基板处理方法及基板处理系统与流程

本发明的例示性实施方式涉及一种基板处理方法及基板处理系统。

背景技术：

1、专利文献1中公开有一种在半导体基板上形成使用极紫外光(extreme ultraviolet、以下表述为“euv”)进行图案化的薄膜的技术。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特表2021-523403号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、本发明提供一种对曝光的含金属抗蚀剂适当地进行干式显影的技术。

3、用于解决技术课题的手段

4、在本发明的一个例示性实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：(a)在处理腔室内的基板支撑部上提供具有基底膜及设置于该基底膜上且由含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的基板，在该工序中，该含金属抗蚀剂具有第1区域及第2区域。基板处理方法还包括以下工序：(b)向处理腔室内供给包含羧酸的处理气体，使基板暴露于该羧酸，并相对于第1区域选择性地去除第2区域，从而对抗蚀剂膜进行干式显影。在(b)中，羧酸的压力或分压为0.3torr(40pa)以上且小于100torr(13332pa)。

5、发明效果

6、根据本发明的一个例示性实施方式，能够提供一种对曝光的含金属抗蚀剂适当地进行干式显影的技术。

技术特征：

1.一种基板处理方法，其包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，

12.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，

13.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，

14.根据权利要求1至13中任一项所述的基板处理方法，其中，

15.根据权利要求1至13中任一项所述的基板处理方法，其中，

16.根据权利要求1至13中任一项所述的基板处理方法，其中，

17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，

18.根据权利要求1至13中任一项所述的基板处理方法，其中，

19.一种基板处理系统，其具备：

技术总结
本发明提供一种基板处理方法。基板处理方法包括以下工序：(a)在处理腔室内的基板支撑部上提供具有基底膜及设置于该基底膜上且由含金属抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的基板，在该工序中，该含金属抗蚀剂具有第1区域及第2区域。基板处理方法还包括以下工序：(b)向处理腔室内供给包含羧酸的处理气体，使基板暴露于该羧酸，并相对于第1区域选择性地去除第2区域，从而对抗蚀剂膜进行干式显影。在(b)中，羧酸的压力或分压为0.3Torr(40Pa)以上且小于100Torr(13332Pa)。

技术研发人员：中根由太,小野健太,熊仓翔,西冢哲也,本田昌伸
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2025/4/10