本申请涉及显示,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术:
1、现目前显示面板中显示信号的传输主要依靠薄膜场效应晶体管(thin filmtransistor,tft)器件进行,tft器件的传输原理是根据半导体的特性进行的一种结构设计。
2、然而,显示面板的栅极与薄膜场效应晶体管的源漏极之间会容易产生寄生电容,导致显示面板出现画面残像及显示不良,不利于显示面板进行高性能的提升。
技术实现思路
1、鉴于此,本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,从而实现一种新式的信号传输设计。
2、第一方面,本申请提供一种阵列基板,所述阵列基板包括:
3、多个像素电极;
4、数据线,所述数据线与所述像素电极间隔设置;及
5、导电单元,所述导电单元的一端连接于所述像素电极,所述导电单元的另一端连接于所述数据线,所述导电单元包括收容件及多个导电粒子,所述收容件位于所述数据线与所述像素电极之间,且所述收容件具有收容腔,所述多个导电粒子、部分像素电极及部分数据线收容于所述收容腔内,所述多个导电粒子可在控制电场的控制下运动;
6、所述导电单元具有第一状态及第二状态,当所述导电单元处于第一状态时,所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下导通所述数据线及所述像素电极;当所述导电单元处于第二状态时,所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下断开所述数据线与所述像素电极的电连接。
7、其中,所述阵列基板还包括:
8、控制线,所述控制线设置于所述收容件的一侧,所述控制线用于加载控制电场;
9、当所述导电单元处于第一状态时,所述控制线加载第一控制信号以产生所述控制电场,所述多个导电粒子位于邻近所述控制线的第一位置,所述多个导电粒子导通于所述数据线及所述像素电极;
10、当所述导电单元处于第二状态时,所述控制线加载第二控制信号以产生所述控制电场,所述多个导电粒子位于背离所述控制线的第二位置,且分别与所述数据线及所述像素电极间隔且绝缘。
11、其中,所述阵列基板还包括:
12、栅极传输线,所述栅极传输线作为所述控制线。
13、其中,所述导电粒子包括电荷层及导电层,所述电荷层带有第一极性的电荷,所述导电层包裹于所述电荷层的外表面;
14、当所述栅极传输线加载第二极性电压信号以作为第一控制信号时,以使所述多个导电粒子位于邻近所述栅极传输线的第一位置;
15、当所述栅极传输线加载第一极性电压信号以作为第二控制信号时,以使所述多个导电粒子位于背离所述栅极传输线的第二位置。
16、其中,当所述栅极传输线加载第一控制信号时,至少部分所述导电粒子抵接于所述数据线,且另外至少部分所述导电粒子抵接于所述像素电极,并传输数据信号至所述像素电极;
17、当所述栅极传输线加载第二控制信号时,多个所述导电粒子与所述数据线及所述像素电极中的至少一者为间隔设置,并断开所述数据线与所述像素电极的电连接。
18、其中,所述收容件具有形成所述收容腔的底壁、第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁、第四侧壁及顶壁,所述第一侧壁与所述底壁弯折相连,所述第二侧壁与所述底壁弯折相连且与所述第一侧壁相对设置,所述第三侧壁与所述第一侧壁弯折相连且背离所述底壁,所述第四侧壁与所述第二侧壁弯折相连且与所述第三侧壁相对设置,所述顶壁分别与所述第三侧壁及所述第四侧壁弯折相连且与所述底壁相对设置;
19、所述像素电极部分设置于所述第一侧壁邻近所述第三侧壁的部分,所述数据线设置于所述第二侧壁;
20、当所述导电单元处于所述第一状态时时,所述多个导电粒子相互抵持且电连接,且所述多个导电粒子部分覆盖且电连接所述像素电极,部分覆盖所述第一侧壁背离所述第三侧壁的一端,部分覆盖所述底壁,且部分覆盖且电连接所述数据线。
21、其中,当所述导电单元处于第二状态时,所述多个导电粒子部分覆盖所述第三侧壁且与所述像素电极间隔且绝缘,所述多个导电粒子部分覆盖所述第四侧壁且与所述数据线间隔且绝缘,所述多个导电粒子部分覆盖所述顶壁。
22、其中,所述阵列基板还包括绝缘层,所述绝缘层部分设置于所述控制线与所述像素电极之间,并用于绝缘所述控制线及所述像素电极,所述控制线部分设置于所述控制线与所述导电单元之间,并用于绝缘所述控制线及所述导电单元。
23、其中,所述阵列基板还包括平坦层,所述平坦层设置于所述像素电极及所述导电单元背离所述绝缘层的表面,且所述平坦层与所述绝缘层共同围设形成所述收容腔。
24、第二方面,本申请还提供一种显示面板,所述显示面板包括所述阵列基板。
25、第三方面,本申请还提供一种显示装置,所述显示装置包括处理器及所述显示面板;
26、所述处理器控制所述控制电场,以使所述数据线与所述像素电极之间进行数据信号的导通或切断。所述显示面板包括像素电极、数据线及导电单元。
27、其中,所述导电单元包括收容件及多个导电粒子,所述收容件位于所述数据线与所述像素电极之间,所述多个导电粒子、部分像素电极及部分数据线收容于所述收容件的收容腔内,所述多个导电粒子可在控制电场的控制下运动。所述导电单元具有第一状态及第二状态,当所述导电单元处于第一状态时,所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下导通所述数据线及所述像素电极。当所述导电单元处于第二状态时,所述多个导电粒子在所述控制电场的控制下断开所述数据线与所述像素电极的电连接。所述显示面板通过控制所述导电单元中所述多个导电粒子的运动状态可以实现所述数据线及所述像素电极之间的导通或断开,从而实现新式信号传输设计,相较于传统的薄膜场效应晶体管结构而言,所述导电单元的设置可以避免所述显示面板的栅极与薄膜场效应晶体管的源漏极之间产生寄生电容的现象,从而避免所述显示面板出现画面残像不良及画面异常等情形,进而使得所述显示面板具有优良的显示品质。
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述导电粒子包括电荷层及导电层,所述电荷层带有第一极性的电荷,所述导电层包裹于所述电荷层的外表面;
5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述收容件具有形成所述收容腔的底壁、第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁、第四侧壁及顶壁,所述第一侧壁与所述底壁弯折相连,所述第二侧壁与所述底壁弯折相连且与所述第一侧壁相对设置,所述第三侧壁与所述第一侧壁弯折相连且背离所述底壁,所述第四侧壁与所述第二侧壁弯折相连且与所述第三侧壁相对设置,所述顶壁分别与所述第三侧壁及所述第四侧壁弯折相连且与所述底壁相对设置;
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,当所述导电单元处于第二状态时,所述多个导电粒子部分覆盖所述第三侧壁且与所述像素电极间隔且绝缘,所述多个导电粒子部分覆盖所述第四侧壁且与所述数据线间隔且绝缘,所述多个导电粒子部分覆盖所述顶壁。
8.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1~8任意一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括处理器及如权利要求9所述的显示面板;