阵列基板及显示面板的制作方法

本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术：

1、随着显示技术的快速发展，有源驱动边缘场开关技术(fringe field switching，ffs)因具有视野角大和响应速度快等优势，已为目前液晶显示面板的主流技术之一。而光电探测器由于在相机、计算机视觉、人机交互、非触控式触摸屏和智能屏等领域具有广泛应用前景，也逐渐被整合至显示面板中。但目前这两种技术在显示面板中阵列基板制作过程中的制程相对独立，同时这两种技术在制程中所需要的光罩数量也相对较多，从而导致阵列基板的制程工序大大增加，进而导致阵列基板的制作成本较高，且制作效率较低。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，可以解决现有阵列基板中光电探测器和边缘场开关技术制程工序复杂而导致制作成本较高的问题。

2、本申请实施例提供一种阵列基板，包括像素区和光感测区，所述阵列基板还包括：

3、衬底层；

4、第一导电层，设置在所述衬底层的一侧，所述第一导电层包括位于所述光感测区的第一电极；

5、第一半导体层，设置在所述第一导电层背离所述衬底层的一侧，所述第一半导体层包括位于所述光感测区的光电探测部，所述光电探测部与所述第一电极电连接；

6、第二导电层，设置在所述第一半导体层背离所述第一导电层的一侧，所述第二导电层包括位于所述光感测区的第二电极和位于所述像素区的第三电极，所述第二电极与所述光电探测部电连接；

7、第三导电层，设置在所述第二导电层背离所述第一半导体层的一侧，所述第三导电层包括位于所述像素区的第四电极，所述第四电极与所述第三电极对应设置，所述第四电极与所述第三电极用于形成边缘场。

8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一半导体层还包括位于所述像素区的增垫部，所述第三电极在所述衬底层上的正投影与所述增垫部在所述衬底层上的正投影重叠。

9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述光电探测部在所述衬底层上的正投影位于所述第一电极在所述衬底层上的正投影内；所述第二电极在所述衬底层上的正投影与所述光电探测部在所述衬底层上的正投影重叠。

10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电层还包括位于所述光感测区的第一栅极，以及位于所述像素区的第二栅极；所述阵列基板还包括：

11、第一绝缘层，设置在所述第二导电层与所述第三导电层之间；

12、第二半导体层，设置在所述第一绝缘层背离所述第二导电层的一侧，所述第二半导体层包括位于所述光感测区的第一有源层，以及位于所述像素区的第二有源层；

13、第四导电层，位于所述第二半导体层背离所述第一绝缘层的一侧，所述第四导电层包括位于所述光感测区的第一源漏极，以及位于所述像素区的第二源漏极；所述第一源漏极与所述第一电极电连接，所述第二源漏极与所述第四电极电连接。

14、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第四导电层与所述第三导电层之间，所述第二绝缘层上对应所述第一源漏极的位置开设有第一通孔，所述第二绝缘层上对应所述第一电极的位置开设有第二通孔；所述第三导电层包括第一连接电极，所述第一连接电极通过所述第一通孔与所述第一源漏极电连接，所述第一连接电极通过第二通孔与所述第一电极电连接。

15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第四导电层与所述第三导电层之间，所述第二绝缘层上对应所述第二源漏极的位置开设有第三通孔；所述第三导电层包括第二连接电极，所述第二连接电极通过所述第三通孔与所述第二源漏极电连接，所述第二连接电极与所述第四电极电连接。

16、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第三导电层还包括公共电极，所述公共电极位于所述像素区，所述公共电极与所述第三电极电连接。

17、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一半导体层的材质包括本征氢化非晶硅、磷掺杂氢化非晶硅、硼掺杂氢化非晶硅和氟掺杂非晶硅中的一种或多种；所述第一半导体层为单层或多层结构。

18、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二导电层为透明导电层，所述第三导电层为透明导电层。

19、相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，包括上述任一项所述的阵列基板。

20、本申请实施例中阵列基板包括依次设置的衬底层、第一导电层、第一半导体层、第二导电层和第三导电层，第一导电层包括位于光感测区的第一电极，第一半导体层包括位于光感测区的光电探测部，光电探测部与第一电极电连接，第二导电层包括位于光感测区的第二电极和位于像素区的第三电极，第二电极与光电探测部电连接，第三导电层包括位于像素区的第四电极，第四电极与第三电极对应设置。本申请通过将光电探测器中的第二电极与边缘场开关技术中的第三电极同层设计，使得在阵列基板制作过程中，光电探测器和边缘场开关技术能够集成在一起，从而有助于简化制程工序，降低生产成本。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括像素区和光感测区，所述阵列基板还包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层还包括位于所述像素区的增垫部，所述第三电极在所述衬底层上的正投影与所述增垫部在所述衬底层上的正投影重叠。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光电探测部在所述衬底层上的正投影位于所述第一电极在所述衬底层上的正投影内；所述第二电极在所述衬底层上的正投影与所述光电探测部在所述衬底层上的正投影重叠。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层还包括位于所述光感测区的第一栅极，以及位于所述像素区的第二栅极；所述阵列基板还包括：

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第四导电层与所述第三导电层之间，所述第二绝缘层上对应所述第一源漏极的位置开设有第一通孔，所述第二绝缘层上对应所述第一电极的位置开设有第二通孔；所述第三导电层包括第一连接电极，所述第一连接电极通过所述第一通孔与所述第一源漏极电连接，所述第一连接电极通过第二通孔与所述第一电极电连接。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第四导电层与所述第三导电层之间，所述第二绝缘层上对应所述第二源漏极的位置开设有第三通孔；所述第三导电层包括第二连接电极，所述第二连接电极通过所述第三通孔与所述第二源漏极电连接，所述第二连接电极与所述第四电极电连接。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三导电层还包括公共电极，所述公共电极位于所述像素区，所述公共电极与所述第三电极电连接。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层的材质包括本征氢化非晶硅、磷掺杂氢化非晶硅、硼掺杂氢化非晶硅和氟掺杂非晶硅中的一种或多种；所述第一半导体层为单层或多层结构。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层为透明导电层，所述第三导电层为透明导电层。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。

技术总结
本申请实施例公开了一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括依次设置的衬底层、第一导电层、第一半导体层、第二导电层和第三导电层，第一导电层包括位于光感测区的第一电极，第一半导体层包括位于光感测区的光电探测部，光电探测部与第一电极电连接，第二导电层包括位于光感测区的第二电极和位于像素区的第三电极，第二电极与光电探测部电连接，第三导电层包括位于像素区的第四电极，第四电极与第三电极对应设置。本申请通过将光电探测器中的第二电极与边缘场开关技术中的第三电极同层设计，使得在阵列基板制作过程中，光电探测器和边缘场开关技术能够集成在一起，从而有助于简化制程工序，降低生产成本。

技术研发人员：周志超,谭志威,刘忠杰
受保护的技术使用者：惠州华星光电显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17