用于掩模清洁的具有围板的烘烤腔室的制作方法

本公开内容的实施方式大体涉及基板处理设备。

背景技术：

1、用于半导体制造工业中的基板通常被清洁以移除非所要的物质，诸如在处理期间于基板上产生的污染物或其他非所要颗粒。基板可包括半导体晶片、腔室元件、光掩模或类似物。在经历了湿式清洁或干式清洁制程之后，基板可包括残余的湿气、残留物或雾霾。可使用烘烤腔室从基板移除残余的湿气、非所要的颗粒或雾霾。然而，在典型烘烤腔室中，加热部件及加热部件周围的材料可被氧化以产生缺陷，或高温可归因于热应力而从加热部件表面脱落颗粒，从而污染基板。

2、因此，发明人已提供用于清洁基板的改良的烘烤腔室。

技术实现思路

1、本文提供了烘烤腔室的实施方式及使用该烘烤腔室的方法。在一些实施方式中，一种用于烘烤基板的烘烤腔室包括：腔室主体，围封内部容积；加热器，设置在该内部容积中，其中该加热器被配置为在使用期间具有约100摄氏度至约400摄氏度的表面温度；围板，与该加热器相对地设置在内部容积中，其中该围板包括与气体入口流体耦接的中央开口；多个基板升降销，被配置为在内部容积中将基板支撑在加热器与围板之间，以使得加热器经由对流加热基板，其中该围板包括多个第一开口以促进多个基板升降销；及气体出口，与该围板相对地设置在该腔室主体中，以使得穿过内部容积的气流路径从气体入口延伸至围板之内、加热器周围的区域，并延伸至气体出口。

2、在一些实施方式中，一种用于烘烤光掩模的烘烤腔室包括：腔室主体，围封内部容积；加热器，设置在该内部容积中，其中该加热器被配置为在使用期间具有约100摄氏度至约400摄氏度的表面温度；围板，与该加热器相对地设置在内部容积中，其中该围板具有锥形形状且包括与气体入口流体耦接的中央开口；多个基板升降销，被配置为在内部容积中将光掩模支撑在加热器与围板之间，以使得加热器经由对流加热光掩模，其中该围板包括多个第一开口以促进多个基板升降销；及气体出口，与该围板相对地设置在该腔室主体中，以使得穿过内部容积的气流路径从气体入口延伸至围板之内、加热器周围的区域，并延伸至气体出口。

3、在一些实施方式中，一种在烘烤腔室中烘烤基板的方法，包括：将基板放置在烘烤腔室的内部容积中的多个升降销上，该基板在加热器与具有耦接至气体入口的中央开口的围板之间；将惰性气体流动至气体入口，以使得惰性气体从气体入口流动至围板之内、基板周围、加热器周围的区域，并且流动至在烘烤腔室的与气体入口相对的一侧上的气体出口；使用加热器经由对流烘烤基板以将基板上的残留物解离；以及经由气体出口排放残留物。

4、本公开内容的其他及进一步实施方式描述如下。

技术特征：

1.一种用于烘烤基板的烘烤腔室，所述基板具有给定宽度或给定外径，所述烘烤腔室包含：

2.如权利要求1所述的烘烤腔室，进一步包含边缘环，所述边缘环设置在多个边缘环升降销上并且被配置为围绕所述基板，其中所述多个边缘环升降销延伸穿过所述围板中的多个第二开口。

3.如权利要求2所述的烘烤腔室，其中所述基板为光掩模并且所述边缘环具有正方形中央开口。

4.如权利要求2所述的烘烤腔室，其中所述边缘环具有从所述边缘环的外侧壁至所述中央开口的约1.5英寸至约3.0英寸的宽度。

5.如权利要求1所述的烘烤腔室，其中所述多个基板升降销被耦接至用于一致地升高或降低所述多个基板升降销的平台。

6.如权利要求1所述的烘烤腔室，其中所述加热器包含加热板，所述加热板包括一或多个电阻加热元件。

7.如权利要求1所述的烘烤腔室，其中所述多个基板升降销被配置为支撑所述基板，以使得所述基板距离所述加热器约1mm至约3mm。

8.如权利要求1至7中任一项所述的烘烤腔室，其中所述围板具有倒锥形或倒金字塔形。

9.如权利要求1至7中任一项所述的烘烤腔室，其中所述气体出口设置在所述气体入口的垂直上方。

10.如权利要求1至7中任一项所述的烘烤腔室，进一步包含气体源，所述气体源基本上包含与所述气体入口耦接的惰性气体。

11.如权利要求1至7中任一项所述的烘烤腔室，其中所述腔室主体从所述腔室主体的俯视图来看具有圆形。

12.如权利要求1至7中任一项所述的烘烤腔室，其中所述加热器具有大于所述基板的所述给定宽度或给定外径的外径。

13.如权利要求1至7中任一项所述的烘烤腔室，其中所述加热器被配置为将所述光掩模加热至约70度到约150度。

14.如权利要求1至7中任一项所述的烘烤腔室，其中所述气体入口设置在所述烘烤腔室的底板中并且所述气体出口设置在所述烘烤腔室的顶板中。

15.如权利要求1至7中任一项所述的烘烤腔室，其中所述多个基板升降销包含四个升降销。

16.一种在烘烤腔室中烘烤基板的方法，包含：

17.如权利要求16所述的方法，其中烘烤所述基板的步骤包含：将所述基板加热至约70摄氏度到约150摄氏度的温度。

18.如权利要求16所述的方法，进一步包含：在烘烤期间于所述内部容积中保持大气压力。

19.如权利要求16至18中任一项所述的方法，进一步包含：在流动所述惰性气体之前，将所述基板放置在边缘环的中央开口之内。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述边缘环由多个边缘环升降销支撑，并且所述方法进一步包含：在将所述基板放置在所述多个基板升降销上之前，将所述边缘环降低至移送位置。

技术总结
本文提供了烘烤腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种用于烘烤基板的烘烤腔室包括：腔室主体，围封内部容积；加热器，设置在该内部容积中，其中该加热器被配置为在使用期间具有约100摄氏度至约400摄氏度的表面温度；围板，与该加热器相对地设置在内部容积中，其中该围板包括与气体入口流体耦接的中央开口；多个基板升降销，被配置为在内部容积中将基板支撑在加热器与围板之间，其中该围板包括多个第一开口以促进多个基板升降销；及气体出口，与该围板相对地设置在该腔室主体中，以使得穿过内部容积的气流路径从气体入口延伸至加热器周围，并且至气体出口。

技术研发人员：吴半秋,哈立德·马哈姆雷,埃利亚胡·什洛莫·达甘
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16