正胶剥离液、正胶剥离液的制备方法及其应用与流程

文档序号:37684074发布日期:2024-04-18 20:56阅读:58来源:国知局
正胶剥离液、正胶剥离液的制备方法及其应用与流程

本发明涉及半导体制备,特别涉及一种正胶剥离液、正胶剥离液的制备方法及其应用。


背景技术:

1、正性光刻胶是一种涂覆在印版上的材料,是在印刷制版中进行图像印刷的重要材料之一。正胶剥离液常用于凹版印刷和铜版印刷中的制版过程。制版前,将正性光刻胶涂布在印版上,然后通过图像曝光使得涂布区域的光敏层固化,接着通过显影、刻蚀和剥离等工艺步骤,形成所需电路图像。

2、随着半导体芯片结构越来越复杂,其制造工艺中所用光刻胶剥离液所面临的环境也越来越复杂,需在剥离液清除光刻胶的同时,不产生残渣,且对环境中的金属和非金属介质有一定的腐蚀限制。若超出腐蚀限制,将对芯片产生不可逆转的破坏。而一片薄薄的cof载带上需要实现2000~4000条细线路,并且每条细线路都需要均一性优良、经受住各种极端工作环境的考验。

3、现有技术中用于cof载带的正胶剥离液处理操作时,通常将铜基衬底旋涂20微米以上厚度正性光刻胶,经坚膜工艺后,升温延长剥离时间条件下,通用的碱性溶剂剥离液无法将正性光刻胶剥离干净。同时,该过程中使用参数为55-60度,浸泡时间为5分钟,光刻胶仍有残留且良率低。

4、因此,现有技术需要进行改进。


技术实现思路

1、现有技术中,通用的碱性溶剂剥离液无法将正性光刻胶剥离干净,同时,该过程中使用参数为55-60度,浸泡时间为5分钟,光刻胶仍有残留且良率低,因此,本发明提供一种正胶剥离液、正胶剥离液的制备方法及其应用于解决上述问题。

2、为实现上述目的,第一方面,本发明提供了一种正胶剥离液,其包括以下浓度配比的组分:

3、22~28g/l的胺类化合物;

4、27~33g/l的第一光刻胶树脂溶剂;

5、22~30g/l的第二光刻胶树脂溶剂;

6、0.01~8g/l的添加剂;

7、余量为水;

8、其中,所述胺类化合物包括n,n-二乙基-1,3-丙二胺、n,n-二异丙基-1,3-丙二胺、二乙烯三胺和n-(2-羟乙基)乙二胺中的任意一种;

9、所述第一光刻胶树脂溶剂为二价酸酯dbe或碳酸丙烯酯;

10、所述第二光刻胶树脂溶剂为3-甲氧基-3甲基-1-丁醇或2-甲基-2,4戊二醇;

11、所述添加剂包括润湿剂、分散剂、金属缓蚀剂和抗碱咬蚀剂中的至少一种。

12、在一种实现方式中,所述添加剂包括以下浓度配比的组分:0.01~3g/l的润湿剂、0.01~4.5g/l的分散剂、0.01~0.3g/l的金属缓蚀剂和0.01~2g/l的抗碱咬蚀剂。

13、在一种实现方式中,所述润湿剂为阿克苏berol 840高效润湿剂和陶氏lfe635表面活性剂任何一种或其组合。

14、在一种实现方式中,所述分散剂为十二烷基二苯醚二磺酸钠和德国毕克byk-163润湿分散剂中的任何一种或其组合。

15、在一种实现方式中,所述金属缓蚀剂包括氯化甲基苯骈三氮唑钠盐、1-甲基吡唑、咪唑和1,2,4-1h-三氮唑中的任何一种或其组合。

16、在一种实现方式中,所述抗碱咬蚀剂包括柠檬酸铵和肉桂酸钾中的任何一种或其组合。

17、第二方面,本发明还提供一种如上述任一项所述的正胶剥离液的制备方法,其根据上述浓度配比的组分进行混合搅拌均匀。

18、第三方面,本发明还提供一种如上述任一项所述的正胶剥离液在cof载带的光刻胶及其残留物的剥离或清洗中的应用。

19、在一种实现方式中,上述应用具体包括:将待剥离的cof载带与所述正胶剥离液通过浸渍法或喷淋法作业,所述作业的温度为45~50℃,所述作业的时间为2.5~5分钟。

