用于监测曝光图形位置准确度的图形结构的制作方法

本技术属于半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种用于监测曝光图形位置准确度的图形结构。

背景技术：

1、在半导体器件的制造工艺中通常需要用到光刻工艺，光刻工艺是将光掩模板(mask)上的图形通过对准、曝光、显影等步骤转印到涂有光刻胶的基体表面的工艺过程，光刻工艺会在基体表面形成一层图形化的光刻胶层，然后进行刻蚀或离子注入。

2、图形在掩模版上的布局，理论上图形应该在相应的坐标位置。然而，在掩模版曝光的过程中，由于曝光设备受环境或其他因素的影响，曝光后在掩模版上得到的实际图形的位置和理论位置容易存在偏差，从而导致曝光精度和掩模版精度的降低。

3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，用于解决现有技术中曝光后得到的实际图形的位置和理论位置容易存在偏差，从而导致曝光精度和掩模版精度的降低的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，所述图形结构包括：光掩模版；多个监测图案，排布于所述光掩模版上，多个所述监测图案沿第一方向间隔排布成多行，且多个所述监测图案沿第二方向间隔排布成多列，所述监测图案包括沿第一方向延伸的第一条形图案和沿第二方向延伸的第二条形图案，所述第一条形图案和第二条形图案交叉，所述第一方向与所述第二方向垂直。

3、可选地，所述光掩模版为6英寸的光掩模版。

4、可选地，所述光掩模版的厚度范围为0.2英寸～0.3英寸。

5、可选地，每行中任意相邻两个监测图案之间的间距相等，每列中任意相邻两个监测图案之间的间距相等。

6、可选地，多个所述监测图案沿第一方向间隔排布成6～15行，沿第二方向间隔排布成6～15列。

7、可选地，多个所述监测图案沿第一方向间隔排布成11行，沿第二方向间隔排布成11列，相邻两监测图案之间的间距为13000微米～15000微米。

8、可选地，多个所述监测图案沿第一方向间隔排布成13行，沿第二方向间隔排布成13列，相邻两监测图案之间的间距为11000微米～12000微米。

9、可选地，所述第一条形图案和第二条形图案的交叉点为所述第一条形图案和第二条形图案的中心。

10、可选地，所述第一条形图案的宽度为3微米～20微米，长度为20微米～100微米。

11、可选地，所述第二条形图案的宽度为3微米～20微米，长度为20微米～100微米。

12、如上所述，本实用新型的用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，具有以下有益效果：

13、本实用新型提供一种用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，该图形结构包括：光掩模版；多个监测图案，排布于所述光掩模版上，多个监测图案沿第一方向间隔排布成多行，且多个监测图案沿第二方向间隔排布成多列，监测图案包括沿第一方向延伸的第一条形图案和沿第二方向延伸的第二条形图案，第一条形图案和第二条形图案交叉，第一方向与第二方向垂直。通过对多个监测图案进行曝光后，得到实际图形的位置与理论位置的偏差值，根据这些偏差值，可以对曝光设备相关参数进行设置，从而达到改善光掩模版上图形的准确度。本实用新型的监测图形结构可以实现对曝光设备的曝光精度的监测，从而调整和提高曝光设备的曝光精度，使设备在可控精度内使用。

技术特征：

1.一种用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，其特征在于，所述图形结构包括：

2.根据权利要求1所述的用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，其特征在于：所述光掩模版为6英寸的光掩模版。

3.根据权利要求1所述的用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，其特征在于：所述光掩模版的厚度范围为0.2英寸～0.3英寸。

4.根据权利要求1所述的用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，其特征在于：每行中任意相邻两个监测图案之间的间距相等，每列中任意相邻两个监测图案之间的间距相等。

5.根据权利要求1所述的用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，其特征在于：多个所述监测图案沿第一方向间隔排布成6～15行，沿第二方向间隔排布成6～15列。

6.根据权利要求5所述的用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，其特征在于：多个所述监测图案沿第一方向间隔排布成11行，沿第二方向间隔排布成11列，相邻两监测图案之间的间距为13000微米～15000微米。

7.根据权利要求5所述的用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，其特征在于：多个所述监测图案沿第一方向间隔排布成13行，沿第二方向间隔排布成13列，相邻两监测图案之间的间距为11000微米～12000微米。

8.根据权利要求1所述的用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，其特征在于：所述第一条形图案和第二条形图案的交叉点为所述第一条形图案和第二条形图案的中心。

9.根据权利要求1所述的用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，其特征在于：所述第一条形图案的宽度为3微米～20微米，长度为20微米～100微米。

10.根据权利要求1所述的用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，其特征在于：所述第二条形图案的宽度为3微米～20微米，长度为20微米～100微米。

技术总结
本技术提供一种用于监测曝光图形位置准确度的图形结构，包括：光掩模版；多个监测图案，排布于光掩模版上，多个监测图案沿第一方向间隔排布成多行，且多个监测图案沿第二方向间隔排布成多列，监测图案包括沿第一方向延伸的第一条形图案和沿第二方向延伸的第二条形图案，第一条形图案和第二条形图案交叉，第一方向与第二方向垂直。通过对多个监测图案进行曝光后，得到实际图形的位置与理论位置的偏差值，根据这些偏差值，可以对曝光设备相关参数进行设置，从而达到改善光掩模版上图形的准确度。本技术的监测图形结构可以实现对曝光设备的曝光精度的监测，从而调整和提高曝光设备的曝光精度，使设备在可控精度内使用。

技术研发人员：王国荃
受保护的技术使用者：上海凸版光掩模有限公司
技术研发日：20230629
技术公布日：2024/1/15