显示面板及其制作方法与流程

本申请涉及显示技术领域，特别是一种将透明电极层设置于激光切割区中金属线上的显示面板及其制作方法。

背景技术：

随着显示技术的发展成熟，显示面板，特别是薄膜晶体管液晶显示面板朝着大尺寸、高解析等方向发展。然而随着面板尺寸增大及分辨率提升，面板的显示画质很容易受到膜层厚度均一性及寄生电容等因素影响，产生显示亮度不均匀(mura)，而产生各种痕迹及串扰等问题。

为了改善上述问题，较为常用的一种改善方法为引进有机绝缘膜技术。有机绝缘膜具有良好的平坦特性，可以很好的解决膜层厚度不均导致的显示亮度不均匀的问题。此外，因有机绝缘膜具有较小的介电常数，通常为3.5左右，且其膜厚一般为1.2um-1.5um，而习知的钝化层约为0.1um-0.2um。因此根据电容公式：c＝ε*a/d可以得出使用有机绝缘膜后，面板当中的寄生电容会有显着的降低，从而可以有效改善亮度不足及串扰等问题。

但使用有机绝缘膜技术后，也带来一些较难解决的问题。这些问题的解决往往需要制程的调整，甚至设备的变更，但设备的变更会带来成本的上升。具有有机绝缘膜的显示面板的其中一个较难解决的问题就是在供短路棒测试的激光切割区域中，使用激光切割后容易切割不干净而使有机绝缘膜残留，容易于使用时产生尖端放电，从而引发静电放电(esd)导致设备异常或损坏。

另外，使用常用的1064nm或532nm激光切割具有有机绝缘膜的面板无法切割干净的原因是：一般有机绝缘膜在这两种波长附近透过率很高，例如接近100％，因此以激光切割时有机绝缘膜基本不吸收激光，造成使用1064nm或532nm激光很难达到有效去除有机绝缘膜而无残留的效果。

因此习知的显示面板在激光切割区中具有金属线、绝缘层、钝化层及有机绝缘膜的结构将不利于使用1064nm或532nm激光达到有效去除有机绝缘膜而无残留的效果。

而解决上述问题常用的方法主要有三种：1.制程变更，增加激光的能量或降低切割速度，但此方法容易引起玻璃的损伤。2.变更激光器波长，例如355nm激光器，可达到很好的切割效果，但需增加额外费用进行设备改机，且355nm的激光位于紫外光的波长区段，对设备及人员均有较大伤害。3.设计变更，变更激光切割位置的设计以达到不进行制程及设备变更即可达到切割干净的效果。但上述方法均无法沿用现有的激光切割制程。因此，需要一种显示面板及其制造方法，以解决现有技术存在的问题。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本申请的目的在于提供一种显示面板及其制造方法，本申请的显示面板在激光切割区中仅有金属线及透明电极层两层结构，因此相比习知的显示面板在激光切割区中具有金属线、绝缘层、钝化层及有机绝缘膜的结构简化很多，从而在使用激光进行切割时可使用更低的能量，且可完全避免有机绝缘膜的残留问题。

基于上述目的，本申请提供一种显示面板，其包含基板、多个薄膜晶体管、多个金属线、多个透明电极层、绝缘层、钝化层以及有机绝缘膜。所述基板定义有激光切割区。多个所述薄膜晶体管设置在所述基板上，且多个所述薄膜晶体管包含多个金属层。多个所述金属线设置在所述基板上，且多个所述金属线的一部分设置在所述激光切割区中，并与多个所述薄膜晶体管电性连接。多个透明电极层在所述激光切割区中分别设置在多个所述金属线上。绝缘层设置在多个所述金属线上。钝化层设置在所述绝缘层上。有机绝缘膜设置在所述激光切割区外的所述钝化层上。

