激光束系统中的用于执行量测的反射镜、激光束系统、EUV辐射源以及光刻设备的制作方法

本发明涉及一种可以在用于euv辐射源的激光束系统中使用的用于执行量测的反射镜。特别地，该反射镜可以用于确定或估计由反射镜接收的激光束的功率分布。

背景技术：

1、光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于可以例如使用波长为193nm的辐射的光刻设备，使用波长在4-20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

3、为了产生图案化衬底所需的euv辐射，通常应用euv辐射源。这种euv辐射源可以例如包括激光束系统(例如，包括co2激光器的系统)，所述激光束系统被布置为经由激光束将能量沉积到诸如锡(sn)的燃料中。为了确保将所沉积的能量有效地转换为euv辐射，可能需要关于激光束参数的准确知识或技术信息，诸如功率、功率分布、位置。已知的用于确定所述参数的方案可能对激光束的功率或功率分布产生不利影响。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种确定激光束参数的改进方式，以使激光束系统(诸如euv辐射源中所使用的激光束系统)的激光束具有更好的质量。因此，根据本发明的第一方面，提供了一种euv光源中的激光束系统的用于执行量测的反射镜，所述反射镜包括：

2、反射镜层，所述反射镜层具有前表面，所述前表面被配置为接收和反射所述激光束系统的激光束；

3、量测层，所述量测层被布置在所述反射镜层的背表面上，所述量测层包括：

4、-电阻网格，所述电阻网格包括多个导电段和多个电触点，或

5、-电阻层和多个电触点，

6、其中所述电阻网格或所述电阻层的所述多个电触点被配置为连接到量测仪器。

7、根据本发明的第二方面，提供了一种量测系统，所述量测系统包括：

8、-根据本发明的反射镜，和

9、-测量系统，所述测量系统被配置为确定电阻网格的一个或多个导电段的电阻值。

10、根据本发明的第三方面，提供了一种用于euv辐射源的激光束系统，所述激光束系统包括激光束源以及一个或多个根据本发明的量测系统。

11、根据本发明的第四方面，提供了一种euv辐射源，所述euv辐射源包括根据本发明的激光束系统。

12、根据本发明的第五方面，提供了一种光刻系统，所述光刻系统包括根据本发明的euv辐射源以及光刻设备。

技术特征：

1.一种euv光源中的激光束系统的用于执行量测的反射镜，所述反射镜包括：

2.根据权利要求1所述的反射镜，其中所述电阻网格包括多个节点，每个导电段形成所述多个节点中的一对节点之间的连接，以及

3.根据权利要求2所述的反射镜，其中所述量测层包括衬底层，并且通过使用导电油墨在所述衬底层的表面上印制相应的图案来形成所述电阻网格。

4.根据权利要求2所述的反射镜，其中所述量测层包括衬底层，并且其中，通过在所述衬底层的表面中蚀刻沟槽并在所述沟槽中提供导电体来形成所述电阻网格，从而形成所述多个导电段和所述多个电触点。

5.根据前述权利要求中任一项所述的反射镜，其中所述量测层的表面由保护层覆盖。

6.根据前述权利要求中任一项所述的反射镜，其中所述量测层包括衬底层，并且所述衬底层的设置有所述电阻网格的表面面向所述反射镜层的背表面。

7.根据前述权利要求中任一项所述的反射镜，其中所述反射镜包括布置在所述反射镜层的背表面上的量测层的堆叠。

8.根据前述权利要求中任一项所述的反射镜，还包括冷却层，所述冷却层被配置为冷却所述反射镜层，并且其中，所述冷却层被布置在所述量测层的背表面上。

9.一种量测系统，所述量测系统包括：

10.根据权利要求9所述的量测系统，其中所述测量系统被配置为：

11.根据权利要求9或10所述的量测系统，其中所述测量系统还被配置为基于所确定的电阻值估计反射镜层的温度分布，以及

12.一种用于euv辐射源的激光束系统，所述激光束系统包括：

13.根据权利要求12所述的激光束系统，包括两个或更多个量测系统和两个或更多个反射镜，并且其中，所述两个或更多个量测系统被配置为确定由所述两个或更多个量测系统的两个或更多个反射镜中的每个反射镜接收的激光束的操作特性。

14.根据权利要求13所述的激光束系统，其中所述两个或更多个量测系统的测量系统被配置为，基于由所述两个或更多个量测系统的两个或更多个反射镜中的每个反射镜接收的激光束的所确定的操作特性的比较，确定所述两个或更多个量测系统的反射镜的操作特性，

15.一种euv辐射源，所述euv辐射源包括根据权利要求12至14中任一项所述的激光束系统。

技术总结
提供一种EUV光源中的激光束系统的用于执行量测的反射镜，该反射镜包括：‑反射镜层，该反射镜层具有前表面，该前表面被配置为接收和反射激光束系统的激光束；‑量测层，该量测层被布置在反射镜层的背表面上，该量测层包括电阻网格，该电阻网格包括多个导电段和多个电触点，该多个电触点被配置为连接到量测仪器。

技术研发人员：威廉·琼·范德赞德,K·库特卢拉,约翰·菲利普·马修,A·R·范佐沃尔
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16