种光学指纹传感器芯片光栅，其特征在于，在光学指纹传感器芯片感光单元的晶圆上直接生成光栅，感光单元对应开孔，电路部分被覆盖。
2.根据权利要求1所述的光学指纹传感器芯片光栅，其特征在于，所述光栅的不透光的成分为金属，所述电路部分全部用金属覆盖。
【文档编号】G02B5/18GK204142987SQ201420631252
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日
【发明者】冯建中 申请人:北京思比科微电子技术股份有限公司