一种深紫外窄带滤光片的制作方法

文档序号:34874113发布日期:2023-07-24 03:08阅读:26来源:国知局
一种深紫外窄带滤光片的制作方法

本技术涉及滤光片,特别涉及一种深紫外窄带滤光片。


背景技术:

1、深紫外准分子光源单色性好、紫外输出能量大,能够有效杀灭病毒、细菌等微生物,杀菌效率高,使用寿命长,绿色环保,对被辐照物无热效应。但是由于其紫外波段的光谱较宽,尤其是230nm~260nm对人体是有害的,故必须加以过滤掉。


技术实现思路

1、为解决上述技术问题,本实用新型提供一种深紫外窄带滤光片,有效解决了深紫外准分子光源在杀灭病毒等微生物过程中对人体造成危害的问题。

2、本实用新型采用的技术方案如下:

3、本实用新型提供一种深紫外窄带滤光片,包括基片层和膜层,所述膜层沉积在所述基片层;所述膜层由至少一个膜层单元沉积而成,所述膜层单元由第一低折射率膜层、高折射率膜层和第二低折射率膜层依次沉积形成,其中,高折射率膜层位于所述第一低折低射率膜层和所述第二低折射率膜层之间,所述第一低折射率膜层与所述第二低折射率膜层厚度相同,所述高折射率膜层厚度大于所述第一低折射率膜层厚度。

4、进一步地,所述高折射率膜层厚度为所述第一低折射率膜层厚度的整数倍。

5、优选的,所述高折射率膜层厚度为所述第一低折射率膜层厚度的1-3倍,优选为2倍。

6、进一步地,所述膜层由8-16个膜层单元沉积而成,优选由12个膜层单元沉积形成。

7、进一步地,所述高折射率膜层厚度为中心波长的四分之一。

8、进一步地,所述基片层为熔融石英。

9、进一步地,所述高折射率膜层由二氧化铪粉末或氧化铝粉末沉积形成。

10、进一步地,所述低折射率膜层为二氧化硅粉末或氟化镁粉末沉积形成。

11、进一步地,具有210-230nm的通带和230-260nm的截止带。

12、与现有技术相比,本实用新型提供的技术方案具有如下优点和有益效果:

13、本实用新型提供的深紫外窄带滤光片,一方面,通过叠加多层膜层单元和设置膜层单元结构,与深紫外光源配合使用,可有效过滤掉对人体有害的230-260nm波段的紫外光,大幅降低了深紫外光源在杀灭病毒、细菌等微生物过程中对人体造成的伤害;另一方面,本实用新型提供的深紫外窄带滤光片,其膜层采用工艺成熟的沉积工艺制作,生产成本低,便于批量化生产。



技术特征:

1.一种深紫外窄带滤光片,其特征在于,包括基片层和膜层,所述膜层沉积在所述基片层;所述膜层由至少一个膜层单元沉积而成,所述膜层单元由第一低折射率膜层、高折射率膜层和第二低折射率膜层依次沉积形成,其中,高折射率膜层位于所述第一低折低射率膜层和所述第二低折射率膜层之间,所述第一低折射率膜层与所述第二低折射率膜层厚度相同,所述高折射率膜层厚度大于所述第一低折射率膜层厚度。

2.根据权利要求1所述的深紫外窄带滤光片,其特征在于,所述高折射率膜层厚度为所述第一低折射率膜层厚度的整数倍。

3.根据权利要求2所述的深紫外窄带滤光片,其特征在于,所述高折射率膜层厚度为所述第一低折射率膜层厚度的1-3倍。

4.根据权利要求1所述的深紫外窄带滤光片,其特征在于,所述膜层由8-16个膜层单元沉积而成。

5.根据权利要求1所述的深紫外窄带滤光片,其特征在于,所述高折射率膜层厚度为中心波长的四分之一。

6.根据权利要求1-5任一所述的深紫外窄带滤光片,其特征在于,所述基片层为熔融石英。

7.根据权利要求1-5任一所述的深紫外窄带滤光片,其特征在于,所述高折射率膜层由二氧化铪粉末或氧化铝粉末沉积形成。

8.根据权利要求1-5任一所述的深紫外窄带滤光片,其特征在于,所述低折射率膜层为二氧化硅粉末或氟化镁粉末沉积形成。

9.根据权利要求1-5任一所述的深紫外窄带滤光片,其特征在于,具有210-230nm的通带和230-260nm的截止带。

10.根据权利要求3或4所述的深紫外窄带滤光片,其特征在于,所述高折射率膜层厚度为所述第一低折射率膜层厚度的2倍;所述膜层由12个膜层单元沉积而成。


技术总结
本技术公开了一种深紫外窄带滤光片,包括基片和膜层,所述膜层是沉积在所述基片上的。所述膜层为介质多层光学薄膜,它是由低折射率镀膜材料与高折射率镀膜材料通过“真空蒸发工艺”在基底上交替镀制而成的,其每层低折射率镀膜材料与高折射率镀膜材料的厚度均是均是由“光学薄膜设计软件”设计而定的。具体在实际镀制中,还有工艺(包括设备)的因数介入,从而使得该深紫外窄带滤光片达到比较理想的“光学性能”,即:容许一些波长的光通过,而阻止另一些波长的光通过。这样与深紫外光源配合使用时,可有效地过滤掉对人体有害的230‑260nm波段的紫外光,大幅降低了深紫外紫外光源在杀灭病毒、细菌等微生物过程中对人体造成的伤害。

技术研发人员:朱民稷
受保护的技术使用者:苏州市唯嘉光学有限公司
技术研发日:20230222
技术公布日:2024/1/13
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