显示面板及显示装置的制作方法

本申请涉及显示，具体涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术：

1、在高穿透率、高分辨率的tft-lcd液晶显示器中，一般采用dbs 4畴像素设计架构。但是，由于公共电极(acom)和数据线(data)均不透光，导致像素开口率相对较低，穿透率提升难度大。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，可以解决现有显示面板中因公共电极和数据线不透光导致像素开口率低、穿透率低的问题。

2、本申请实施例的第一方面提供一种显示面板，包括第一基板，所述第一基板包括第一衬底基板以及沿所述第一衬底基板的厚度方向间隔设置于所述第一衬底基板上的第二金属层和像素电极层，所述像素电极层包括间隔排布的多个像素电极；所述显示面板还包括：第一屏蔽层，设置于所述第二金属层与所述像素电极层之间，所述第一屏蔽层由透明金属材料制成；其中，与所述厚度方向相垂直的所述第一衬底基板的一面为投影平面，所述像素电极层在所述投影平面内的正投影的至少部分位于所述第一屏蔽层在所述投影平面内的正投影的内侧。

3、可选的，所述显示面板还包括第二屏蔽层，所述第二屏蔽层设置于所述第一衬底基板朝向所述第二金属层一面；所述第一衬底基板具有与所述厚度方向相交的宽度方向；所述第二屏蔽层包括沿所述宽度方向间隔排布的多个屏蔽走线，所述屏蔽走线在所述投影平面上的正投影在所述宽度方向上的长度为lμm；沿所述宽度方向相邻设置的两所述像素电极的邻近侧边之间存在间隙，所述屏蔽走线与所述间隙沿所述厚度方向相对设置；所述间隙在所述投影平面上的正投影在所述宽度方向上的长度为wμm，满足：l＝w，3μm≤l≤15μm。

4、可选的，所述第二金属层包括数据线，所述屏蔽走线与所述数据线平行；在所述厚度方向上，所述屏蔽走线位于所述数据线的下方；所述数据线在所述投影平面上的正投影在所述宽度方向上的长度为sμm，满足：s＜l＜w。

5、可选的，在所述厚度方向上，所述屏蔽走线与所述第一屏蔽层的相对面之间的间距为hμm，满足：h≥3μm。

6、可选的，所述显示面板还包括dbs走线，所述dbs走线设置于所述像素电极层，且所述dbs走线设置于所述间隙中；所述dbs走线与所述数据线平行。

7、可选的，所述屏蔽走线处于悬浮状态。

8、可选的，所述显示面板还包括第一金属层和第三屏蔽层，所述第一金属层和所述第三屏蔽层同层、间隔设置于所述第一衬底基板朝向所述第二金属层一面；所述第一金属层包括扫描线，所述第二金属层包括数据线，所述扫描线在所述投影平面上的正投影与所述数据线在所述投影平面上的正投影相互交叉；所述像素电极包括边框电极和内接于所述边框电极的主干电极，边框电极包括两条间隔排布的第一侧边电极，所述第一侧边电极与所述数据线平行，所述主干电极包括与所述扫描线平行的第一主干电极；其中，所述第三屏蔽层包括屏蔽主线和多条屏蔽支线，所述屏蔽主线与所述扫描线平行，所述屏蔽支线与所述数据线平行，所述屏蔽支线与所述屏蔽主线相互交连；所述第一侧边电极与所述屏蔽支线在数量上一一对应，所述屏蔽支线在所述投影平面上的正投影位于所述第一侧边电极在所述投影平面上的正投影以内，所述第一主干电极在所述投影平面上的正投影位于所述屏蔽主线在所述投影平面上的正投影以内。

9、可选的，所述显示面板还包括dbs走线，所述dbs走线设置于所述像素电极层，沿宽度方向相邻设置的两所述像素电极的邻近侧边之间存在间隙，所述dbs走线设置于所述间隙中；所述dbs走线与所述数据线平行。

10、可选的，所述屏蔽主线和所述屏蔽支线均处于悬浮状态。

11、本申请实施例的第二方面提供一种显示装置，所述显示装置包括如第一方面所述的显示面板。

12、本申请的有益效果在于，提供一种显示面板及具有该显示面板的显示装置，所述显示面板通过在第二金属层与像素电极层之间设置第一屏蔽层，以第一屏蔽层替代现有tft-lcd液晶显示面板中的公共电极acom，像素电极层在投影平面的正投影的至少部分位于第一屏蔽层在投影平面的正投影内侧，而且第一屏蔽层采用透明金属材料制成，使得第一屏蔽层形成整面透明结构，与现有的公共电极相比可有效提升像素的穿透率，第一屏蔽层与像素电极层中的像素电极之间可形成较大的透明存储电容，提升像素的开口率，第一屏蔽层与第二金属层交叠，可有效屏蔽第二金属层内的数据线电场，第二屏蔽层为一整面设计，运用至不同分辨率的显示面板中，可将像素开口率提升10％～40％。

技术特征：

1.一种显示面板，包括第一基板，所述第一基板包括第一衬底基板以及沿所述第一衬底基板的厚度方向间隔设置于所述第一衬底基板上的第二金属层和像素电极层，所述像素电极层包括间隔排布的多个像素电极；

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二屏蔽层，所述第二屏蔽层设置于所述第一衬底基板朝向所述第二金属层一面；

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属层包括数据线，所述屏蔽走线与所述数据线平行；

4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述厚度方向上，所述屏蔽走线与所述第一屏蔽层的相对面之间的间距为hμm，满足：h≥3μm。

5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括dbs走线，所述dbs走线设置于所述像素电极层，且所述dbs走线设置于所述间隙中；

6.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽走线处于悬浮状态。

7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第一金属层和第三屏蔽层，所述第一金属层和所述第三屏蔽层同层、间隔设置于所述第一衬底基板朝向所述第二金属层一面；

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括dbs走线，所述dbs走线设置于所述像素电极层，沿宽度方向相邻设置的两所述像素电极的邻近侧边之间存在间隙，所述dbs走线设置于所述间隙中；

9.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽主线和所述屏蔽支线均处于悬浮状态。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～9中任一项所述的显示面板。

技术总结
本申请实施例公开了一种显示面板及显示装置，所述显示面板通过在第二金属层与像素电极层之间设置第一屏蔽层，以第一屏蔽层替代现有TFT‑LCD液晶显示面板中的公共电极Acom，像素电极层在投影平面的正投影的至少部分位于第一屏蔽层在投影平面的正投影内侧，而且第一屏蔽层采用透明金属材料制成，使得第一屏蔽层形成整面透明结构，与现有的公共电极相比可有效提升像素的穿透率，第一屏蔽层与像素电极层中的像素电极之间可形成较大的透明存储电容，提升像素的开口率，第一屏蔽层与第二金属层交叠，可有效屏蔽第二金属层内的数据线电场，第二屏蔽层为一整面设计，运用至不同分辨率的显示面板中，可将像素开口率提升10％～40％。

技术研发人员：刘净
受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/6