优选地，所述各金属层包含栅极。

优选地，所述各金属线包含栅极线，且所述栅极线与所述栅极相连接。

优选地，多个所述透明电极层的宽度大于多个所述金属线的宽度。

优选地，多个所述透明电极层彼此间隔设置且互不相连。

优选地，所述显示面板的所述激光切割区由激光切割，且所述激光的波长为1064nm或532nm。

基于上述目的，本申请再提供一种显示面板的制造方法，其包含下列步骤：

在基板上设置多个薄膜晶体管及多个金属线并定义激光切割区，且多个所述薄膜晶体管包含多个金属层，多个所述金属线与多个所述薄膜晶体管电性连接。

设置绝缘层在多个所述金属线上。

设置钝化层在所述绝缘层上。

在所述激光切割区外设置有机绝缘膜在所述钝化层上。

在所述激光切割区中以蚀刻方式蚀刻所述绝缘层。

在所述激光切割区中分别形成多个透明电极层在多个所述金属线上。

在所述激光切割区中以激光对所述显示面板进行切割。

优选地，所述各金属层包含栅极。

优选地，所述各金属线包含栅极线，且所述栅极线与所述栅极相连接。

优选地，所述激光的波长为1064nm或532nm。

为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1为本申请的显示面板的平面示意图。

图2为图1中的显示面板的部分剖面图。

图3为本申请的显示面板的第一示意图。

图4为图3中沿a-a线段的第一剖面图。

图5为本申请的显示面板的第二示意图。

图6为图5中沿a-a线段的第二剖面图。

图7为本申请的显示面板的第三示意图。

图8为图7中沿a-a线段的第三剖面图。

图9为本申请的显示面板的制造方法的流程图。

具体实施方式

为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本揭示优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本揭示所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。

在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。

现请一并参阅图1及图2，图1及图2分别为本申请的显示面板的平面示意图，以及图1中的显示面板的部分剖面图。本申请的显示面板10可包含基板100、多个薄膜晶体管200、多个金属线300、多个透明电极层400、绝缘层500、钝化层600以及有机绝缘膜700。进一步说明，本申请的显示面板10可具有多种态样，本申请以采用五层光罩制程及背沟道蚀刻制程制作的薄膜晶体管进行说明，需要理解的是，本申请并不仅限于此种制程所制作的薄膜晶体管，举例而言，可以蚀刻停止(etch-stop)制程或以背通道蚀刻(backchanneletching，bce)制程制造薄膜晶体管，而光罩数目可依实际需求为四层至八层。

所述基板100上定义有激光切割区11，以供激光切割设备进行切割。另外，在一实施例中，基板100可为玻璃基板或是其它透明材料所制造的基板，并无限定。

多个所述薄膜晶体管200可设置在所述基板100上，且多个所述薄膜晶体管200包含多个金属层210。进一步说明，在一实施例中，多个所述金属层210可包含栅极211及源/漏极层212，且金属层210可包含铜，并以沉积、黄光、蚀刻等半导体制程形成于所述基板100上。

多个所述金属线300可设置在所述基板100上，且多个所述金属线300的一部分设置在所述激光切割区11中，并与多个所述薄膜晶体管200电性连接。进一步说明，在一实施例中，多个所述金属线300可包含多个栅极线310及多个数据线320，且多个所述金属线300可包含铜，并以沉积、黄光、蚀刻等半导体制程形成于所述基板100上。且在一实施例中，所述栅极211与所述栅极线310相连接，所述源/漏极层212与所述数据线320相连接。

现请参阅图3至图8，并一并参阅图1及图2，多个所述透明电极层400可设置于多个所述薄膜晶体管200上。另外在所述激光切割区11中，多个所述透明电极层400分别设置在多个所述金属线300上，而绝缘层500可设置在多个所述金属线300上，钝化层600可设置在所述绝缘层500上，有机绝缘膜700可设置在所述激光切割区11外的所述钝化层600上。而在一实施例中，所述显示面板10的所述激光切割区11可由激光切割，且所述激光的波长为1064nm或532nm，波长为1064nm或532nm的所述激光常用来切割未设置有机绝缘膜700的显示面板10，由于本申请的显示面板10的激光切割区11中并没有有机绝缘膜700，因此有利于一般的激光切割设备对本申请的显示面板10进行切割。

进一步说明，在一实施例中，在所述激光切割区11中，设置在多个所述金属线300上的多个所述透明电极层400，可在绝缘层500设置在多个所述金属线300上，以及钝化层600设置在所述绝缘层500上后，以蚀刻方式，例如可以干蚀刻方式将所述激光切割区11中的所述钝化层600及所述绝缘层500蚀刻移除后，使得在所述激光切割区11中的多个所述金属线300裸露，而后再将多个所述透明电极层400设置于多个所述金属线300上。

