摄像装置的制作方法

本公开涉及摄像装置，尤其涉及一种能够在减少耀斑和重影的产生的同时实现装置构造小型化和高度的减小并且实现摄像的摄像装置。

背景技术：

1、近年来，在配备有照相机和数码相机等的移动终端设备中包括的固态摄像元件的高像素化、小型化和高度的减小已经取得了进展。

2、随着照相机的高像素化和小型化，透镜和固态摄像元件在光轴上彼此靠近。因此，通常将红外截止滤光器设置在透镜附近。

3、例如，已经提出了如下技术：该技术通过在固态摄像元件上设置透镜来实现固态摄像元件的小型化，所述透镜包括在由多个透镜构成的透镜组中并位于最下层。

4、[引用列表]

5、[专利文献]

6、[专利文献1]jp 2015-061193a

技术实现思路

1、[技术问题]

2、然而，在将最下层的透镜设置于固态摄像元件上的构造的情况下，该构造有助于装置构造的小型化和高度的减小，但是减小了红外截止滤光器与透镜之间的距离。因此，由光反射引起的内部漫反射会导致产生耀斑或重影。

3、考虑到上述情况而做出了本公开，而且特别地，本公开实现了固态摄像元件的小型化和高度的减小，并减少了耀斑和重影的产生。

4、[解决问题的技术方案]

5、根据本公开的一个方面的摄像装置涉及这样的摄像装置，所述摄像装置包括：固态摄像元件，其根据入射光的光量通过光电转换产生像素信号；整体结构单元，其整合有固定所述固态摄像元件的功能和消除所述入射光的红外光的功能；以及透镜组，其包括多个透镜，并且将所述入射光聚焦在所述固态摄像元件的光接收表面上。所述整体结构单元将所述透镜组的最下层透镜布置在接收所述入射光的方向上的最前段，所述最下层透镜构成所述入射光的入射方向上的最下层。所述最下层透镜是非球面的凹透镜，限定了用于将所述入射光会聚在所述固态摄像元件上的有效区域，所述有效区域在所述入射光的垂直方向上的尺寸小于所述最下层透镜的外部形状的尺寸，所述最下层透镜的外部形状在所述入射光的垂直方向上的尺寸小于所述固态摄像元件的尺寸。

6、根据本公开的上述一个方面，通过使用固态摄像元件，根据入射光的光量通过光电转换产生像素信号。通过使用包括多个透镜的透镜组，将入射光聚焦到固态摄像元件的光接收表面上。整体结构单元将透镜组的最下层透镜布置在接收入射光的方向上的最前段，所述整体结构单元整合有固定固态摄像元件的功能和消除入射光中的红外光的功能。最下层透镜是非球面的凹透镜，并构成入射光的入射方向上的最下层。限定了用于将入射光会聚在固态摄像元件上的有效区域。有效区域在入射光的垂直方向上的尺寸小于最下层透镜的外部形状的尺寸。最下层透镜的外部形状在入射光的垂直方向上的尺寸小于固态摄像元件的尺寸。

7、[本发明的有益效果]

8、根据本公开的一方面，特别地，能够实现固态摄像元件的设备结构的小型化和高度的减小，还能够减少耀斑和重影的产生。

技术特征：

1.一种摄像装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述玻璃基板通过粘合剂设置在所述固态摄像元件上。

3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述固态摄像元件包括相互层叠的上侧基板和下侧基板。

4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第一透镜组与所述多个透镜中的其它透镜分离开。

5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第一透镜组包括相互叠置的凸透镜和凹透镜。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，其中，所述固态摄像元件包括半导体基板，并且所述半导体基板中形成有硅贯通电极。

7.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，所述硅贯通电极与形成在所述半导体基板的上侧的布线层连接。

8.根据权利要求6所述的摄像装置，其中，在所述半导体基板的下方设置有绝缘膜。

9.根据权利要求7所述的摄像装置，其中，在所述布线层上设置有所述光电二极管。

10.根据权利要求8所述的摄像装置，其中，所述半导体基板中形成有穿透所述半导体基板的硅通孔，所述硅贯通电极通过连接导体经由所述绝缘膜嵌入在所述硅通孔的内壁中而形成。

11.根据权利要求10所述的摄像装置，其中，所述硅贯通电极的所述连接导体与形成在所述半导体基板的下表面侧的重新布线连接。

技术总结
本公开涉及能够实现装置构造的小型化和高度的减小、减少耀斑或重影的产生、防止透镜的分离的摄像装置。根据本申请，摄像装置包括：固态摄像元件，其根据入射光的光量通过光电转换产生像素信号；玻璃基板，所述玻璃基板设置在所述固态摄像元件上；红外截止滤光元件，所述红外截止滤光元件用于消除所述入射光的红外光，并设置在所述玻璃基板上；透镜组件，其包括多个透镜并且将所述入射光聚焦在所述固态摄像元件的光接收表面上，所述多个透镜包括位于相对于光入射方向的最下游侧的第一透镜组，并且所述第一透镜组设置在所述红外截止滤光元件上，其中，所述第一透镜组包括至少两个透镜。本公开适用于摄像装置。

技术研发人员：山本笃志,前田兼作
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12