液处理装置、液处理方法以及存储介质与流程

本公开涉及一种液处理装置、液处理方法以及存储介质。

背景技术：

1、在专利文献1中，公开了以下技术：在向基板喷出药液之前使喷嘴移动到基板外，在基板外的位置处喷出药液数秒，之后使喷嘴移动到基板上并喷出药液，由此防止由于带电而对基板上的图案造成损伤，从而使半导体装置的制造成品率提高。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2010-87326号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在此，有时仅进行上述的液处理前的喷出无法充分地对液喷出线路内(供给管和喷嘴内)的处理液进行除电。由于处理液带电，可能会使涂布有处理液的基板的膜厚产生偏差。

3、本公开提供一种适当地对向基板供给的处理液进行除电来抑制涂布有处理液的基板的膜厚产生偏差的液处理装置。

4、用于解决问题的方案

5、本公开的一个侧面所涉及的液处理装置具备：处理液喷出喷嘴，其构成为能够对基板喷出处理液；以及待机槽，其设置于基板的上方的空间的外侧的区域即待机区域，在不进行液处理的非处理时，所述待机槽收容处理液喷出喷嘴。待机槽具有：绝缘构件，所述绝缘构件配置为在处理液喷出喷嘴被收容的状态下包围处理液喷出喷嘴；以及第一导电构件，所述第一导电构件配置于在处理液喷出喷嘴被收容的状态下比处理液喷出喷嘴的前端靠下方的位置，并且所述第一导电构件接地。以贯通绝缘构件和第一导电构件的方式形成有用于使从处理液喷出喷嘴喷出的处理液通过的贯通孔。

6、发明的效果

7、根据本公开，能够适当地对向基板供给的处理液进行除电来抑制涂布有处理液的基板的膜厚产生偏差。

技术特征：

1.一种液处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的液处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的液处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求5或6所述的液处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的液处理装置，其特征在于，还具备：

9.一种液处理方法，其特征在于，包括以下工序：

10.一种计算机可读存储介质，存储有用于使装置执行根据权利要求9所述的液处理方法的程序。

技术总结
本发明提供一种液处理装置、液处理方法以及存储介质，适当地对向基板供给的处理液进行除电来抑制涂布有处理液的基板的膜厚产生偏差。抗蚀剂涂布装置(1)具备：涂布液喷嘴(41)；以及待机槽(50)，其设置于基板(W)的上方的空间的外侧的区域即待机区域(90)，在不进行液处理的非处理时，待机槽(50)收容涂布液喷嘴(41)。待机槽(50)具有：绝缘构件(51)，其配置为包围涂布液喷嘴(41)；以及导电构件(52)，其配置于比涂布液喷嘴(41)的前端靠下方的位置，并且导电构件(52)接地。而且，如图3所示那样以贯通绝缘构件(51)和导电构件(52)的方式形成有用于使抗蚀剂通过的贯通孔(TH)。

技术研发人员：成东周,平尾刚
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15