一种调制器的制作方法

本公开涉及光通信器件，尤其涉及一种调制器。

背景技术：

1、硅基调制器由于可以与成熟的互补金属氧化物半导体(complementary metaloxide semiconductor，cmos)工艺相兼容，因此可以大规模加工制备，降低器件的制备成本。传统的硅基调制器包括输入端口、调制区域和终端三部分，然而经过调制区域的射频信号存在频率衰减，并且高频的电信号衰减较大。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种调制器，所述调制器包括沿第一方向依次连接的光分束器、相位调制波导、强度衰减波导和光合束器；

2、所述光分束器，用于接收初始光信号，并将所述初始光信号分束为第一初始光信号和第二初始光信号；

3、所述相位调制波导，用于对所述第一初始光信号和所述第二初始光信号进行相位调制；

4、所述强度衰减波导，用于对相位调制后的所述第一初始光信号和所述第二初始光信号进行强度衰减；

5、所述光合束器，用于将强度衰减后的所述第一初始光信号和所述第二初始光信号合束为目标光信号并输出。

6、在一些实施例中，所述相位调制波导和所述强度衰减波导均为掺杂硅波导。

7、在一些实施例中，沿第二方向，所述相位调制波导包括第一p型掺杂区、第一n型掺杂区和第二p型掺杂区，其中：

8、所述第一p型掺杂区和所述第一n型掺杂区组成第一相位调制波导，用于接收所述第一初始光信号，并对所述第一初始光信号进行相位调制；

9、所述第一n型掺杂区和所述第二p型掺杂区组成第二相位调制波导，用于接收所述第二初始光信号，并对所述第二初始光信号进行相位调制；

10、其中，所述第一方向和所述第二方向互相不平行。

11、在一些实施例中，沿所述第二方向，所述强度衰减波导包括第二n型掺杂区、第一本征区、第三p型掺杂区、第二本征区和第三n型掺杂区，其中：

12、所述第二n型掺杂区、所述第一本征区和所述第三p型掺杂区组成第一强度衰减波导，用于接收相位调制后的所述第一初始光信号，并对相位调制后的所述第一初始光信号进行强度衰减；

13、所述第三p型掺杂区、所述第二本征区和所述第三n型掺杂区组成第二强度衰减波导，用于接收相位调制后的所述第二初始光信号，并对相位调制后的所述第二初始光信号进行强度衰减。

14、在一些实施例中，所述调制器还包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极与所述第一p型掺杂区以及所述第二n型掺杂区连接，所述第二电极与所述第二p型掺杂区以及所述第三n型掺杂区连接，所述第三电极与所述第一n型掺杂区以及所述第三p型掺杂区连接；其中：

15、所述第一电极用于接收第一射频信号，所述第二电极用于接收第二射频信号，所述第三电极用于接收预设电压；

16、在所述第一射频信号和所述预设电压的控制下，所述第一电极和所述第三电极共同控制所述第一相位调制波导对所述第一初始光信号进行相位调制，以及控制所述第一强度衰减波导对相位调制后的所述第一初始光信号进行强度衰减；

17、在所述第二射频信号和所述预设电压的控制下，所述第二电极和所述第三电极共同控制所述第二相位调制波导对所述第二初始光信号进行相位调制，以及控制所述第二强度衰减波导对相位调制后的所述第二初始光信号进行强度衰减。

18、在一些实施例中，所述第一电极和所述第二电极为行波电极，所述第三电极为直流电极；

19、所述第一射频信号和所述第二射频信号为一对差分信号。

20、在一些实施例中，所述第三电极，具体用于为所述第一相位调制波导和所述第二相位调制波导提供反偏电压；以及为所述第一强度衰减波导和所述第二强度衰减波导提供正偏电压。

21、在一些实施例中，所述调制器还包括终端电阻，所述终端电阻与所述第一电极和所述第二电极分别连接；其中：

22、所述终端电阻，用于截止所述第一射频信号和所述第二射频信号的传输。

23、在一些实施例中，所述第一初始光信号和所述第二初始光信号的光强度相等。

24、在一些实施例中，所述调制器还包括光输入耦合器；所述光输入耦合器，用于将所述初始光信号耦合输入至所述光分束器。

25、本公开实施例提供了一种调制器，该调制器包括沿第一方向依次连接的光分束器、相位调制波导、强度衰减波导和光合束器；光分束器，用于接收初始光信号，并将初始光信号分束为第一初始光信号和第二初始光信号；相位调制波导，用于对第一初始光信号和第二初始光信号进行相位调制；强度衰减波导，用于对相位调制后的第一初始光信号和第二初始光信号进行强度衰减；光合束器，用于将强度衰减后的第一初始光信号和第二初始光信号合束为目标光信号并输出。这样，在对相位调制后的第一初始光信号和第二初始光信号进行强度衰减后，使得经过强度衰减波导的高频信号对光信号造成的信号衰减较小，经过强度衰减波导的低频信号对光信号造成的信号衰减较大，从而可以使得目标光信号实现基于光强度衰减的频率均衡，进而提高调制器的带宽。

技术特征：

1.一种调制器，其特征在于，所述调制器包括沿第一方向依次连接的光分束器、相位调制波导、强度衰减波导和光合束器；

2.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述相位调制波导和所述强度衰减波导均为掺杂硅波导。

3.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，沿第二方向，所述相位调制波导包括第一p型掺杂区、第一n型掺杂区和第二p型掺杂区，其中：

4.根据权利要求3所述的调制器，其特征在于，沿所述第二方向，所述强度衰减波导包括第二n型掺杂区、第一本征区、第三p型掺杂区、第二本征区和第三n型掺杂区，其中：

5.根据权利要求4所述的调制器，其特征在于，所述调制器还包括第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极与所述第一p型掺杂区以及所述第二n型掺杂区连接，所述第二电极与所述第二p型掺杂区以及所述第三n型掺杂区连接，所述第三电极与所述第一n型掺杂区以及所述第三p型掺杂区连接；其中：

6.根据权利要求5所述的调制器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极为行波电极，所述第三电极为直流电极；

7.根据权利要求5所述的调制器，其特征在于，所述第三电极，具体用于为所述第一相位调制波导和所述第二相位调制波导提供反偏电压；以及为所述第一强度衰减波导和所述第二强度衰减波导提供正偏电压。

8.根据权利要求5所述的调制器，其特征在于，所述调制器还包括终端电阻，所述终端电阻与所述第一电极和所述第二电极分别连接；其中：

9.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述第一初始光信号和所述第二初始光信号的光强度相等。

10.根据权利要求1所述的调制器，其特征在于，所述调制器还包括光输入耦合器；

技术总结
本公开实施例提供了一种调制器，该调制器包括沿第一方向依次连接的光分束器、相位调制波导、强度衰减波导和光合束器；光分束器用于接收初始光信号，并将初始光信号分束为第一初始光信号和第二初始光信号；相位调制波导用于对第一初始光信号和第二初始光信号进行相位调制；强度衰减波导用于对相位调制后的第一初始光信号和第二初始光信号进行强度衰减；光合束器用于将强度衰减后的第一初始光信号和第二初始光信号合束为目标光信号并输出。

技术研发人员：刘晔,肖希,陈代高,张红广,刘阳,周佩奇
受保护的技术使用者：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/4