带有止动间隙真空密封件的反应室的制作方法

本申请一般涉及可与压印光刻和基于喷墨的自适应平坦化相组合使用的反应室。

背景技术：

1、纳米制造包括制造具有100纳米或更小特征的非常小的结构。纳米制造的一个应用是集成电路的制造。半导体加工行业在增加于基板上形成的单位面积的电路的同时继续努力提高产量。纳米制造的改进包括提供更大的工艺控制并且增加吞吐量，同时也允许继续减小所形成结构的最小特征尺寸。

2、一些纳米制造技术通常被称为纳米压印光刻技术。纳米压印光刻技术在例如包括制造一层或更多层集成器件的各种应用中都很有用。集成器件的示例包括cmos逻辑(cmoslogic)、微处理器、nand闪存、nor闪存、dram存储器、mram、3d交叉点存储器、re-ram、fe-ram、stt-ram、mems等。

3、一些纳米压印光刻技术在可成形材料(可聚合)层中形成特征图案，并将与该特征图案相对应的图案转印到底层基板中或底层基板上。图案化工艺使用与基板间隔开的模板，并在模板和基板之间施加可成形液体。固化可成形液体以形成固体层，该固体层具有符合与可成形液体接触的模板的表面形状的图案。在固化后，模板与固化层分离，使得模板和基板间隔开。然后，基板和固化层经历诸如蚀刻工艺的附加工艺，以将与固化层中的图案相对应的浮雕图像转印到基板中或基板上。

4、此外，平坦化技术在制造半导体器件中也很有用。例如，制造半导体器件的工艺可以包括反复向基板添加材料和从基板去除材料。该工艺可以产生具有不规则高度变化(即浮雕图案)的分层基板，而且，随着层数的增加，基板的高度变化也会增加。高度变化对向分层基板添加更多层的能力产生负面影响。此外，半导体基板(例如硅晶片)本身并不总是完全平坦的，并且可能包括初始表面高度变化(即浮雕图案)。解决高度变化的一种技术是在分层工序之间对基板进行平坦化。有时被称为基于喷墨的自适应平坦化(iap)的平坦化技术涉及在基板和覆板(superstrate)之间分配可聚合材料的可变液滴图案，其中液滴图案依据基板的浮雕图案而变化(覆板是无特征的板，其用于控制可聚合材料的顶面形状)。然后，让覆板与可聚合材料接触，之后在基板上聚合材料，并移除覆板。

5、各种光刻图案化技术受益于平坦表面上的图案化。在基于arfi激光的光刻技术中，平坦化改善聚焦深度(dof)、临界尺寸(cd)和临界尺寸均匀性(cdu)。在极紫外光刻技术(euv)中，平坦化改善特征位置和dof。在纳米压印光刻技术(nil)中，平坦化改善图案转印后的特征填充和cd控制。

6、而且，具有聚合材料的基板可以进一步经历用于器件(物品)制造的已知工序和处理，包括例如固化、烘烤、氧化、层形成、沉积、掺杂、平坦化、蚀刻、可成形材料去除、切割、粘合、封装等。也可以在对基板进行nil或iap之前进行这些已知的工序。可以在至少与周围环境部分隔离的反应室中进行这些已知的工序。

技术实现思路

1、系统的一些实施例包括：反应室的一个或更多个壁；在所述一个或更多个壁中的可调节间隙，其中，在第一间隙表面与面对第一间隙表面的第二间隙表面之间形成所述可调节间隙，并且其中，第一间隙表面与第二间隙表面之间的距离是能够调节的；多个止动件，其中，所述多个止动件中的各个止动件被定位在第一间隙表面或第二间隙表面上，其中，所述多个止动件确保可调节间隙的最小距离，其中，多个止动件的总长度小于第一间隙表面长度的1％；以及一个或更多个真空口，其在第一间隙表面或第二间隙表面中。

