用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法与流程

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法。

背景技术：

1、干法刻蚀工艺过程，光刻胶和铬层被刻蚀容易产生副产物，此类副产物吸附或悬浮在腔体内容易形成二次污染，引起产品缺陷异常。而将设备停机后，由专业的技术人员对设备腔体进行手动清洁，开腔清洁内部组件和腔体内壁，会造成设备停机问题，消耗大量时间，影响工厂的产品流通。

2、在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法，以解决现有技术中清洁刻蚀设备的反应腔耗时过长的问题。

2、为了实现上述目的或其他目的，根据本申请的一个方面，提供了一种用于清洁刻蚀设备的掩模版，包括基板和遮光层，其中，所述遮光层位于所述基板的表面上，所述遮光层中设有多个开口图形，所述开口图形在所述基板上的正投影的形状边界具有多个凸起。

3、进一步地，所述凸起至少包括尖角凸起或圆弧凸起。

4、进一步地，所述开口图形的底部暴露部分所述基板，至少部分个所述开口图形的形状相同。

5、进一步地，所述开口图形呈阵列分布。

6、进一步地，任意相邻两个所述开口图形的间距小于或等于2微米。

7、进一步地，所述开口图形的最大直径小于或等于2微米。

8、进一步地，所述基板的材料包括石英玻璃、苏打玻璃、硼硅玻璃以及树脂中之一，所述遮光层的材料包括铬。

9、根据本申请的另一方面，提供了一种刻蚀设备的清洁方法，包括：获取所述刻蚀设备的运行状态；确定所述运行状态是否为停机状态；在所述运行状态为所述停机状态的情况下，控制将任一种所述的掩模版传入所述刻蚀设备的反应腔中；控制对所述反应腔进行抽真空和/或放真空，使得所述反应腔的压力控制在预定压力范围内；控制向所述反应腔内通入预定流量范围的氧气，并开启射频功率，对所述反应腔进行等离子体清洁操作。

10、进一步地，所述停机状态包括结束工作并停止的工作后停止状态和空置时间大于预设时间的空置后停止状态，确定所述运行状态是否为停机状态，包括：在所述运行状态为所述工作后停止状态或所述空置后停止状态的情况下，确定所述运行状态为所述停机状态。

11、进一步地，所述预定压力范围为3mtorr～5mtorr，所述预定流量范围为200sccm～300sccm，所述射频功率的功率范围为250w～350w，所述等离子体清洁操作的时间范围为250s～350s。

12、应用本申请的技术方案，所述用于清洁刻蚀设备的掩模版，包括基板和遮光层，其中，所述遮光层位于所述基板的表面上，所述遮光层中设有多个开口图形，所述开口图形在所述基板的正投影的形状边界具有多个凸起。该用于清洁刻蚀设备的掩模版上的开口图形在基板上的正投影的形状边界具有多个凸起，凸起可以增强静电吸附作用，从而在后续的等离子体清洁作业中能够容易将设备反应腔中的颗粒吸附在掩模版表面，然后通过等离子体清洁程序去除吸附在掩模版表面的颗粒，从而可以在不用开腔的情况下清洁刻蚀设备的反应腔，进而解决了现有技术中清洁刻蚀设备的反应腔耗时过长的问题。

技术特征：

1.一种用于清洁刻蚀设备的掩模版，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述凸起至少包括尖角凸起或圆弧凸起。

3.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述开口图形的底部暴露部分所述基板，至少部分个所述开口图形的形状相同。

4.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述开口图形呈阵列分布。

5.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，任意相邻两个所述开口图形的间距小于或等于2微米。

6.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述开口图形的最大直径小于或等于2微米。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的掩模版，其特征在于，所述基板的材料包括石英玻璃、苏打玻璃、硼硅玻璃以及树脂中之一，所述遮光层的材料包括铬。

8.一种刻蚀设备的清洁方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的清洁方法，其特征在于，所述停机状态包括结束工作并停止的工作后停止状态和空置时间大于预设时间的空置后停止状态，

10.根据权利要求8所述的清洁方法，其特征在于，所述预定压力范围为3mtorr～5mtorr，所述预定流量范围为200sccm～300sccm，所述射频功率的功率范围为250w～350w，所述等离子体清洁操作的时间范围为250s～350s。

技术总结
本申请提供了一种用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法。该掩模版包括基板和遮光层，其中，遮光层位于基板的表面上，遮光层中设有多个开口图形，开口图形在基板上的正投影的形状边界具有多个凸起。该用于清洁刻蚀设备的掩模版上的开口图形在基板上的正投影的形状边界具有多个凸起，凸起可以增强静电吸附作用，从而在后续的等离子体清洁作业中能够容易将设备反应腔中的颗粒吸附在掩模版表面，然后通过等离子体清洁程序去除吸附在掩模版表面的颗粒，从而可以在不用开腔的情况下清洁刻蚀设备的反应腔，进而解决了现有技术中清洁刻蚀设备的反应腔耗时过长的问题。

技术研发人员：耿明春,诸嘉豪
受保护的技术使用者：无锡迪思微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12