制造半导体装置的方法及系统与流程

本揭露是有关于一种制造半导体装置的方法及系统。

背景技术：

1、在集成电路的设计期间，用于集成电路处理的不同步骤的多个集成电路图案产生于基材上。此些图案可通过在晶圆的光阻层上投射(例如成像)遮罩的布局图案而产生。微影工艺将遮罩的布局图案转移至晶圆的光阻层，使得蚀刻、布植或其他步骤仅应用于晶圆的预定义区域。在基材上产生没有错误的布局图案是需要的，使得蚀刻不会在基材上产生缺陷。

技术实现思路

1、本揭露的一方面是指一种制造半导体装置的方法，其包含：在晶圆上方形成包含光阻组成物的光阻层以产生光阻涂覆晶圆；选择性地曝光光阻层于光化辐射以在光阻层中形成潜在图案；在显影腔室中通过在第一压力气流设定下施加显影剂至经选择性曝光的光阻层以显影潜在图案；在显影腔室中且在第一压力气流设定下清洗光阻层以形成暴露晶圆的一部分的图案化光阻层；以及在显影腔室中且在第二压力气流设定下旋干图案化光阻层，其中显影腔室在第二压力气流设定下的压力大于显影腔室在第一压力气流设定下的压力。

2、本揭露的另一方面是指一种制造半导体装置的方法，其包含：在工艺中基材上方形成光阻层，其中工艺中基材包含多个装置和用于此些装置的传导电力和信号布线互连(routing interconnections)；图案化地曝光光阻层至光化辐射(actinic radiation)以在光阻层中形成潜在图案；在显影腔室中施加显影剂溶液至潜在图案以在第一压力气流设定下在光阻层中形成图案；在施加显影剂溶液后在显影腔室中且在第一压力气流设定下施加去离子化的水至图案以形成图案化光阻层；以及在显影腔室中且在第二压力气流设定下旋干图案化光阻层以减少自在工艺中基材上的图案化光阻层的显影材料残留物和水残留物，其中显影腔室在第二压力气流设定下的压力大于显影腔室在第一压力气流设定下的压力。

3、本揭露的又一方面是指一种用于半导体装置制造的系统，其包含显影腔室、分注器、排气端口、排气系统和控制器。显影腔室包含可旋转式晶圆载物台，其配置为支撑光阻涂覆晶圆。分注器设置于显影腔室的上方，且配置为在显影腔室中的可旋转式晶圆载物台上方施加第一气流。排气系统包含耦接至显影腔室与排气端口之间的可移动式挡板。控制器经由气体源耦接至分注器、可旋转式晶圆载物台和排气系统，且配置为：控制可旋转式晶圆载物台的旋转速度；控制第二气流自分注器离开的流速；以及控制排气系统的可移动式挡板，其中控制器配置为通过调整可移动式挡板的位置而调整第一气流进入显影腔室的流速并调整显影腔室的压力；以及调整第二气流的流速以调整进入显影腔室的第一气流的流速以及显影腔室的压力。此系统还包含本体及由本体所围绕的罩壳，其中：显影腔室位于罩壳内并占用罩壳的第一部分，排气系统包含耦接至显影腔室的第一入口端口及耦接至罩壳的位于显影腔室外的第二部份的第二入口端口，以及通过移动可移动式挡板以调整第一气流的进入显影腔室的流速与第三气流的进入罩壳的第二部分的流速的比值并调整显影腔室的压力。此系统还包含检测工具，其配置为检测光阻涂覆晶圆的表面，且其包含晶圆检测支撑台、扫描成像装置以及分析模块，其中控制器更配置为控制晶圆检测支撑台、扫描成像装置和分析模块。

技术特征：

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该第一压力气流设定包含在该显影腔室中的一吹拂气体在该旋干期间的该流速为每秒800立方厘米(cc/s)与每秒1200立方厘米之间且该显影腔室的该压力为120千帕(kpa)与140千帕之间，且其中该第二压力气流设定包含在该显影腔室中的该吹拂气体在该旋干期间的该流速为每秒250立方厘米与每秒150立方厘米之间且该显影腔室的该压力45千帕与65千帕之间。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该挡板系统包含耦接至该显影系统的位于该显影腔室外的该罩壳的一第二入口端口，且其中该吹拂气体的一剩余部分流过该第二入口端口至该挡板系统，该方法还包含：

5.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包含：

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中：

8.一种用于半导体装置制造的系统，其特征在于，包含：

9.如权利要求8所述的系统，其特征在于，其中该可移动式挡板是配置为围绕一枢纽旋转的一风门，其中，该风门配置为依据围绕该枢纽旋转而开启和/或关闭该第二入口端口并调整该第一气流的该流速与该第三气流的该流速的该比值以及调整该显影腔室的该压力。

10.如权利要求8所述的系统，其特征在于，其中该可移动式挡板是配置为水平移动的一滑动挡板，且该可移动式挡板配置为依据移动而开启和/或关闭该第二入口端口并调整该第一气流的该流速与该第三气流的该流速的该比值并调整该显影腔室的该压力。

技术总结
一种制造半导体装置的方法及系统，制造半导体装置的方法包含：在晶圆上方形成包含光阻组成物的光阻层以产生光阻涂覆晶圆；选择性地曝光光阻层于光化辐射以在光阻层中形成潜在图案；在显影腔室中通过在第一压力气流设定下施加显影剂至经选择性曝光的光阻层以显影潜在图案；在显影腔室中且在第一压力气流设定下清洗光阻层以形成暴露晶圆的一部分的图案化光阻层；以及在显影腔室中且在第二压力气流设定下旋干图案化光阻层，其中显影腔室在第二压力气流设定下的压力大于显影腔室在第一压力气流设定下的压力。

技术研发人员：杨青海,高耀寰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15