光学干涉滤光片的制作方法

背景技术：

1、光学器件可以被用于捕获与光有关的信息。例如，光学器件可以捕获与光相关联的波长集有关的信息。光学器件可以包括捕获信息的传感器元件集(例如，光学传感器、光谱传感器和/或图像传感器)。例如，传感器元件阵列可以被用于捕获与多个波长有关的信息。传感器元件阵列可以与滤光片相关联。滤光片可以包括与传递到传感器元件阵列的光的第一波长范围相关联的通带。滤光片可以与阻止第二波长范围的光传递到传感器元件阵列相关联。

技术实现思路

1、在一些实现方式中，光学干涉滤光片包括衬底；以及在衬底上设置的多个层集，其中每个层集包括：至少包括钽和氧的第一层；至少包括铝和氮的第二层；以及至少包括氢和硅的第三层，其中：第二层被设置在第一层和第三层之间。

2、在一些实现方式中，光学干涉滤光片包括一个或多个层集，其中每个层集包括：至少包括钽和氧的第一层；至少包括铝和氮的第二层；以及至少包括氢和硅的第三层，其中第二层被设置在第一层和第三层之间。

3、在一些实现方式中，晶片包括多个光学干涉滤光片，其中每个光学干涉滤光片包括：衬底；以及在衬底上设置的多个层集，其中每个层集包括：至少包括钽和氧的第一层；至少包括铝和氮的第二层；以及至少包括氢和硅的第三层，其中：第二层被设置在第一层和第三层之间。

技术特征：

1.一种光学干涉滤光片，包括：

2.根据权利要求1所述的光学干涉滤光片，其中：

3.根据权利要求1所述的光学干涉滤光片，其中所述第二层的厚度在从2纳米到10纳米的范围内。

4.根据权利要求1所述的光学干涉滤光片，其中所述第二层的第一表面被设置在所述第一层的表面上，并且

5.根据权利要求1所述的光学干涉滤光片，其中每个层集还包括第四层，所述第四层至少包括硅和氧，并且

6.根据权利要求5所述的光学干涉滤光片，其中所述第四层包括二氧化硅(sio2)材料。

7.根据权利要求1所述的光学干涉滤光片，其中所述衬底的厚度大于或等于50微米。

8.根据权利要求1所述的光学干涉滤光片，其中所述多个层集被配置为通过阈值百分比的与从800纳米到1000纳米的光谱范围相关联的光，

9.根据权利要求1所述的光学干涉滤光片，其中所述多个层集中的至少一个层集被设置在所述衬底的第一表面上，并且

10.一种光学干涉滤光片，包括：

11.根据权利要求10所述的光学干涉滤光片，其中所述第二层的厚度在从2纳米到40纳米的范围内。

12.根据权利要求10所述的光学干涉滤光片，其中所述第二层的第一表面被设置在所述第一层的表面上，并且

13.根据权利要求10所述的光学干涉滤光片，还包括在所述一个或多个层集中的特定层集上设置的另一层集，其中所述另一层集包括：

14.根据权利要求13所述的光学干涉滤光片，其中：

15.根据权利要求13所述的光学干涉滤光片，其中所述另一层集的所述第五层的表面被设置在所述特定层集的所述第一层的表面上。

16.一种晶片，包括：

17.根据权利要求16所述的晶片，其中所述第二层的厚度在从2纳米到40纳米的范围内。

18.根据权利要求16所述的晶片，其中所述第二层的第一表面被设置在所述第一层的表面上，并且

19.根据权利要求16所述的晶片，其中每个层集还包括第四层，所述第四层至少包括硅和氧，并且

20.根据权利要求16所述的晶片，其中所述多个光学干涉滤光片使用切单过程形成，

技术总结
在一些实现方式中，光学干涉滤光片包括衬底以及在衬底上设置的一个或多个层集。每个层集包括：至少包括钽和氧(例如，五氧化二钽(Ta<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;)材料)的第一层；至少包括铝和氮(例如，氮化铝(AlN)材料)的第二层；以及至少包括氢和硅(例如，氢化硅(Si：H)材料)的第三层。第二层被设置在第一层和第三层之间。在一些实现方式中，第二层的第一表面被设置在第一层的表面上，并且第二层的第二表面被设置在第三层的表面上。

技术研发人员：M·格里戈尼斯,杨金辉
受保护的技术使用者：VIAVI科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12