掩膜图形的生成方法及掩膜图形的生成装置与流程

本发明涉及半导体，特别涉及一种掩膜图形的生成方法及掩膜图形的生成装置。

背景技术：

1、测试图形(test pattern)的绘制是光学邻近效应修正(optical proximitycorrection，简称opc)过程中一个很重要的步骤，光学邻近效应修正模型的建立需要收集大量的量测数据，需要量测各种类型的测试图形。测试图形的数量庞大，常常会在掩膜，也就是整个电路版图(geomety data standard，简称gds)上划分一部分区域放置测试图形。

2、然而，当前的测试图形由于数量较多会大大增加掩膜的制作成本。

技术实现思路

1、本发明解决的问题是如何减少掩膜中测试图形的数量，以减小测试图形占用掩膜的面积，降低掩膜的制作成本。

2、为解决上述问题，本发明提供一种掩膜图形的生成方法，包括：获取待修正版图，所述待修正版图包括多个绘图区域，所述绘图区域适宜于进行测试图形绘制，其中多个绘图区域分别为第1绘图区域、第2绘图区域、……、第n绘图区域，其中n为大于等于1的正整数；逐个对多个所述绘图区域进行图形检测以判断所述绘图区域是否具有测试图形；当第i绘图区域不具有测试图形时，将第i+1绘图区域的图形绘制至第i绘图区域，删除第i+1绘图区域的图形。

3、可选的，还包括：获取待修正版图之后，逐个对多个所述绘图区域进行图形检测以判断所述绘图区域是否具有测试图形之前，根据所述待修正版图，获得所述待修正版图中每个绘图区域的量测坐标；

4、当第i绘图区域不具有测试图形时，删除第i绘图区域的量测坐标。

5、可选的，逐个对多个所述绘图区域进行图形检测以判断所述绘图区域是否具有测试图形的步骤包括：

6、根据第i绘图区域的量测坐标，获得检测区域，所述第i绘图区域的量测坐标位于所述检测区域内；

7、判断所述检测区域内是否有图形；

8、所述检测区域内具有测试图形时，判断所述绘图区域具有测试图形。

9、可选的，获得检测区域的步骤中，所述第i绘图区域的量测坐标为所述检测区域的几何中心。

10、可选的，获得检测区域的步骤中，所述检测区域与所述绘图区域重叠。

11、可选的，还包括：对所有绘图区域进行图形检测之后，获得修正后版图。

12、可选的，还包括：对所有绘图区域进行图形检测之后，获得修正后版图之前，删除不具有测试图形的绘图区域的标签。

13、可选的，还包括：根据所述修正后版图，获得修正后版图中每个绘图区域的量测坐标。

14、可选的，获得绘图区域的量测坐标的步骤中，根据绘图区域的几何中心的坐标，获得绘图区域的量测坐标。

15、可选的，获取待修正版图的步骤中，所述待修正版图还包括：多个初始标签，多个所述初始标签与待修正版图中多个所述绘图区域一一对应；

16、将第i+1绘图区域的图形绘制至第i绘图区域的步骤中，根据第i+1绘图区域对应的初始标签，获得第i绘图区域相对应的修正后标签。

17、可选的，还包括：当第i绘图区域具有测试图形时，对第i+1绘图区域进行图形检测。

18、可选的，获取所述待修正版图的步骤包括：

19、设置绘制参数；

20、根据绘制参数，获得多个所述绘图区域；

21、根据所述绘制参数在每个所述绘图区域内进行测试图形绘制以获得所述待修正版图。

22、可选的，根据所述绘制参数在每个所述绘图区域内进行测试图形绘制以获得所述待修正版图的步骤中，根据所述绘制参数，结合掩膜规则限制的结果，在每个所述绘图区域内进行测试图形绘制。

23、可选的，在每个所述绘图区域内进行测试图形绘制的步骤中，将符合掩膜规则限制的测试图形绘制至对应的绘图区域。

24、可选的，在每个所述绘图区域内进行测试图形绘制的步骤中，不符合掩膜规则限制的测试图形对应的绘图区域留空。

25、可选的，获取待修正版图的步骤中，所述待修正版图具有测试区，多个所述绘图区域位于所述测试区。

26、可选的，所述待修正版图还具有器件区。

27、相应的，本发明还提供一种掩膜图形的生成装置，包括：

28、获取单元，适于获取待修正版图，所述待修正版图包括多个绘图区域，所述绘图区域适宜于进行测试图形绘制，其中多个绘图区域分别为第1绘图区域、第2绘图区域、……、第n绘图区域，其中n为大于等于1的正整数；

