用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法与流程

本公开涉及用于euv光刻掩模的薄膜及其制造方法。

背景技术：

1、薄膜(pellicle)是在粘合于光掩模的一侧之上的框架上拉伸的薄透明膜，以保护光掩模免受损坏、灰尘和/或湿气的影响。在极紫外(euv)光刻中，通常需要具有euv波长区域中的高透明度、高机械强度和低污染或无污染的薄膜。euv透射隔膜(transmittingmembrane)也用于euv光刻装置以代替薄膜。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施例，提供了一种制造用于极紫外(euv)光掩模的薄膜的方法，包括：形成sp2碳的隔膜；对所述隔膜执行处理以改变所述隔膜的表面性质；以及在所述处理之后，在所述隔膜之上形成覆盖层。

2、根据本公开的另一实施例，提供了一种制造用于极紫外(euv)光掩模的薄膜的方法，包括：形成sp2碳的隔膜；在所述隔膜的主表面之上形成种子层；以及在所述隔膜和所述种子层之上形成覆盖层。

3、根据本公开的又一实施例，提供了一种用于极紫外(euv)反射掩膜的薄膜，包括：隔膜，包括多个纳米管，以及第一覆盖层，设置在所述隔膜的第一主表面上；其中，所述第一覆盖层包括由选自由下列项组成的组的成分制成的至少一层：c、al2o3、aln、al、b、bn、b4c、b2o3、b6si、sin、si3n4、sin2、sic、sizr、sicn、nbsin、nb2o5、nbtin、nbse3、nbc、nb5si3、zrn、zro2、zryo、zrf4、zrb2、znse2、yn、y2o3、yf3、mo2n、mo5si3、mo3si、mosib、mosi、moc2、mo2b4、moc、mo2c、mose2、mos2、mon、mop、tin、ticn、tis2、hfo2、hfn、hff4、vn、ws2、wse2、ruo2、ruiro、ru2ni2、rucu、rupt、ruir、rup、zro2、iro2、cop、cose2、cos2、nimo、fe3c、fe2o3和fepo。

技术特征：

1.一种制造用于极紫外euv光掩模的薄膜的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括向所述隔膜施加选自由下列项组成的组的至少一种溶液：hno3、h2so4、5-异氰酸-异酞酰氯、十二烷、聚己内酯、聚丙烯酸、聚多巴胺、聚苯胺、聚甲基三乙基氯化铵、聚(乙二醇)甲醚甲基丙烯酸酯、聚磺基甜菜碱甲基丙烯酸酯、3-氨丙基三乙氧基硅烷、以及1,3-苯二胺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括向所述隔膜施加选自由下列项组成的组的至少一种气体：ar、h2、ne、o2、n2和nh3。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，通过气体的所述处理在300℃至1200℃范围内的温度下被执行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括向所述隔膜施加等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理使得所述隔膜的表面具有选自由下列项组成的组的至少一项：羟基、巯基、羰基、羧基、氨基和磷酸基。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述覆盖层包括由选自由下列项组成的组的成分制成的至少一层：c、al2o3、aln、al、b、bn、b4c、b2o3、b6si、sin、si3n4、sin2、sic、sizr、sicn、nbsin、nb2o5、nbtin、nbse3、nbc、nb5si3、zrn、zro2、zryo、zrf4、zrb2、znse2、yn、y2o3、yf3、mo2n、mo5si3、mo3si、mosib、mosi、moc2、mo2b4、moc、mo2c、mose2、mos2、mon、mop、tin、ticn、tis2、hfo2、hfn、hff4、vn、ws2、wse2、ruo2、ruiro、ru2ni2、rucu、rupt、ruir、rup、zro2、iro2、cop、cose2、cos2、nimo、fe3c、fe2o3和fepo。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述覆盖层包括单层或多层的二维材料。

9.一种制造用于极紫外euv光掩模的薄膜的方法，包括：

10.一种用于极紫外euv反射掩膜的薄膜，包括：

技术总结
本公开涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。在一种制造用于极紫外(EUV)光掩模的薄膜的方法中，形成Sp<supgt;2</supgt;碳的隔膜，对隔膜执行处理以改变隔膜的表面性质，并且在处理之后，在隔膜之上形成覆盖层。

技术研发人员：李伟豪,许倍诚,郭家彤,李信昌
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15