本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种设计版图、掩膜版及测量方法。
背景技术：
1、表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(criticaldimension，cd)。随着关键尺寸的缩小，关键尺寸的偏差对器件性能的影响也越来越大。
2、通常通过将图形传递至光掩膜上，再通过光掩膜将图形转移到晶圆上，因此，光掩膜中图形的关键尺寸尤为重要。
3、在对光掩模关键尺寸的量测中，扫描电镜对二维图形的量测比对一维图形(长直线)的量测更注重量测位置的准确性：对一维图形的量测只要保证在同一根直线上采样即可，而对采样位置没有太高的要求；然而对于二维图形，由于其尺寸临近曝光机台的分辨极限等原因，其最终成形会产生圆头的现象，这个时候如果量测定位即使有稍微的偏差都会影响最终量测的准确性。
技术实现思路
1、本发明实施例解决的问题是提供一种设计版图、掩膜版及测量方法，能够提高测量精准度。
2、为解决上述问题，本发明实施例提供一种设计版图，包括：设计图形，所述设计图形具有关键尺寸方向；参考图形，沿所述关键尺寸方向设置于所述设计图形两侧，所述参考图形在各个方向的尺寸大于或等于掩膜版写入尺寸。
3、相应的，本发明实施例还提供一种掩膜版，包括利用本发明实施例提供的设计版图获得的光掩膜图形。
4、相应的，本发明实施例还提供一种测量方法，包括：获取掩膜版，包括设计光掩膜图形，所述设计光掩膜图形具有关键尺寸方向，所述掩膜版还包括沿所述关键尺寸方向设置于所述设计光掩膜图形两侧的参考光掩膜图形；通过定位所述参考光掩模图形以确定所述设计光掩模图形的尺寸采样区域，所述尺寸采样区域涵盖所述设计光掩模图形沿垂直于所述关键尺寸方向延伸的边的部分边缘轮廓；在所述尺寸采样区域中测量所述设计光掩膜图形沿所述关键尺寸方向的尺寸。
5、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
6、本发明实施例提供的设计版图中，参考图形沿所述关键尺寸方向设置于设计图形两侧，参考图形在各个方向的尺寸大于或等于掩膜版写入尺寸，则参考图形能够写入至掩膜版上，以获得与设计图形相对应的设计光掩模图形、以及与参考图形相对应的参考光掩模图形，参考光掩模图形能够作为后续测量设计光掩模图形时的定位图形，有利于减小测量设计光掩模图形时测量位置的随机性，且能够根据实际测量的位置需求，预先在设计版图中设置满足位置需求的参考图形，从而有利于较为精准地定位设计光掩模图形的测量位置，进而提高测量精准度。
7、本发明实施例提供的测量方法中，获取掩膜版，包括设计光掩膜图形，设计光掩膜图形具有关键尺寸方向，所述掩膜版还包括沿所述关键尺寸方向设置于所述设计光掩膜图形两侧的参考光掩膜图形，通过定位所述参考光掩模图形以确定所述设计光掩模图形的尺寸采样区域，所述尺寸采样区域涵盖所述设计光掩模图形沿垂直于所述关键尺寸方向延伸的边的部分边缘轮廓，在所述尺寸采样区域中测量所述设计光掩膜图形沿所述关键尺寸方向的尺寸；本发明实施例中，参考光掩模图形作为测量设计光掩模图形时的定位图形，有利于减小测量位置的随机性，且能够根据实际测量的位置需求，预先设置满足位置需求的参考光掩膜图形，从而有利于较为精准地定位设计光掩膜图形的测量位置，进而提高测量精准度。
技术特征：1.一种设计版图，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，所述参考图形在各个方向的尺寸小于可光刻尺寸。
3.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，以所述设计图形具有沿所述关键尺寸方向延伸的中轴线，所述设计图形两侧的参考图形中心点的连线作为基准线，所述基准线与所述中轴线重合，或者与所述中轴线平行且间距小于或等于预设间距。
4.如权利要求3所述的设计版图，其特征在于，所述预设间距为所述设计图形沿垂直于所述关键尺寸方向的尺寸与预设比例之积。
5.如权利要求4所述的设计版图，其特征在于，所述预设比例小于或等于2％。
6.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，所述参考图形的形状为方形。
7.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，所述设计图形包括洞图形和岛图形中的一种或两种，且所述设计图形两侧的参考图形的类型与所述设计图形的类型相同。
8.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，沿所述关键尺寸方向，所述参考图形与所述设计图形之间的间距为0.2μm至0.8μm。
9.如权利要求1所述的设计版图，其特征在于，沿所述关键尺寸方向，所述设计图形的尺寸为0.1μm至1μm。
10.一种掩膜版，其特征在于，包括：利用如权利要求1-9任一项所述设计版图获得的光掩膜图形。
11.一种测量方法，其特征在于，包括：
12.如权利要求11所述的测量方法，其特征在于，所述参考光掩膜图形在各个方向的尺寸小于可光刻尺寸。
13.如权利要求11所述的测量方法，其特征在于，所述设计光掩膜图形具有沿所述关键尺寸方向延伸的中轴线，所述设计光掩膜图形两侧的参考光掩膜图形的中心点的连线作为基准线，所述基准线与所述中轴线重合，或者与所述中轴线平行且间距小于或等于预设间距。
14.如权利要求13所述的测量方法，其特征在于，所述预设间距为所述设计光掩膜图形沿垂直于所述关键尺寸方向的尺寸与预设比例之积。
15.如权利要求14所述的测量方法，其特征在于，所述预设比例小于或等于2％。
16.如权利要求11所述的测量方法，其特征在于，通过同时定位所述参考光掩模图形和设计光掩模图形，以确定所述设计光掩模图形的尺寸采样位置。
17.如权利要求11或16所述的测量方法，其特征在于，所述测量方法还包括：提供所述掩膜版对应的设计版图，所述设计版图包括设计图形、以及沿所述关键尺寸方向位于所述设计图形两侧的参考图形，所述设计图形具有检测区，所述检测区涵盖所述设计图形沿垂直于所述关键尺寸方向延伸的边的部分边缘轮廓，所述检测区的沿所述关键尺寸方向延伸的中轴线与所述设计图形两侧的参考图形的中心点的连线重合；
18.如权利要求17所述的测量方法，其特征在于，在所述设计版图中，沿垂直于所述关键尺寸方向，所述检测区的尺寸为所述设计图形的尺寸的二分之一。
19.如权利要求11所述的测量方法，其特征在于，所述设计光掩模图形的类型包括遮光图形和透光图形中的一种或两种，且所述设计光掩模图形两侧的参考光掩模图形的类型与所述设计光掩模图形的类型相同。
技术总结一种设计版图、掩膜版及测量方法，测量方法包括：获取掩膜版，包括设计光掩膜图形，所述设计光掩膜图形具有关键尺寸方向，所述掩膜版还包括沿所述关键尺寸方向设置于所述设计光掩膜图形两侧的参考光掩膜图形；通过定位所述参考光掩模图形以确定所述设计光掩模图形的尺寸采样区域，所述尺寸采样区域涵盖所述设计光掩模图形沿垂直于所述关键尺寸方向延伸的边的部分边缘轮廓；在所述尺寸采样区域中测量所述设计光掩膜图形沿所述关键尺寸方向的尺寸。本发明有利于提高测量精准度。
技术研发人员：李一凡
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：技术公布日：2024/1/25