带相位差层的偏振片及具有该带相位差层的偏振片的图像显示装置的制作方法

文档序号:38834514发布日期:2024-07-30 17:33阅读:16来源:国知局
带相位差层的偏振片及具有该带相位差层的偏振片的图像显示装置的制作方法

本发明涉及带相位差层的偏振片及具有该带相位差层的偏振片的图像显示装置。


背景技术:

1、近年来,以液晶显示装置及电致发光(el)显示装置(例如有机el显示装置、无机el显示装置)为代表的图像显示装置正在快速普及。在图像显示装置中,代表性而言使用了偏振片及相位差板。就实用性方面而言,广泛使用了将偏振片与相位差板一体化而成的带相位差层的偏振片(例如专利文献1)。随着对图像显示装置的薄型化的需求增强,对于带相位差层的偏振片,薄型化的需求也增强。以带相位差层的偏振片的薄型化为目的,相位差板的薄型化取得进展,使用了利用液晶系的材料而制作的相位差板。薄型的相位差板在高温条件下偏振片的尺寸收缩容易变大,相位差可能发生变化。此外,在使用液晶系的材料而形成的相位差层中,尺寸收缩的影响变得更大,其结果是,反射色相有时发生更大变化。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本专利第3325560号公报


技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、本发明是为了解决上述以往的课题而进行的,其主要目的在于提供抑制反射色相的面内不均、高温耐久性优异的带相位差层的偏振片。

3、用于解决课题的手段

4、本发明的实施方式的带相位差层的偏振片依次具有包含起偏器的偏振片、第1粘合剂层、液晶化合物的取向固化层即相位差层、和第2粘合剂层,该第1粘合剂层的80℃储存弹性模量g’1与该第2粘合剂层的80℃储存弹性模量g’2满足:g’1/g’2≤1、并且g’1>-0.85×g’2+1.4×105。

5、在一个实施方式中,上述第2粘合剂层的80℃储存弹性模量g’2为0.8×105pa~6.0×105pa。

6、在一个实施方式中,上述相位差层的面内相位差为100nm<re(550)<160nm,并且满足re(450)/re(550)<1、及re(650)/re(550)>1。

7、在一个实施方式中,上述相位差层的慢轴与上述起偏器的吸收轴所成的角度为40°~50°。

8、在一个实施方式中,上述起偏器的厚度为7μm以上。

9、在一个实施方式中,形成上述第2粘合剂层的粘合剂作为单体单元包含含有(甲基)丙烯酸烷基酯及含芳香环单体的(甲基)丙烯酸系聚合物(a)、和具有反应性甲硅烷基的聚醚化合物(b)。

10、在本发明的另一方面,提供一种图像显示装置。该图像显示装置具备上述带相位差层的偏振片。

11、发明效果

12、根据本发明的实施方式,能够提供高温耐久性优异的带相位差层的偏振片。根据本发明的实施方式,即使是包含液晶取向固化层作为相位差层的带相位差层的偏振片,也可抑制高温环境下的偏振片的尺寸收缩。因此,可抑制带相位差层的偏振片中的相位差变化,也可抑制反射色相的变化。其结果是,可提供抑制反射色相的面内不均、具有优异的高温耐久性的带相位差层的偏振片。



技术特征:

1.一种带相位差层的偏振片,其依次具有包含起偏器的偏振片、第1粘合剂层、液晶化合物的取向固化层即相位差层、和第2粘合剂层,

2.根据权利要求1所述的带相位差层的偏振片,其中,所述第2粘合剂层的80℃储存弹性模量g’2为0.8×105pa~6.0×105pa。

3.根据权利要求1或2所述的带相位差层的偏振片,其中,所述相位差层的面内相位差为100nm<re(550)<160nm,并且

4.根据权利要求1~3中任一项所述的带相位差层的偏振片,其中,所述相位差层的慢轴与所述起偏器的吸收轴所成的角度为40°~50°。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的带相位差层的偏振片,其中,所述起偏器的厚度为7μm以上。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的带相位差层的偏振片,其中,形成所述第2粘合剂层的粘合剂作为单体单元包含含有(甲基)丙烯酸烷基酯及含芳香环单体的(甲基)丙烯酸系聚合物(a)、和具有反应性甲硅烷基的聚醚化合物(b)。

7.一种图像显示装置,其具备权利要求1~6中任一项所述的带相位差层的偏振片。


技术总结
本发明提供高温耐久性优异的带相位差层的偏振片。本发明的实施方式的带相位差层的偏振片依次具有包含起偏器的偏振片、第1粘合剂层、相位差层和第2粘合剂层,该第1粘合剂层的80℃储存弹性模量G’<subgt;1</subgt;与该第2粘合剂层的80℃储存弹性模量G’<subgt;2</subgt;满足G’<subgt;1</subgt;/G’<subgt;2</subgt;≤1、并且G’<subgt;1</subgt;>‑0.85×G’<subgt;2</subgt;+1.4×10<supgt;5</supgt;。

技术研发人员:藤本直树,林大辅,千田洋毅,长田润枝
受保护的技术使用者:日东电工株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/7/29
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