本发明属于刀模二次蚀刻技术领域，具体是指一种刀模二次蚀刻工艺。
背景技术：
蚀刻又称为光化学蚀刻，是把材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，可分为湿蚀刻和干蚀刻两种类型，通常所指蚀刻也称光化学蚀刻，指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果，经过不断改良和工艺设备发展，蚀刻光放的用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。
目前传统的刀模二次蚀刻工艺和五金蚀刻二次蚀刻曝光工序是采用人工胶带粘贴菲林对位，对位精度低造成不良率高达50％，且需3人配合才能完成曝光工艺效率低下。
技术实现要素：
为解决上述现有难题，本发明提供了一种用于刀模二次蚀刻和五金蚀刻二次蚀刻的应用生产，利用pin钉定位的方法，将二次蚀刻产品和上、下菲林紧密套合在一起，提高套合精度和产品良率，并降低了人工劳动量将传统生产提高的刀模二次蚀刻工艺。
本发明采取的技术方案如下：本发明一种刀模二次蚀刻工艺，包括以下步骤：
步骤一，将上菲林和下菲林对整齐后打出定位孔；
步骤二，将产品与上菲林或下菲林对整齐后蚀刻出标记点；
步骤三，将产品的标记点处打上产品定位孔；
步骤四，用pin钉依次套合上菲林、产品和下菲林并进行曝光处理。
进一步地，所述上菲林及下菲林上定位孔与产品定位孔的半径差至少为0.1毫米。
进一步地，所述步骤一中，使用测量定位尺测量上菲林定位孔以及下菲林定位孔的孔距。
进一步地，所述步骤三中，首先将产品的标记点进行微打孔并产生微孔，而后对微孔进行扩孔处理，同时使用测量定位尺测量标记点处产品定位孔的孔距。
采用上述本发明取得的有益效果如下：本发明一种刀模二次蚀刻工艺，通过利用pin钉定位的方法，在曝光工序时将二次蚀刻产品和上菲林以及下菲林紧密套合在一起，提高套合精度并增强产品的良品率，并可降低人工的工作量，有效提高生产效率。
具体实施方式
本发明一种刀模二次蚀刻工艺，依次包括以下步骤：
步骤一，将上菲林和下菲林对整齐后打出定位孔；
步骤二，将产品与上菲林或下菲林对整齐后蚀刻出标记点；
步骤三，将产品的标记点处打上产品定位孔；
步骤四，用pin钉依次套合上菲林、产品和下菲林并进行曝光处理。
进一步地，所述上菲林及下菲林上定位孔与产品定位孔的半径差至少为0.1毫米。
进一步地，所述步骤一中，使用测量定位尺测量上菲林定位孔以及下菲林定位孔的孔距。
进一步地，所述步骤三中，首先将产品的标记点进行微打孔并产生微孔，而后对微孔进行扩孔处理，同时使用测量定位尺测量标记点处产品定位孔的孔距。
本发明的内容通过实施例加以进一步描述：
实施例1
采用传统做二次蚀刻刀模工艺曝光工序，采用人工胶带粘贴菲林对位，对位精度低造成不良率高达50％，且需3人配合才能完成曝光，工艺效率低下。
实施例2
本发明一种刀模二次蚀刻工艺，采用以下步骤：
步骤一，将上菲林和下菲林对整齐后打出定位孔；
步骤二，将产品与上菲林或下菲林对整齐后蚀刻出标记点；
步骤三，将产品的标记点处打上产品定位孔；
步骤四，用pin钉依次套合上菲林、产品和下菲林并进行曝光处理。
经上述方式利用pin钉定位，在曝光工序时可将二次蚀刻产品与上菲林以及下菲林紧密套合在一起，套合精度可达到±0.01mm，将产品良率提高到95％以上，且1人操作即可完成曝光工序，效率较传统方式提升3倍。
以上对本发明及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。
1.一种刀模二次蚀刻工艺，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一，将上菲林和下菲林对整齐后打出定位孔；
步骤二，将产品与上菲林或下菲林对整齐后蚀刻出标记点；
步骤三，将产品的标记点处打上产品定位孔；
步骤四，用pin钉依次套合上菲林、产品和下菲林并进行曝光处理。
2.根据权利要求1所述的一种刀模二次蚀刻工艺，其特征在于：所述上菲林及下菲林上定位孔与产品定位孔的半径差至少为0.1毫米。
3.根据权利要求1所述的一种刀模二次蚀刻工艺，其特征在于：所述步骤一中，使用测量定位尺测量上菲林定位孔以及下菲林定位孔的孔距。
4.根据权利要求1所述的一种刀模二次蚀刻工艺，其特征在于：所述步骤三中，首先将产品的标记点进行微打孔并产生微孔，而后对微孔进行扩孔处理，同时使用测量定位尺测量标记点处产品定位孔的孔距。