实施例涉及重叠(或套刻)测量方法。
背景技术:
1、最近,随着光刻重叠裕度(photo overlay margin)由于半导体产品的设计规则的减少而减少,主要的上图案与下图案之间的重叠测量技术已变得更加重要。另外,现有技术中在划片线(scribe line)上使用仅重叠键的测量方法在表示单元中的图案方面已达到了极限。虽然已经积极地开发了用于测量单元中的实际图案之间的重叠的技术,但是由于双重图案化技术(dpt)、四重图案化技术(qpt)工艺或单元内的分散,重叠的准确度可能降低。
技术实现思路
1、根据实施例的一个方面,提供了一种重叠测量方法,所述方法包括:设置基底上的重叠偏移,通过照射电子束获得单元图像,以及基于单元图像获得上图案的第一图像和下图案的第二图像,将第一图像与第二图像合并,以及测量合并的图像的重叠,以及校正用于测量所述重叠的测量参数,以提高所述重叠偏移与所述重叠的测量结果值之间的一致性,其中,测量参数基于所述重叠的结果值中的被分类为测量失败的测量失败值的数量而被校正。
2、根据实施例的另一方面,提供了一种重叠测量方法,所述方法包括:通过测量基底的重叠来生成第一测量值,基于基底的单元图像获得基底的接触孔区的第一图像和基底的有源区的第二图像,基于第一图像和第二图像生成第二测量值,基于第一测量值和第二测量值对第一测量值的失败值进行分类,以及用正常测量值替换第一测量值的失败值。
3、根据实施例的又一方面,提供了一种重叠测量方法,所述方法包括:在具有在第一方向和第二方向上延伸的上表面的基底上形成光刻胶图案,测量基底的重叠,通过将测量的重叠与预设重叠偏移进行比较和分析来校正用于测量重叠的测量参数,基于重叠的结果值和预设重叠偏移对所述重叠的结果值的失败值进行分类,通过使用校正后的测量参数重新测量基底的重叠,以及用重新测量的重叠的结果值替换所述失败值。
1.一种重叠测量方法,包括:
2.根据权利要求1所述的重叠测量方法,其中,基于所述重叠偏移与所述重叠的测量结果值之间的相关系数来执行校正测量参数的步骤。
3.根据权利要求2所述的重叠测量方法,其中,校正测量参数的步骤包括:将相关系数校正为近似1。
4.根据权利要求1所述的重叠测量方法,其中,测量失败值中的每一个是-5nm或更小的重叠的结果值或者是5nm或更大的重叠的结果值。
5.根据权利要求1所述的重叠测量方法,其中,设置所述重叠偏移的步骤包括使用工艺窗口验证。
6.根据权利要求5所述的重叠测量方法,其中,所述重叠偏移包括:通过将两倍于参考偏移的范围内的值除以10而获得的多个重叠值,其中,所述多个重叠值中的每个重叠值针对基底中的多个曝光场中的每个曝光场被设置。
7.根据权利要求6所述的重叠测量方法,其中:
8.根据权利要求6所述的重叠测量方法,其中,所述多个曝光场中的被设置为所述多个重叠值中的任何一个重叠值的一个曝光场与所述多个曝光场中的具有相同重叠偏移的另一个曝光场之间的最小距离为1.5英寸。
9.根据权利要求5所述的重叠测量方法,其中,对于所述重叠偏移,在多个曝光场中的九个邻近的曝光场中设置的所有偏移之和是-1nm至1nm的值中的任何一个。
10.根据权利要求1至权利要求9中的任意一项所述的重叠测量方法,其中,基底具有0.3nm或更小的尺度分量。
11.一种重叠测量方法,包括:
12.根据权利要求11所述的重叠测量方法,其中,第一测量值和第二测量值中的每一个是通过从一位重叠值减去视场中的所有偏移值的平均值而获得的值。
13.根据权利要求12所述的重叠测量方法,其中:
14.根据权利要求13所述的重叠测量方法,其中,第一测量值的失败值是将通过从第一测量值的最大值减去第一测量值的最小值获得的第一差值乘以第一测量值的散布值来获得的,
15.根据权利要求11所述的重叠测量方法,其中,当第一测量值的最大值大于通过将2nm与第二测量值的最大值相加而获得的值时,第一测量值的最大值被分类为失败值。
16.根据权利要求11所述的重叠测量方法,其中,当第一测量值的最小值小于通过从第二测量值的最小值减去2nm而获得的值时,第一测量值的最小值被分类为失败值。
17.根据权利要求11至权利要求16中的任意一项所述的重叠测量方法,其中,用正常测量值替换第一测量值的失败值的步骤包括:删除第一测量值的失败值,并且用与第一测量值对应的第二测量值替换第一测量值的失败值。
18.一种重叠测量方法,包括:
19.根据权利要求18所述的重叠测量方法,其中:
20.根据权利要求18所述的重叠测量方法,其中,测量基底的重叠的步骤包括:测量基底的单元内区域的重叠。