本公开涉及半导体制造领域，更具体地涉及制造光掩模的方法。
背景技术：
1、半导体行业经历了指数增长。材料和设计的技术进步产生了一代又一代集成电路(ic)，其中每一代都具有比前一代更小且更复杂的电路。在ic演进的过程中，功能密度(即，单位芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以创建的最小组件或线)减小。这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本带来益处。
技术实现思路
1、根据本公开的第一方面，提供了一种制造衰减相移掩模的方法，包括：在掩模基板之上形成光致抗蚀剂图案，所述掩模基板包括透明衬底、所述透明衬底上的蚀刻停止层、所述蚀刻停止层上的相移材料层、所述相移材料层上的硬掩模层、以及所述硬掩模层上的中间层；通过使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化所述中间层；通过使用经图案化的中间层作为蚀刻掩模来图案化所述硬掩模层；以及通过使用经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模来图案化所述相移材料层，其中：所述中间层包括从由下列项组成的组选择的至少一种：过渡金属、过渡金属合金、以及含硅材料，并且所述硬掩模层由与所述中间层不同的材料制成。
2、根据本公开的第二方面，提供了一种制造衰减相移掩模的方法，包括：在掩模基板之上形成光致抗蚀剂图案，所述掩模基板包括透明衬底、所述透明衬底上的蚀刻停止层、所述蚀刻停止层上的相移材料层、所述相移材料层上的第一硬掩模层、所述第一硬掩模层上的第一中间层、所述第一中间层上的第二硬掩模层、以及所述第二硬掩模层上的第二中间层；通过使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化所述第二中间层；通过使用经图案化的第二中间层作为蚀刻掩模来图案化所述第二硬掩模层；通过使用经图案化的第二硬掩模层作为蚀刻掩模来图案化所述第一中间层；通过使用经图案化的第一中间层作为蚀刻掩模来图案化所述第一硬掩模层；以及通过使用经图案化的第一硬掩模层作为蚀刻掩模来图案化所述相移材料层，其中：所述第一中间层和所述第二中间层分别包括从下列项组成的组选择的至少一种：过渡金属、过渡金属合金、以及含硅材料，并且所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层由与所述第一中间层和所述第二中间层不同的材料制成。
3、根据本公开的第三方面，提供了一种制造衰减相移掩模的方法，包括：在掩模基板之上形成光致抗蚀剂图案，所述掩模基板包括透明衬底、所述透明衬底上的蚀刻停止层、所述蚀刻停止层上的相移材料层、以及包括n对硬掩模层和所述硬掩模层上的中间层的多层结构；通过逐步图案化所述多层结构的n对中的每一对，从所述多层结构中的最底层的硬掩模层形成经图案化的硬掩模层；以及通过使用所述经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模来图案化所述相移材料层，其中：n是至多为5的自然数，所述中间层包括从由下列项组成的组选择的至少一种：过渡金属、过渡金属合金、以及含硅材料，并且所述硬掩模层由与所述中间层不同的材料制成。
1.一种制造衰减相移掩模的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间层包括从由下列项组成的组选择的至少一种：mo、ta、pd、ir、ni、sn、ru和au。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间层包括从由下列项组成的组选择的至少一种的合金：mo、ta、pd、ir、ni、sn、ru和au。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间层包括从由下列项组成的组选择的至少一种：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、sioc、siocn、sicn、sic、sibn、sibc和sibcn。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间层包括聚硅氧烷、或含有si颗粒或金属颗粒的有机聚合物。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硬掩模层包括从由下列项组成的组选择的至少一种：cr、crn、cro、crc、cron、crcn、croc和crocn。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻停止层包括从由下列项组成的组选择的至少一种：al、ru、ru-nb、ru-zr、ru-ti、ru-y、ru-b和ru-p。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻停止层的深紫外透射率为95％或更高。
9.一种制造衰减相移掩模的方法，包括：
10.一种制造衰减相移掩模的方法，包括：