20、有益效果:1、本发明提供的正胶剥离液通过复合胺类化合物、第一光刻胶树脂溶剂、第二光刻胶树脂溶剂和添加剂,本发明提供的胺类化合物提供了较佳的剥离效果,通过所述第一光刻胶树脂溶剂和第二光刻胶树脂溶剂的复配增效功能,能够提高正胶剥离液对于各种光刻胶的溶解效果,改善剥离效率,优化剥离液的稳定性并扩大适用范围;

21、2、添加剂中的润湿剂和分散剂的复配使用,其中润湿剂使得剥离液能够更充分接触到基材表面,分散剂确保了剥离液的均匀性,两者的协同效应能大幅提高剥离液的效能,使得正胶得以更稳定、更完整地被剥离,从而提高整个剥离过程的效率和质量;

22、3、所述金属缓蚀剂和抗碱咬蚀剂通过复配使用,通过所述金属缓蚀剂能够对所述cof载带的金属面尤其是铜面进行保护,同时抗碱咬蚀剂可以防止强碱性物质对金属的伤害,金属在剥离过程中的稳定性和可靠性将得到提高,有助于改善最终产品的质量;

23、实现正胶剥离液的去胶速度快、去胶能力强、表现张力低、对细线路光刻胶剥离效果好、无残胶、水溶性好和去胶后易漂洗的效果;所述正胶剥离液应用于cof载带的剥离时,剥离的温度低,剥离速度快,残胶率低,品质好效率高,同时工艺操作更简单。



技术特征:

1.一种正胶剥离液,其特征在于,包括以下浓度配比的组分:

2.根据权利要求1所述的正胶剥离液,其特征在于,所述添加剂包括以下浓度配比的组分:0.01~3g/l的润湿剂、0.01~4.5g/l的分散剂、0.01~0.3g/l的金属缓蚀剂和0.01~2g/l的抗碱咬蚀剂。

3.根据权利要求1所述的正胶剥离液,其特征在于,所述润湿剂为阿克苏berol 840高效润湿剂和陶氏lfe635表面活性剂任何一种或其组合。

4.根据权利要求1所述的正胶剥离液,其特征在于,所述分散剂为十二烷基二苯醚二磺酸钠和德国毕克byk-163润湿分散剂中的任何一种或其组合。

5.根据权利要求1所述的正胶剥离液,其特征在于,所述金属缓蚀剂包括氯化甲基苯骈三氮唑钠盐、1-甲基吡唑、咪唑和1,2,4-1h-三氮唑中的任何一种或其组合。

6.根据权利要求1所述的正胶剥离液,其特征在于,所述抗碱咬蚀剂包括柠檬酸铵和肉桂酸钾中的任何一种或其组合。

7.一种如权利要求1~6任一项所述的正胶剥离液的制备方法,其特征在于,根据权利要求1所述的浓度配比的组分进行混合搅拌均匀。

8.一种如权利要求1~6任一项所述的正胶剥离液在cof载带的光刻胶及其残留物的剥离或清洗中的应用。

9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,具体包括:将待剥离的cof载带与所述正胶剥离液通过浸渍法或喷淋法作业,所述作业的温度为45~50℃,所述作业的时间为2.5~5分钟。


技术总结
本发明涉及一种正胶剥离液、正胶剥离液的制备方法及其应用。其中,正胶剥离液包括以下浓度配比的组分:22~28g/L的胺类化合物;27~33g/L的第一光刻胶树脂溶剂;22~30g/L的第二光刻胶树脂溶剂;0.01~8g/L的添加剂;余量为水。胺类化合物包括N,N‑二乙基‑1,3‑丙二胺、N,N‑二异丙基‑1,3‑丙二胺、二乙烯三胺和N‑(2‑羟乙基)乙二胺中的任意一种。第一光刻胶树脂溶剂为二价酸酯DBE或碳酸丙烯酯。第二光刻胶树脂溶剂为3‑甲氧基‑3甲基‑1‑丁醇或2‑甲基‑2,4戊二醇。本发明提供的正胶剥离液应用于COF载带的剥离时,剥离的温度低,剥离速度快,残胶率低,品质好效率高。

技术研发人员:夏金良,饶猛,莫庆生,刘纪友,廖星华
受保护的技术使用者:深圳市松柏科工股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/17
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