本发明涉及半导体的,尤其涉及一种光刻胶剥离设备的控制方法、装置、设备及存储介质。
背景技术:
1、当蚀刻(etching)工艺对tft(thin film transistor,薄膜晶体管)基板形成电路物质的图案后,将基板投入光刻胶剥离设备,剥离形成电路物质的图案所覆盖的光刻胶。
2、基板是按照批次投入光刻胶剥离设备,批次之间存在一定的时间间隔。
3、如图1所示,当时间间隔较长时,光刻胶剥离设备停止运行,其内部逐渐冷却、温度100下降,经常发生骤降的现象101,此时,将基板投入光刻胶剥离设备中,光刻胶剥离设备重新运行,虽然温度100重新上升,但容易因温度100较低造成工艺不良。
技术实现思路
1、本发明提供了一种光刻胶剥离设备的控制方法、装置、设备及存储介质,以解决如何在未投入基板时维持光刻胶剥离设备内的温度、保持剥离基板上的光刻胶的良率的问题。
2、根据本发明的一方面,提供了一种光刻胶剥离设备的控制方法,包括:
3、监测光刻胶剥离设备生成的状态信号;
4、若所述状态信号为空闲信号,则查询对所述光刻胶剥离设备生成的配置信息;
5、依据所述配置信息在所述光刻胶剥离设备内循环停止喷洒剥离液以及喷洒剥离液,以维持所述光刻胶剥离设备内部的温度;
6、若所述状态信号为运行信号,则在所述光刻胶剥离设备内持续喷洒剥离液,以剥离基板上的光刻胶。
7、根据本发明的另一方面,提供了一种光刻胶剥离设备的控制装置,包括:
8、状态信号监测模块,用于监测光刻胶剥离设备生成的状态信号;
9、配置信息查询模块,用于若所述状态信号为空闲信号,则查询对所述光刻胶剥离设备生成的配置信息;
10、空载运行模块,用于依据所述配置信息在所述光刻胶剥离设备内循环停止喷洒剥离液以及喷洒剥离液,以维持所述光刻胶剥离设备内部的温度;
11、负载运行模块,用于若所述状态信号为运行信号,则在所述光刻胶剥离设备内持续喷洒剥离液,以剥离基板上的光刻胶。
12、根据本发明的另一方面,提供了一种电子设备,所述电子设备包括:
13、至少一个处理器;以及
14、与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
15、所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序,所述计算机程序被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行本发明任一实施例所述的光刻胶剥离设备的控制方法。
16、根据本发明的另一方面,提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序用于使处理器执行时实现本发明任一实施例所述的光刻胶剥离设备的控制方法。
17、在本实施例中,监测光刻胶剥离设备生成的状态信号;若状态信号为空闲信号,则查询对光刻胶剥离设备生成的配置信息;依据配置信息在光刻胶剥离设备内循环停止喷洒剥离液以及喷洒剥离液,以维持光刻胶剥离设备内部的温度;若状态信号为运行信号,则在光刻胶剥离设备内持续喷洒剥离液,以剥离基板上的光刻胶。本实施例复用剥离液的恒温特性,在光刻胶剥离设备空闲时空运行,周期性地喷洒剥离液,以维持光刻胶剥离设备内部的温度,保持剥离基板上的光刻胶的良率,避免对光刻胶剥离设备进行硬件上的改造,主要改造之处为控制喷洒剥离液的程序,大大降低了改造的门槛,并且,周期性地喷洒剥离液可以减少喷洒剥离液的时间,减少伴随气流进入光刻胶剥离设备的排气管道的剥离液的数量,减少剥离液的浪费量,减少生产成本的增幅。
18、应当理解,本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征,也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
1.一种光刻胶剥离设备的控制方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述依据所述配置信息在所述光刻胶剥离设备内循环停止喷洒剥离液以及喷洒剥离液,以维持所述光刻胶剥离设备内部的温度,包括:
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,还包括:
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述对光刻胶剥离设备生成多种配置信息,包括:
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述依据多个所述循环温度值检测所述配置信息在维持所述光刻胶剥离设备内温度的有效性,包括:
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述设置目标温度值,包括:
7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述若所述有效性为有效,则将所述配置信息应用于所述光刻胶剥离设备,包括:
8.一种光刻胶剥离设备的控制装置,其特征在于,包括:
9.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序用于使处理器执行时实现权利要求1-7中任一项所述的光刻胶剥离设备的控制方法。