感光性组合物、感光性元件及布线板的制造方法与流程

本发明涉及一种感光性组合物、感光性元件以及布线板的制造方法。

背景技术：

1、在布线板生产中，形成抗蚀剂图案以获得所需的布线图案。感光性组合物被广泛用于抗蚀剂图案化。近年来，msap(改良半加成法)作为一种有望形成精细布线图案的方法受到关注。与传统方法相比，这种方法要求所形成的抗蚀剂图案具有较高的精度，才能获得精细的布线图案。

2、在感光性组合物中，除了光聚合性化合物和光聚合引发剂外，通常还使用光敏剂。在这种感光性组合物中，例如六芳基联咪唑化合物被用作光聚合引发剂。例如，9,10-二丁氧基蒽(dba)是已知的光敏剂(例如参见专利文献1)。

3、引文列表

4、专利文献

5、专利文献1：wo 2007/123062

技术实现思路

1、技术问题

2、根据发明人的研究，当使用专利文献1中的六芳基联咪唑化合物作为光聚合引发剂时，在选择光敏剂方面还有进一步研究的空间。具体来说，感光性组合物通常以夹在聚合物膜之间的感光性元件的形式使用，根据发明人的调查，当感光性组合物中除了六芳基双咪唑化合物外还含有dba时，dba会迁移到聚合物膜中，在形成抗蚀剂图案时可能会出现无法形成所需的图案形状的问题(迁移)。这种问题特别是在聚合物膜为聚乙烯膜时会出现。

3、本发明的一方面的目的是提供一种能够抑制光敏剂向聚乙烯膜迁移的感光性组合物。

4、解决问题的方案

5、发明人发现，与使用dba作为光敏剂的情况相比，通过选择特定的化合物作为光敏剂并与六芳基双咪唑化合物一起使用，能够抑制光敏剂向聚乙烯膜迁移。

6、本发明包括以下几个方面：

7、[1]一种感光性组合物，包含：光聚合性化合物；六芳基联咪唑化合物；和由下式(1)表示的化合物：

8、

9、其中r1、r2和r3各自独立地表示具有5个或更少碳原子的烷基，r4表示卤素原子、烷基或烷氧基，m和n各自独立地表示0或更大的整数。

10、[2]根据[1]所述的感光性组合物，其中，式(1)中r1、r2和r3所表示的烷基具有2个或更多的碳原子。

11、[3]根据[1]或[2]所述的感光性组合物，其中，式(1)中m和n为0。

12、[4]根据[1]或[2]所述的感光性组合物，其中，式(1)中m为1，n为0。

13、[5]根据[1]或[2]所述的感光性组合物，其中，式(1)中m为0，n为1。

14、[6]根据[1]或[2]所述的感光性组合物，其中，式(1)中m为0，n为2。

15、[7]根据[1]或[2]所述的感光性组合物，其中，由式(1)表示的化合物是下式(6)所表示的化合物：

16、

17、其中，r1和r2的含义分别与式(1)中的r1和r2相同，r4表示卤素原子。

18、[8]根据[7]所述的感光性组合物，其中，卤素原子为氯原子。

19、[9]一种感光性元件，包括：支撑体；和设置在所述支撑体上的感光层，所述感光层包含[1]至[8]中任一项所述的感光性组合物。

20、[10]一种布线板的制造方法，包括：将包含[1]至[8]中任一项所述的感光性组合物的感光层设置在基板上；对所述感光层的一部分进行光固化；去除所述感光层的未固化部分以形成抗蚀剂图案；以及在所述基板上的未形成抗蚀剂图案的部分上形成布线层。

21、本发明的有益效果

22、本发明可以提供一种能够抑制光敏剂迁移至聚乙烯膜的感光性组合物。本发明的另一方面可以提供一种具有优异灵敏度(特别是在使用低照度光源时的灵敏度)的感光性组合物。本发明的另一方面可以提供一种对基板具有优异粘着力的感光性组合物。

技术特征：

1.一种感光性组合物，包含：

2.根据权利要求1所述的感光性组合物，其中，式(1)中r1、r2和r3所表示的烷基具有2个或更多的碳原子。

3.根据权利要求1或2所述的感光性组合物，其中，式(1)中m和n为0。

4.根据权利要求1或2所述的感光性组合物，其中，式(1)中m为1，n为0。

5.根据权利要求1或2所述的感光性组合物，其中，式(1)中m为0，n为1。

6.根据权利要求1或2所述的感光性组合物，其中，式(1)中m为0，n为2。

7.根据权利要求1或2所述的感光性组合物，其中，由式(1)表示的化合物是下式(6)所表示的化合物：

8.根据权利要求7所述的感光性组合物，其中，卤素原子是氯原子。

9.一种感光性元件，包括：

10.一种布线板的制造方法，包括：

技术总结
一种感光性组合物，包含：光聚合性化合物；六芳基联咪唑化合物；和由下式(1)表示的化合物，其中R<supgt;1</supgt;、R<supgt;2</supgt;和R<supgt;3</supgt;各自独立地表示具有5个或更少碳原子的烷基，R<supgt;4</supgt;表示卤素原子、烷基或烷氧基，m和n各自独立地表示0或更大的整数。

技术研发人员：谷本明敏,加藤祯明,村上泰治,山崎大,星野稔,姜学松,马晓东
受保护的技术使用者：株式会社力森诺科
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12