本公开涉及激光装置和电子器件的制造方法。
背景技术:
1、近年来,在半导体曝光装置中,随着半导体集成电路的微细化和高集成化,要求分辨率的提高。因此,从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长大约为248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的arf准分子激光装置。
2、krf准分子激光装置和arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽,大约为350~400pm。因此,在利用使krf和arf激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时,有时产生色差。其结果,分辨率可能降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内,为了使谱线宽度窄带化,有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowing module:lnm)。下面,将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:美国专利申请公开第2002/0167975号说明书
6、专利文献2:美国专利申请公开第2013/0230064号说明书
7、专利文献3:美国专利申请公开第2005/0083983号说明书
8、专利文献4:日本特开平07-058393号公报
9、专利文献5:美国专利申请公开第2020/0301286号说明书
技术实现思路
1、本公开的1个观点的激光装置具有:第1致动器,其对脉冲激光的振荡波长进行调整;第2致动器,其对脉冲激光的谱线宽度进行调整;以及处理器,处理器读入指定照射到被照射物的1个部位的脉冲激光的照射脉冲数和最短波长与最长波长之差的数据,决定目标谱线宽度,处理器根据目标谱线宽度对第2致动器进行控制,处理器对第1致动器进行控制,以使得振荡波长在最短波长与最长波长之间按照每照射脉冲数周期性地发生变化。
2、本公开的1个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤:通过激光装置生成脉冲激光,将脉冲激光输出到曝光装置,在曝光装置内在感光基板上曝光脉冲激光,以制造电子器件,激光装置具有:第1致动器,其对脉冲激光的振荡波长进行调整;第2致动器,其对脉冲激光的谱线宽度进行调整;以及处理器,处理器读入指定照射到被照射物的1个部位的脉冲激光的照射脉冲数和最短波长与最长波长之差的数据,决定目标谱线宽度,处理器根据目标谱线宽度对第2致动器进行控制,处理器对第1致动器进行控制,以使得振荡波长在最短波长与最长波长之间按照每照射脉冲数周期性地发生变化。
1.一种激光装置,其具有:
2.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
3.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
4.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
5.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
6.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
7.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
8.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
9.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
10.根据权利要求9所述的激光装置,其中,
11.根据权利要求9所述的激光装置,其中,
12.根据权利要求9所述的激光装置,其中,
13.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
14.根据权利要求13所述的激光装置,其中,
15.根据权利要求13所述的激光装置,其中,
16.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
17.根据权利要求16所述的激光装置,其中,
18.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
19.根据权利要求18所述的激光装置,其中,
20.一种电子器件的制造方法,其包含以下步骤: