本申请涉及光通信,尤其涉及一种光模块。
背景技术:
1、随着集成电路封装的密度不断增大、芯片尺寸不断减小、i/o端子数不断增加,而在有限尺寸的芯片上要求实现的功能却越来越多,可考虑对芯片进行3d封装。采用3d封装技术可以增大封装密度、提高产品性能、降低功耗、减小噪声,实现电子设备的多功能化和小型化。
2、目前光芯片与电芯片采用3d封装时,将电芯片倒装在光芯片上,电芯片和光芯片之间通过金属凸块互连,可实现高密度的io互连。但是受限于光芯片工艺本身,无法在光芯片内部实现tsv(through-silicon-via,硅通孔)工艺,光芯片的引脚需要通过金丝键合工艺连接至电路板上。如此,一方面导致高频性能的牺牲,另一方面光芯片下方的电路板上无法不限,甚至可能需要挖空,在高密度封装应用场景中,电路板可能存在布线困难的情况。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种光模块,以实现光模块的光电芯片进行3d封装时,既能保证高频性能的最优化,又能保证电路板上的高密度布局。
2、本申请提供了一种电路板,包括:
3、电路板;
4、电芯片,通过第一焊球堆叠在所述电路板的表面;包括第一正面与第一背面,其上设置有贯穿所述第一正面与所述第一背面的多个导电通孔,所述导电通孔的一侧与所述第一焊球连接;所述第一正面上设置有信号线,所述信号线的一侧与所述导电通孔的另一侧连接;
5、光芯片,包括第二正面与第二背面,所述第二背面与所述第二正面相对设置,所述第二正面通过所述第二焊球堆叠在所述电芯片上,所述第二焊球与所述信号线的另一侧连接。
6、由上述实施例可见,本申请实施例提供的光模块包括电路板、电芯片与光芯片,电芯片通过第一焊球堆叠在电路板的表面,光芯片的面积小于电芯片的面积,光芯片通过第二焊球堆叠在电芯片上,使得光芯片、电芯片与电路板由上至下层叠设置,且电芯片通过第一焊球与电路板连接,光芯片通过第二焊球与电芯片连接,使得电芯片作为转接板实现光芯片与电路板的连接;电芯片包括第一正面与第一背面,电芯片上设置有贯穿第一正面与第一背面的多个导电通孔,导电通孔的一侧与第一焊球连接;第一正面上设置有信号线,信号线的一侧与导电通孔的另一侧连接,以通过导电通孔实现电芯片的第一正面与第一背面之间的信号传输;光芯片包括第二正面与第二背面,第二正面通过第二焊球堆叠在电芯片上,且第二焊球与信号线的另一侧连接,如此电芯片通过信号线、第二焊球将信号传输至光芯片,以实现光电芯片之间的信号传输。本申请采用带有tsv工艺的电芯片作为转接板,将光电芯片的rf信号以最短路径传送至电路板,能够最大程度保证高频信号完整性;且光电芯片与电路板之间的连接完全消除了金线键合工艺,能够提高光电芯片与电路板的连接端口密度,从而能够最大程度实现电路板的高密度布局。
1.一种光模块,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述第一焊球设置于所述电路板与所述第一背面之间,所述电芯片通过所述第一焊球与所述电路板信号连接;
3.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述第一焊球设置于所述电路板与所述第一正面之间,所述电芯片通过所述第一焊球与所述电路板信号连接;
4.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述电芯片的宽度尺寸大于或等于所述光芯片的宽度尺寸,所述电芯片的长度尺寸大于所述光芯片的长度尺寸,且所述光芯片的面积小于所述电芯片的面积,。
5.根据权利要求4所述的光模块,其特征在于,所述电芯片的宽度尺寸为3260μm~3500μm,所述电芯片的长度尺寸为4500μm~5000μm;
6.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,沿所述电芯片的宽度方向上,所述电路板上并排设置有多个所述电芯片,每个所述电芯片通过所述第一焊球堆叠在所述电路板上,相邻所述电芯片之间存在间隙。
7.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述光芯片通过所述第二焊球堆叠在所述电芯片的第一背面上,所述第一背面上还设置有导热块,所述导热块用于对所述电芯片进行散热。
8.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述电芯片集成有驱动芯片与跨阻放大芯片。
9.根据权利要求1所述的光模块,其特征在于,所述光芯片为硅光芯片,所述硅光芯片采用微环调制器进行光信号调制。