光学邻近效应校正的切分方法与图案化的方法与流程

本发明涉及一种集成电路的制造方法，且特别是涉及一种光学邻近效应校正的切分方法与图案化的方法。

背景技术：

1、在半导体工艺中，随着组件尺寸的不断缩小的需求。光学邻近效应校正技术被采用作为增强分辨率技术。通常在进行光学邻近效应校正之前，会将布局图案进行切分，然而，目前切分的发数太多，以致切分的效率过低。

技术实现思路

1、本发明提供一种光学邻近效应校正的切分方法与图案化的方法可以减少切分的发数，提升切分的效率。

2、依据本发明的实施例，一种光学邻近效应校正的切分方法，包括以下步骤。进行初始切分，将布局图案的每一边定义为原始段，以形成多个原始段。判断目标边的对边是否有内角。如果有所述内角，对所述目标边进行对角切分，以形成多个中间段。判断目标段的对边与其邻边的夹角的种类，其中所述目标段包括所述多个原始段与所述多个中间段其中之一。依据所述夹角的种类对所述目标段进行对称切分。

3、依据本发明的实施例，一种光学邻近效应校正的切分方法，包括以下步骤。提供布局图案。进行初始切分，将所述布局图案的每一边定义为原始段，以形成多个原始段。进行对角切分，其中所述对角切分包括自所述多个边取一边作为目标边，依据第一夹角关系判断是否对所述目标边的对应的原始段进行所述对角切分，以形成多个中间段或保留所述对应的原始段，其中所述第一夹角关系为依据所述目标边的对边与其相邻边的夹角。进行对称切分，包括将目标段依据第二夹角关系切分成彼此对称的多个子段，其中所述目标段包括所述多个中间段或所述对应的原始段。

4、依据本发明的实施例，一种图案化的方法，包括以下步骤。提供布局图案。对所述布局图案进行切分。所述切分包括进行对角切分以及进行对称切分。所述对角切分将所述布局图案切分成多个转角区块与多个非转角区块。所述对称切分将所述多个非转角区块切分成多个子块。对所述多个子块以及所述多个转角区块进行光学邻近效应校正，以形成多个光学邻近效应校正图案。将所述多个光学邻近效应校正图案转移至光掩模。以所述光掩模为掩模，进行光刻工艺，以在衬底上的掩模层中形成掩模图案。进行刻蚀工艺，以将所述掩模图案转移至所述衬底与所述掩模层之间的材料层。

5、基于上述，本发明实施例的光学邻近效应校正的切分方法与图案化的方法可以减少切分的发数，提升切分的效率。

技术特征：

1.一种光学邻近效应校正的切分方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光学邻近效应校正的切分方法，其中如果无所述内角，则不对所述目标边进行对角切分，并维持所述目标边对应的原始段。

3.根据权利要求1所述的光学邻近效应校正的切分方法，其中所述内角的角度包括270度。

4.根据权利要求1所述的光学邻近效应校正的切分方法，其中在进行所述对角切分前，进行长度判断，依据所述目标边所对应的原始段的第一长度判断是否小于第一设定值，

5.根据权利要求1所述的光学邻近效应校正的切分方法，其中所述夹角的种类至少包括三个组：

6.一种光学邻近效应校正的切分方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的光学邻近效应校正的切分方法，其中，所述第一夹角关系至少包括两个规则组。

8.根据权利要求7所述的光学邻近效应校正的切分方法，其中，当所述第一夹角关系包括270度时，则对所述目标边的所述对应的原始段进行所述对角切分。

9.根据权利要求8所述光学邻近效应校正的切分方法，其中，当所述第一夹角关系均为90度时，则不对所述目标边的所述对应的原始段进行所述对角切分，保留所述目标边的所述对应的原始段。

10.根据权利要求6所述的光学邻近效应校正的切分方法，还包括在进行所述对角切分前，进行第一长度判断，依据所述目标边的所述对应的原始段的长度判断是否小于第一设定值，

11.根据权利要求6所述的光学邻近效应校正的切分方法，还包括在进行所述对角切分前，进行距离判断，依据所述目标边的所述对边与所述目标边之间的距离判断是否小于第二设定值，

12.根据权利要求6所述的光学邻近效应校正的切分方法，其中进行所述对称切分包括：

13.根据权利要求12所述的光学邻近效应校正的切分方法，其中所述第一规则至少包括：

14.根据权利要求13所述的光学邻近效应校正的切分方法，其中

15.一种图案化的方法，其特征在于，包括：

16.根据权利要求15所述的图案化的方法，其中每一所述子块的相对应的两子段相对称。

技术总结
本发明提供一种光学邻近效应校正的切分方法与图案化的方法，其中该光学邻近效应校正的切分方法包括以下步骤。进行初始切分，将布局图案的每一边定义为原始段，以形成多个原始段。判断目标边的对边是否有内角。如果有所述内角，对所述目标边进行对角切分，以形成多个中间段。判断目标段的对边与其邻边的夹角的种类。依据所述夹角的种类进行对称切分。

技术研发人员：黄品翰
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/10/24