波长转化元件的制作方法

文档序号:37314177发布日期:2024-03-13 21:06阅读:60来源:国知局
波长转化元件的制作方法

本发明是有关于一种波长转化元件。


背景技术:

1、近年来,光学投影机已经被应用于许多领域之中,且应用范围也日渐扩大,例如从消费性产品到高科技设备。各种的光学投影机也被广泛应用于学校、家庭和商业场合,以将信号源所提供的显示图案放大,并显示在投影屏幕上。

2、对于光学投影机的光源配置而言,其可以是借由固态激光光源驱使荧光材料发光。对此,可将荧光材料涂布在轮盘上,并利用马达带动轮盘致使其高速旋转,借以使得荧光材料于单位时间内接受到的激光光源能量降低,从而达到散热的目的。然而,随着光学投影机的亮度需求不断升高,对于荧光材料的散热需求也趋渐严苛。因此,如何能使轮盘及其上的荧光材料有更佳的散热方式,已成为当前重要的研发课题之一。


技术实现思路

1、有鉴于此,本发明之一目的在于提出一种可有解决上述问题的波长转化元件。

2、为了达到上述目的,依据本发明的一实施方式,一种波长转化元件包含一基板、一荧光粉层以及一通孔性结构,基板配置以基于一轴线转动;荧光粉层设置于该基板上;通孔性结构,设置于该基板上,并具有介于10ppi至500ppi的孔隙密度,或具有介于5%至95%的体积孔隙率,厚度为约0.5mm至约50mm,该荧光粉层与该通孔性结构分别位于该基板的同一侧或相反两侧;其中该通孔性结构为可引导出微型涡流效应的金属、陶瓷以及玻璃中至少一者的泡沫结构,或者是为缠绕态样的金属丝线结构。

3、于本发明的一或多个实施方式中,该基板包含一金属材料,且该金属材料包含al、ag、cu、fe以及mo中的至少一者。

4、于本发明的一或多个实施方式中,该基板包含一陶瓷材料,且该陶瓷材料包含aln、bn、sic或al2o3。

5、于本发明的一或多个实施方式中,该基板包含一半导体材料,且该半导体材料包含si、ge、gaas、inp、gan、inas、znse、zns或inse。

6、于本发明的一或多个实施方式中,该基板的材料包含玻璃、石英、蓝宝石或caf2。

7、于本发明的一或多个实施方式中,该通孔性结构投影至该基板的正投影是至少部分或全部被该荧光粉层所包覆。

8、以上所述仅系用以阐述本发明所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等,本发明的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。



技术特征:

1.一种波长转化元件,其特征在于,包含:

2.如权利要求1所述的波长转化元件,其特征在于,该基板包含一金属材料,且该金属材料包含al、ag、cu、fe以及mo中的至少一者。

3.如权利要求1所述的波长转化元件,其特征在于,该基板包含一陶瓷材料,且该陶瓷材料包含aln、bn、sic或al2o3。

4.如权利要求1所述的波长转化元件,其特征在于,该基板包含一半导体材料,且该半导体材料包含si、ge、gaas、inp、gan、inas、znse、zns或inse。

5.如权利要求1所述的波长转化元件,其特征在于,该基板的材料包含玻璃、石英、蓝宝石或caf2。

6.如权利要求1所述的波长转化元件,其特征在于,该通孔性结构投影至该基板的正投影是至少部分或全部被该荧光粉层所包覆。


技术总结
一种波长转化元件包含一基板、一荧光粉层以及一通孔性结构,基板配置以基于一轴线转动;荧光粉层设置于该基板上;通孔性结构,设置于该基板上,并具有介于10ppi至500ppi的孔隙密度,或具有介于5%至95%的体积孔隙率,厚度为约0.5mm至约50mm,该荧光粉层与该通孔性结构分别位于该基板的同一侧或相反两侧;其中该通孔性结构为可引导出微型涡流效应的金属、陶瓷以及玻璃中至少一者的泡沫结构,或者是为缠绕态样的金属丝线结构。

技术研发人员:周彦伊,李日琪,黄文政
受保护的技术使用者:台达电子工业股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/12
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