光集成电路和光接收器的制作方法

文档序号:41683927发布日期:2025-04-18 16:27阅读:7来源:国知局
光集成电路和光接收器的制作方法

本公开涉及光集成电路和光接收器。


背景技术:

1、已知一种将马赫-曾德尔干涉仪级联地连接的波长分离元件(例如,参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2020-194092号公报


技术实现思路

1、本公开的一个实施方式的光集成电路具有波长合波分波元件,所述波长合波分波元件具有方向性耦合器和延迟线,所述波长合波分波元件以多级级联地连接。

2、本公开的一个实施方式的光接收器具有所述光集成电路。



技术特征:

1.一种光集成电路,其中,

2.根据权利要求1所述的光集成电路,其中,

3.根据权利要求1所述的光集成电路,其中,

4.根据权利要求1所述的光集成电路,其中,

5.根据权利要求4所述的光集成电路,其中,

6.根据权利要求1~5中任一项所述的光集成电路,其中,

7.根据权利要求1~5中任一项所述的光集成电路,其中,

8.根据权利要求7所述的光集成电路,其中,

9.根据权利要求8所述的光集成电路,其中,

10.一种光接收器,具有权利要求1~5中任一项所述的光集成电路。


技术总结
本公开的光集成电路具有波长合波分波元件(831‑1~832‑6),所述波长合波分波元件(831‑1~832‑6)具有方向性耦合器和延迟线。波长合波分波元件以多级级联地连接。

技术研发人员:松井直树
受保护的技术使用者:京瓷株式会社
技术研发日:
技术公布日:2025/4/17
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