进一步说明，在一实施例中，所述透明电极层400设置于多个所述金属线300上的方式可包含沉积、黄光、湿蚀刻、光阻剥离等半导体制程。另外，在另一实施例中，所述透明电极层400可包含氧化铟锡及其他可制成所述透明电极层400的材料。

进一步说明，在一实施例中，多个所述透明电极层400的宽度大于多个所述金属线300的宽度，且多个所述透明电极层400彼此间隔设置且互不相连。

现请参阅图9，并一并参阅图1至图8，本申请的显示面板的制造方法，包含下列步骤：

s1：在基板100上设置多个薄膜晶体管200及多个金属线300并定义激光切割区11，且多个所述薄膜晶体管200包含多个金属层210，多个所述金属线300与多个所述薄膜晶体管200电性连接。

s2：设置绝缘层500在多个所述金属线300上。

s3：设置钝化层600在所述绝缘层500上。

s4：在所述激光切割区11外设置有机绝缘膜700在所述钝化层600上。

s5：在所述激光切割区11中以蚀刻方式蚀刻所述绝缘层500及所述钝化层600。

s6：在所述激光切割区11中分别形成多个透明电极层400在多个所述金属线300上。

s7：在所述激光切割区11中以激光对所述显示面板10进行切割，且所述所述激光的波长可为1064nm或532nm。

在一实施例中，多个所述金属层210可包含栅极211及源/漏极层212，而多个所述金属线300可包含多个栅极线310及多个数据线320，且所述金属层210及多个所述金属线300可包含铜，并以沉积、黄光、蚀刻等半导体制程形成于所述基板100上。且所述栅极211与所述栅极线310相连接，所述源/漏极层212与所述数据线320相连接。

进一步说明，于步骤s1中，所述栅极211及多个所述栅极线310可以同一制程设置于同一层上，例如，可于所述基板100上同时以沉积方式形成所述栅极211及多个所述栅极线310。

进一步说明，在一实施例中，步骤s5的蚀刻方式可包含干蚀刻方式，因此可以干蚀刻方式蚀刻移除所述绝缘层500及所述钝化层600，以使得在所述激光切割区11中的多个所述金属线300裸露，而后于步骤s6中再经由沉积、黄光、湿蚀刻、光阻剥离等半导体制程将多个所述透明电极层400设置于多个所述金属线300上，例如设置在多个所述栅极线310上。另外，于步骤s5的蚀刻制程中，亦可形成如图1的过孔800，以利后续的测试或是其它制程。

但本申请不以此为限，在一实施例中，亦可将多个所述透明电极层400设置于多个所述数据线320上，可依据所需切割的位置定义激光切割区11的位置。

另外，于步骤s7中，所述显示面板10的所述激光切割区11可由激光切割，且所述激光的波长为1064nm或532nm。波长为1064nm或532nm的所述激光常用来切割未设置有机绝缘膜700的显示面板10，由于本申请的显示面板10的激光切割区11中并没有有机绝缘膜700，因此有利于一般的激光切割设备对本申请的显示面板10进行切割，而进行后续的修补、切割、或是短路棒测试等制程。

因此，本申请的显示面板10在完成蚀刻制程移除所述钝化层600及所述绝缘层500后，再进行多个所述透明电极层400的制程，并经过膜、黄光、湿蚀刻以及光阻剥离等制程后，形成如图7及图8所示的显示面板10。因此原本暴露在空气中的每根金属线300完全被所述透明电极层400覆盖。进一步说明，由于所述各透明电极层400的宽度均大于所述各金属线300的宽度，且彼此不相连，因此不会产生短路。另外，由于所述各透明电极层400覆盖在所述各金属线300上，因此可避免多个所述金属线300的氧化和腐蚀，从而有效改善习知技术中由于金属线导电性不佳，而产生点灯不良等问题。

综上所述，本申请的显示面板10在激光切割区中仅有金属线300及透明电极层400两层结构，因此相比习知的显示面板的激光切割区中具有金属线、绝缘层、钝化层及有机绝缘膜的结构简化很多，从而在使用激光进行切割时可使用更低的能量，且可完全避免有机绝缘膜的残留问题。

尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本揭示，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本揭示包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包括”相似的方式包括。

以上仅是本揭示的优选实施方式，应当指出，对于本领域普通技术人员，在不脱离本揭示原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。