2、系统的一些实施例包括：反应室，其包括第一封闭构件和第二封闭构件，其中，第一封闭构件和第二封闭构件中的至少一个能够相对于另一个移动；界面间隙，其形成在第一封闭构件的第一间隙表面与第二封闭构件的第二间隙表面之间，其中，第一间隙表面面对第二间隙表面，并且其中，第一封闭构件或第二封闭构件能够被移动以改变所述界面间隙的距离；多个止动件，其中，所述多个止动件中的各个止动件被定位在第一间隙表面或第二间隙表面上，并且其中，除止动件以及第一封闭构件和第二封闭构件中的、与止动件接触的部分以外，第一封闭构件和第二封闭构件彼此不接触；以及一个或更多个真空口，其在第一间隙表面中或第二间隙表面中。

3、系统的一些实施例包括：反应室，其包括第一封闭构件和第二封闭构件，其中，第一封闭构件能够在第一封闭构件被定位在靠近第二封闭构件的位置与第一封闭构件被定位在远离第二封闭构件的位置之间移动，其中，第一封闭构件在反应室的外围包括第一界面表面，其中，第二封闭构件在反应室的外围包括第二界面表面，其中，第一界面表面面对第二界面表面；多个止动件，其中，所述多个止动件中的各个止动件被定位在第一界面表面或第二界面表面上，并且其中，在第一封闭构件被定位在靠近第二封闭构件的位置中，除止动件以及第一界面表面和第二界面表面中的、与止动件接触的任何部分以外，第一封闭构件和第二封闭构件彼此不接触，使得在第一界面表面与第二界面表面之间形成间隙；以及一个或更多个真空口，其在第一界面表面中或第二界面表面中。

技术特征：

1.一种系统，其包括：

2.根据权利要求1所述的系统，其中，第一间隙表面的长度是第一间隙表面的、在一个或更多个壁与第一间隙表面相交处的边缘的长度；以及

3.根据权利要求1所述的系统，

4.根据权利要求1所述的系统，所述系统还包括：

5.根据权利要求1所述的系统，所述系统还包括：

6.根据权利要求1所述的系统，其中，在第一间隙表面中的一个或更多个真空口中的真空口面对第二间隙表面，并且

7.一种系统，其包括：

8.根据权利要求7所述的系统，所述系统还包括：

9.根据权利要求7所述的系统，其中，多个止动件的总面积小于第一间隙表面的总面积的1％，并且小于第二间隙表面的总面积的1％。

10.根据权利要求7所述的系统，其中，一个或更多个真空口中的各个真空口包括第一间隙表面或第二间隙表面中的各凹槽。

11.根据权利要求10所述的系统，其中，多个止动件中的至少一些止动件被定位在第一间隙表面或第二间隙表面上，使得所述多个止动件中的至少一些止动件与反应室的内部之间的各自距离小于真空口与反应室的内部之间的各自距离。

12.根据权利要求10所述的系统，其中，多个止动件中的至少一些止动件被定位在第一间隙表面或第二间隙表面上，使得多个止动件中的至少一些止动件与反应室的内部之间的各自距离大于真空口与反应室的内部之间的各自距离。

13.一种系统，其包括：

14.根据权利要求13所述的系统，其中，各个止动件的高度为5微米至50微米。

技术总结
本申请涉及带有止动间隙真空密封件的反应室。一些装置和系统，其包括：反应室的一个或更多个壁；在所述一个或更多个壁中的可调节间隙，其中，在第一间隙表面与面对第一间隙表面的第二间隙表面之间形成可调节间隙，其中，第一间隙表面与第二间隙表面之间的距离是能够调节的；多个止动件，其中，所述多个止动件中的各个止动件被定位在第一间隙表面或第二间隙表面上，其中，所述多个止动件确保可调节间隙的最小距离，其中，多个止动件的总长度小于第一间隙表面长度的1％；以及一个或更多个真空口，其在第一间隙表面或第二间隙表面中。

技术研发人员：崔炳镇,塞斯·J·巴梅斯伯格,亚历克斯·鲁伊斯
受保护的技术使用者：佳能株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13