光电子器件阵列封装结构

本公开涉及光通信及集成光电子，尤其涉及一种光电子器件阵列封装结构。

背景技术：

1、随着光电子技术的不断发展，光通信速率不断提升，电光调制器因为不影响激光器工作，并可在更高的速率下工作，应用广泛。在许多应用场景下，对大带宽、小体积、阵列化的电光调制器提出了新的更高的要求。实现这些要求不仅需要提升电光调制器芯片本身的性能，还亟需发展适宜于大带宽、小体积的高速电光调制器阵列的封装技术。

2、在传统的电光调制器封装中，微波信号一般从调制器芯片的侧面接入。这一封装方式虽然通过缩短传输线长度实现了微波信号的低损耗传输，但分布在封装管壳侧面的射频接口使电光调制器难以实现大规模阵列化的装配需要，调制器芯片上弯曲的电极传输结构不可避免的带来了微波信号的反射与损耗，也使得电光调制器难以实现较高的调制频率；面对多通道阵列封装的需求，侧面接入和弯曲的阵列传输结构还会使通道间射频信号一致性劣化，影响器件的阵列化装配使用。因此，需要设计一种新的结构，实现电光调制器阵列封装。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本发明提供了一种光电子器件阵列封装结构，以解决上述技术问题。

2、本公开的一个方面提供了一种光电子器件阵列封装结构，包括：电光调制器阵列芯片，用于将微波信号向光信号调制，多组行波电极在所述电光调制器阵列芯片上平行设置，行波电极的微波信号输入端和微波信号终端均为直线结构；多组传输线，用于传输微波信号到电光调制器阵列芯片，与所述行波电极一一对应，为直线结构，沿所述行波电极的延伸方向设置于所述行波电极的微波信号输入端侧上方，与所述行波电极的微波信号输入端连接；多组匹配负载，用于实现微波信号的阻抗匹配，与所述行波电极一一对应，为直线结构，沿所述行波电极的延伸方向设置于所述行波电极的微波信号终端上表面，与所述行波电极的微波信号终端连接。

3、根据本公开的实施例，所述传输线与所述行波电极的微波信号输入端通过金丝连接，或者，所述传输线与所述行波电极的微波信号输入端通过倒装焊连接。

4、根据本公开的实施例，所述匹配负载使用表贴的方式安装在所述行波电极的微波信号终端的上表面，通过所述金丝连接所述微波信号终端，或者，所述匹配负载使用蒸镀或倒装焊的方式安装在所述行波电极的微波信号终端的上表面，且连接所述微波信号终端。

5、根据本公开的实施例，所述电光调制器阵列芯片为单片集成的多通道阵列芯片，或者，为多个单通道芯片组合成的阵列芯片。

6、根据本公开的实施例，所述电光调制器阵列芯片还包括：光波导、偏置电极、监视探测器、输入输出光纤及耦合结构。

7、根据本公开的实施例，所述光电子器件阵列封装结构还包括：直流电路、射频连接器和封装管壳。

8、在本公开实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：

9、本公开提供的光电子器件阵列封装结构，避免了因为传输线弯曲造成的反射与损耗，且易于实现多通道阵列化集成，可满足高带宽和阵列化的小型电光调制器应用需求。

技术特征：

1.一种光电子器件阵列封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光电子器件阵列封装结构，其特征在于，所述传输线(2)与所述行波电极(11)的微波信号输入端(111)通过金丝(4)连接，或者，所述传输线(2)与所述行波电极(11)的微波信号输入端(111)通过倒装焊连接。

3.根据权利要求1所述的光电子器件阵列封装结构，其特征在于，所述匹配负载(3)使用表贴的方式安装在所述行波电极(11)的微波信号终端(112)的上表面，通过所述金丝(4)连接所述微波信号终端(112)，或者，所述匹配负载(3)使用蒸镀或倒装焊的方式安装在所述行波电极(11)的微波信号终端(112)的上表面，且连接所述微波信号终端(112)。

4.根据权利要求1所述的光电子器件阵列封装结构，其特征在于，所述电光调制器阵列芯片(1)为单片集成的多通道阵列芯片，或者，为多个单通道芯片组合成的阵列芯片。

5.根据权利要求1所述的光电子器件阵列封装结构，其特征在于，所述电光调制器阵列芯片(1)还包括：光波导、偏置电极、监视探测器、输入光纤、输出光纤、光耦合结构。

6.根据权利要求1所述的光电子器件阵列封装结构，其特征在于，所述电光调制器阵列封装结构还包括：直流电路、射频连接器和封装管壳。

技术总结
本公开提供了一种光电子器件阵列封装结构，包括：电光调制器阵列芯片，多组行波电极在电光调制器阵列芯片上平行设置，行波电极的微波信号输入端和微波信号终端均为直线结构；多组传输线，与行波电极一一对应，为直线结构，沿行波电极的延伸方向设置于行波电极的微波信号输入端侧上方，与行波电极的微波信号输入端连接；多组匹配负载，与行波电极一一对应，为直线结构，沿行波电极的延伸方向设置于行波电极的微波信号终端上表面，与行波电极的微波信号终端连接。该光电子器件阵列封装结构避免了传输线弯曲造成的反射与损耗，且易于实现多通道阵列化集成，可满足高带宽和阵列化的小型电光调制器应用需求。

技术研发人员：曹克奇,刘宇,陈少康,张心研,王健,刘艺,袁海庆,白金花,李明,祝宁华
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13