光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备与流程

本发明涉及半导体，尤其涉及光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备。

背景技术：

1、微同轴传输技术是一种基于mems(micro-electro-mechanical systems，微机电系统)微机械加工工艺的射频传输技术，具有超宽带、无色散、低损耗、高功率容量、高隔离度等特点，在高性能雷达和空间通信等领域具有非常广阔的应用前景。目前结构的制备方法是先在硅片上进行氧化形成氧化层，在氧化硅膜层上进行种子层溅射，再通过光刻来定义图形，多次循环进行搭建整体的微同轴结构，最后进行光刻胶释放。目前的光刻胶释放方法是在制备完成后通过紫外光照射、高温烘烤、显影液浸泡等步骤对整体的微同轴结构内的各单层结构内的光刻胶进行逐层释放，存在处理时间长，释放效率低，操作步骤繁琐，使用到的设备和药剂较多，释放成本较高的问题。

技术实现思路

1、本发明提供了光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备，以解决目前的光刻胶释放方法存在处理时间长，释放效率低，操作步骤繁琐，使用到的设备和药剂较多，释放成本较高的问题。

2、第一方面，本发明提供了光刻胶刻蚀液，包括：

3、二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。

4、可选的，所述光刻胶刻蚀液的配比包括：

5、所述二甲基亚砜的体积分数为40％～60％，

6、和/或，

7、所述四氢呋喃的体积分数为20％～30％，

8、和/或，

9、所述异丙醇的体积分数为30％～50％。

10、第二方面，本发明还提供了微同轴光刻胶牺牲层释放方法，包括：

11、将待释放的微同轴结构浸泡于如上述第一方面中任一项所述的第一光刻胶刻蚀液，得到第一微同轴结构腔体；

12、利用去离子水冲洗所述第一微同轴结构腔体。

13、可选的，浸泡时间是根据所述微同轴结构腔体的结构和/或所述第一光刻胶刻蚀液的配比确定的。

14、可选的，所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，还包括：

15、搅拌所述第一光刻胶刻蚀液，其中，搅拌速率是根据所述微同轴结构腔体的结构和/或所述第一光刻胶刻蚀液的配比确定的。

16、可选的，所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，还包括：

17、利用起泡装置将所述第一光刻胶刻蚀液进行起泡处理；

18、将起泡处理的所述第一光刻胶刻蚀液向所述微同轴结构的进行冲刷。

19、可选的，所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，还包括：

20、获取冲洗后的微同轴结构腔体的光刻胶残留情况；

21、基于所述光刻胶残留情况，制备第二光刻胶刻蚀液；

22、将冲洗后的微同轴结构浸泡于所述第二光刻胶刻蚀液，得到第二微同轴结构腔体；

23、利用去离子水冲洗所述第二微同轴结构腔体。

24、第三方面，本发明还提供了微同轴光刻胶牺牲层释放装置，其特征在于，包5括：

25、浸泡模块，用于将待释放的微同轴结构浸泡于如上述第一方面中任一项所述的第一光刻胶刻蚀液，得到第一微同轴结构腔体；

26、冲洗模块，用于利用去离子水冲洗所述第一微同轴结构腔体。

27、第四方面，本发明还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器，所述处理0器用于执行存储器中存储的计算机程序时实现如上述第二方面任一种所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法的步骤。

28、第五方面，本发明还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述第二方面任一种所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法的步骤。

29、5由以上技术方案可知，本发明提供了光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备，该光刻胶刻蚀液包括：二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。由于目前的光刻胶释放方法是在制备完成后通过紫外光照射、高温烘烤、显影液浸泡等步骤对整体的微同轴结构内的各单层结构内的光刻胶进行逐层释放，存在处

30、理时间长，释放效率低，操作步骤繁琐，使用到的设备和药剂较多，释放成本较0高的问题。而本申请实施例通过二甲基亚砜作为主要的光刻胶去除剂，提高光刻胶刻蚀质量，通过四氢呋喃作为黏度调节剂和次要的光刻胶去除剂，进一步增加光刻胶刻蚀液的刻蚀能力，并提高光刻胶刻蚀液的流动性，增强光刻胶刻蚀液对于细小缝隙处的光刻胶的刻蚀能力，通过异丙醇去除已经被溶解的光刻胶和四氢呋喃及二甲基亚砜的混合溶液，提高光刻胶刻蚀液的刻蚀效率，因此，通过上述光刻胶刻蚀液可以提高光刻胶的刻蚀效率和刻蚀质量，缩短刻蚀时间，节约刻蚀成本。

技术特征：

1.光刻胶刻蚀液，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光刻胶刻蚀液，其特征在于，所述光刻胶刻蚀液的配比包括：

3.微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，包括：

4.如权利要求3所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，浸泡时间是根据所述微同轴结构腔体的结构和/或所述第一光刻胶刻蚀液的配比确定的。

5.如权利要求3所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，还包括：

6.如权利要求5所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，还包括：

7.如权利要求3所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法，其特征在于，还包括：

8.微同轴光刻胶牺牲层释放装置，其特征在于，包括：

9.电子设备，包括存储器、处理器，其特征在于，所述处理器用于执行存储器中存储的计算机程序时实现如权利要求3至7中任一项所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法的步骤。

10.计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于：所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求3至7中任一项所述的微同轴光刻胶牺牲层释放方法的步骤。

技术总结
本发明提供了光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备，该光刻胶刻蚀液包括：二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。通过二甲基亚砜作为主要的光刻胶去除剂，提高光刻胶刻蚀质量，通过四氢呋喃作为黏度调节剂和次要的光刻胶去除剂，进一步增加光刻胶刻蚀液的刻蚀能力，并提高光刻胶刻蚀液的流动性，增强光刻胶刻蚀液对于细小缝隙处的光刻胶的刻蚀能力，通过异丙醇去除已经被溶解的光刻胶和四氢呋喃及二甲基亚砜的混合溶液，提高光刻胶刻蚀液的刻蚀效率，因此，通过上述光刻胶刻蚀液可以提高光刻胶的刻蚀效率和刻蚀质量，缩短刻蚀时间，节约刻蚀成本。

技术研发人员：王荣栋,杨云春,陆原,张拴,马诗潇
受保护的技术使用者：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13