29、检测单元，适于逐个对多个所述绘图区域进行图形检测以判断所述绘图区域是否具有测试图形；

30、修正单元，适于当第i绘图区域不具有测试图形时，将第i+1绘图区域的测试图形绘制至第i绘图区域，删除第i+1绘图区域的测试图形。

31、与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

32、本发明技术方案的掩膜图形的生成方法中，逐个对多个所述绘图区域进行图形检测以判断所述绘图区域是否具有测试图形，当检测的绘图区域不具有测试图形时，将下一绘图区域的图形绘制至当前区域，并删除下一绘图区域的图形。所述方法避免了绘图区域不存在测试图形但占用绘图区域的问题，降低了修正后版图的留空率，使得各个绘图区域内均填满测试图形，减小了绘图区域不存在测试图形仍占用掩膜面积的问题，减少了掩膜的制作成本。

技术特征：

1.一种掩膜图形的生成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，还包括：获取待修正版图之后，逐个对多个所述绘图区域进行图形检测以判断所述绘图区域是否具有测试图形之前，根据所述待修正版图，获得所述待修正版图中每个绘图区域的量测坐标；

3.如权利要求2所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，逐个对多个所述绘图区域进行图形检测以判断所述绘图区域是否具有测试图形的步骤包括：根据第i绘图区域的量测坐标，获得检测区域，所述第i绘图区域的量测坐标位于所述检测区域内；

4.如权利要求3所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，获得检测区域的步骤中，所述第i绘图区域的量测坐标为所述检测区域的几何中心。

5.如权利要求4所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，获得检测区域的步骤中，所述检测区域与所述绘图区域重叠。

6.如权利要求1所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，还包括：对所有绘图区域进行图形检测之后，获得修正后版图。

7.如权利要求6所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，还包括：对所有绘图区域进行图形检测之后，获得修正后版图之前，删除不具有测试图形的绘图区域的标签。

8.如权利要求6所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，还包括：根据所述修正后版图，获得修正后版图中每个绘图区域的量测坐标。

9.如权利要求2或8所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，获得绘图区域的量测坐标的步骤中，根据绘图区域的几何中心的坐标，获得绘图区域的量测坐标。

10.如权利要求1所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，获取待修正版图的步骤中，所述待修正版图还包括：多个初始标签，多个所述初始标签与待修正版图中多个所述绘图区域一一对应；

11.如权利要求1所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，还包括：当第i绘图区域具有测试图形时，对第i+1绘图区域进行图形检测。

12.如权利要求1所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，获取所述待修正版图的步骤包括：

13.如权利要求12所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，根据所述绘制参数在每个所述绘图区域内进行测试图形绘制以获得所述待修正版图的步骤中，根据所述绘制参数，结合掩膜规则限制的结果，在每个所述绘图区域内进行测试图形绘制。

14.如权利要求13所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，在每个所述绘图区域内进行测试图形绘制的步骤中，将符合掩膜规则限制的测试图形绘制至对应的绘图区域。

15.如权利要求13所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，在每个所述绘图区域内进行测试图形绘制的步骤中，不符合掩膜规则限制的测试图形对应的绘图区域留空。

16.如权利要求1所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，获取待修正版图的步骤中，所述待修正版图具有测试区，多个所述绘图区域位于所述测试区。

17.如权利要求16所述的掩膜图形的生成方法，其特征在于，所述待修正版图还具有器件区。

18.一种掩膜图形的生成装置，其特征在于，包括：

技术总结
一种掩膜图形的生成方法及掩膜图形的生成装置，其中方法包括：获取待修正版图，所述待修正版图包括多个绘图区域，所述绘图区域适宜于进行测试图形绘制，其中多个绘图区域分别为第1绘图区域、第2绘图区域、……、第n绘图区域，其中n为大于等于1的正整数；逐个对多个所述绘图区域进行图形检测以判断所述绘图区域是否具有测试图形；当第i绘图区域不具有测试图形时，将第i+1绘图区域的测试图形绘制至第i绘图区域，删除第i+1绘图区域的测试图形。所述方法避免了绘图区域不存在测试图形但占用绘图区域的问题，降低了修正后版图的留空率，使得各个绘图区域内均填满测试图形，减少了对掩膜面积的浪费，减少了掩膜的制作成本。

技术研发人员：颜哲钜,任堃,李翰轩,姚淼红,张馨元,吴永玉,高大为,吴汉明,徐世斌
受保护的技术使用者：浙江创芯集成电路有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18