用于掩模清洁的多重空间烘烤腔室的制作方法

本公开内容的实施方式总体涉及基板处理装备。

背景技术：

1、在半导体制造工业中使用的基板通常经清洁以移除在处理期间于基板上产生的诸如污染物之类的不想要的材料或其他不想要的颗粒。基板可包括半导体晶片、腔室部件、光掩模或类似者。在经历湿式清洁或干式清洁工艺之后，基板可包括剩余湿气、残留物或雾霾(haze)。可使用烘烤腔室以从基板移除剩余湿气、不想要的颗粒或雾霾。然而，在典型的烘烤腔室中于加热部件周围加热部件及材料可氧化而建立缺陷，或者高温由于热应力而可从加热部件的表面脱落颗粒，而污染基板。

2、相应地，发明人已提供改进的烘烤腔室用于清洁基板。

技术实现思路

1、本文提供用于烘烤光掩模的烘烤腔室的实施方式。在某些实施方式中，一种用于烘烤光掩模的烘烤腔室，包括：腔室主体，包围第一内部空间及设置于所述第一内部空间下方且从所述第一内部空间流体独立的第二内部空间；辐射热源，设置于所述第一内部空间中；光掩模支撑结构，配置成支撑设置于所述第二内部空间中的光掩模；窗，设置于所述第一内部空间及所述第二内部空间之间，其中所述窗以对热辐射为穿透的材料制成，使得来自所述辐射热源的辐射能量可穿过所述窗进入所述第二内部空间且冲击在所述光掩模支撑结构上；第一气体入口及第一气体出口，耦合至所述第一内部空间；及第二气体入口及第二气体出口，在所述第二内部空间的相对端上耦合至所述第二内部空间，以促进工艺气体的流动横向通过所述第二内部空间且跨越所述光掩模支撑结构。

2、在某些实施方式中，一种用于烘烤光掩模的烘烤腔室，包括：腔室主体，包围第一内部空间及设置于所述第一内部空间下方且从所述第一内部空间流体独立的第二内部空间；包含红外线(ir)灯的辐射热源，设置于所述第一内部空间中；光掩模支撑结构，配置成支撑设置于所述第二内部空间中的光掩模；窗，设置于所述第一内部空间及所述第二内部空间之间，其中所述窗以对热辐射为穿透的材料制成，使得来自所述辐射热源的辐射能量可穿过所述窗进入所述第二内部空间且冲击在所述光掩模支撑结构上；第一气体入口及第一气体出口，耦合至所述第一内部空间；及第二气体入口及第二气体出口，在所述第二内部空间的相对端上耦合至所述第二内部空间，以促进工艺气体的流动横向通过所述第二内部空间且跨越所述光掩模支撑结构。

3、在某些实施方式中，一种在烘烤腔室中烘烤光掩模的方法，包括：抽吸所述烘烤腔室的下部空间至真空压力；将光掩模放置于所述烘烤腔室的所述下部空间中的支撑件上；及经由设置于所述烘烤腔室的上部空间中的辐射热源，加热所述光掩模，以解离在所述光掩模上的光掩模残留物，所述上部空间经由对红外线辐射为穿透的窗与所述下部空间分隔。

4、以下说明本公开内容的其他及进一步实施方式。

技术特征：

1.一种用于烘烤光掩模的烘烤腔室，包含：

2.如权利要求1所述的烘烤腔室，进一步包含掩模边缘环，所述掩模边缘环设置于所述光掩模支撑结构上且配置成环绕所述光掩模。

3.如权利要求2所述的烘烤腔室，其中所述掩模边缘环具有方形中心开口。

4.如权利要求1所述的烘烤腔室，其中所述辐射热源的外部直径大于所述掩模边缘环的外部直径。

5.如权利要求1所述的烘烤腔室，其中所述辐射热源包含一或更多红外线灯。

6.如权利要求1所述的烘烤腔室，其中所述辐射热源包含设置在所述第一内部空间中的一或更多红外线(ir)灯。

7.如权利要求1至6中任一项所述的烘烤腔室，其中所述第一气体入口及所述第一气体出口设置于所述腔室主体的相对侧上，且配置成使第一工艺气体跨越所述辐射热源流动。

8.如权利要求1至6中任一项所述的烘烤腔室，其中所述第二气体出口流体耦合至真空线。

9.如权利要求8所述的烘烤腔室，其中所述第一气体出口流体耦合至第一气体线，且其中所述第一气体线经由具有真空阀的真空旁通线耦合至所述真空线。

10.如权利要求1至6中任一项所述的烘烤腔室，其中所述窗由具有0.75或更大的透射系数的材料制成。

11.如权利要求1至6中任一项所述的烘烤腔室，其中所述窗由溴化钾、硒化锌、硫化锌或氯化钾制成。

12.如权利要求1至6中任一项所述的烘烤腔室，其中所述辐射热源配置成加热所述光掩模的表面至约70度至约150度。

13.如权利要求1至6中任一项所述的烘烤腔室，其中所述第一气体入口耦合至具有惰性气体或空气的第一气源，且所述第二气体入口耦合至具有惰性气体或空气的第二气源。

14.如权利要求1至6中任一项所述的烘烤腔室，其中所述第一内部空间被配置为在非真空压力下操作，且所述第二内部空间被配置为在真空压力下操作。

15.如权利要求1至6中任一项所述的烘烤腔室，进一步包含顶部反射器，所述顶部反射器设置于所述第一内部空间中并且被配置为将热辐射引导到所述窗。

16.一种在烘烤腔室中烘烤光掩模的方法，包含以下步骤：

17.如权利要求16所述的方法，进一步包含以下步骤：使第一工艺气体从所述烘烤腔室的第一气体入口流动跨越所述上部空间至所述烘烤腔室的第一气体出口，以更均匀地加热所述上部空间。

18.如权利要求17所述的方法，进一步包含以下步骤：在加热所述光掩模之后，使第二工艺气体从所述烘烤腔室的第二气体入口流动跨越所述下部空间至所述烘烤腔室的第二气体出口。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述第一工艺气体及所述第二工艺气体基本上包含惰性气体或空气。

20.如权利要求16至19中任一项所述的方法，其中加热所述光掩模的步骤包含以下步骤：加热所述光掩模的表面至摄氏约70度至约150度的温度。

技术总结
本文提供用于烘烤光掩模的烘烤腔室的实施方式。在某些实施方式中，一种烘烤腔室包括：腔室主体，包围第一内部空间及设置于第一内部空间下方且从第一内部空间流体独立的第二内部空间；辐射热源，设置于第一内部空间中；光掩模支撑结构，配置成支撑设置于第二内部空间中的光掩模；窗，设置于第一内部空间及第二内部空间之间，其中窗以对热辐射为穿透的材料制成；第一气体入口及第一气体出口，耦合至第一内部空间；及第二气体入口及第二气体出口，在第二内部空间的相对端上耦合至第二内部空间，以促进工艺气体的流动横向通过第二内部空间且跨越光掩模支撑结构。

技术研发人员：吴半秋,哈立德·马哈姆雷,埃利亚胡·什洛莫·达甘
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16