掩膜板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示面板的制程领域，尤其涉及一种用于向玻璃基板转移电晶体图案的掩膜板。
【背景技术】
[0002]与传统的阴极射线管显示器(Cathode Ray Tube，CRT)相比，平面显示器，如液晶显示器(Liquid Crystal Display，IXD)、有机电激发光显示器(Organic Light EmittingDisplay，OLED)等由于其体积小、重量轻、厚度薄及功耗低等优点被广泛地应用于掌上电脑、电视机及监视器等电子产品中。
[0003]现有的平面显示器在制作过程中主要分为三个步骤:(I)阵列制程；(2)组立制程；(3)模组制程。在阵列制程中需要根据玻璃基板上的电路布局，设计制作一个或者多个光刻掩膜板(Mask)，然后再利用光刻工艺将该光刻掩膜板上的图案转移到玻璃基板上。其中，光刻掩膜板也可以称为掩膜板或者光罩，是一种对于曝光光线可透光的基板，其上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个图案，可实现有选择性的遮挡到玻璃基板表面光阻液上的光，并最终在玻璃基板表面的光阻液上形成相应的图案。
[0004]图1为现有技术中的一种光刻掩膜板的平面结构示意图。该光刻掩膜板包括第一图案10、与第一图案10中间连接的半环形的第二图案11以及位于第二图案11的缺口的正中位置处的第三图案12。图2为图1所示的光刻掩膜板的图案转移到玻璃基板上的图案的平面结构示意图。如图2所示，当光线透过该光刻掩膜板时，由于第二图案11距离第三图案12的间距较小，且由于光的折射与衍射作用，使得分辨率降低，进而导致转移到玻璃基板上的第二图案11’与第三图案12’部分连接。为了克服图2所示的缺陷，现有技术采用高解析度的9_沟槽弧形光，但是虽然弧形光的裂缝比较窄，光的衍射及折射作用小，但是其在提高解析度的同时又减小了焦深(DOF)，可照度低，且波动幅度大，不能量产。进而，现有技术又采用相移式掩膜(PSM)技术来解决上述问题，相移式掩膜虽然提高了焦深，但是其成本过高。此外，可进一步通过改造机台可以提高制程能力，但是其成本同样过高。
[0005]因此，需要提供一种掩膜板，其可以解决上述现有技术问题中产能低、解析度低且成本高的问题。
【发明内容】
[0006]鉴于以上问题，本发明提供一种掩膜板，该掩膜板产能高、解析度高且成本低。
[0007]本发明提供一种掩膜板，用于向玻璃基板上转移电晶体图案，该掩膜板包括多个掩膜图案。每个掩膜图案包括一个半环状的第一图案、在该第一图案的外圆的弧形边水平延伸的第二图案以及位于该第一图案正中位置处且远离该第一图案的内圆的第三图案，其中，该第一图案具有一沟槽，该沟槽具有透光性。
[0008]本发明的掩膜板通过在第一图案上设置可透光的沟槽，使得在曝光显影过程中第一图案与第三图案之间的光阻液进一步发生化学反应，充分地去除第一图案与第三图案之间的光阻液，从而使得实际转移到玻璃基板上的电晶体的图案与理论中的电晶体的图案无差异，提高了解析度，本发明提供的掩膜板提高了制程能力以及产能，降低了成本。
【附图说明】
[0009]图1为现有技术中的一种光刻掩膜板的平面结构示意图。
[0010]图2为图1所示的光刻掩膜板的图案转移到玻璃基板上的图案的平面结构示意图。
[0011]图3为本发明一实施例所提供的一种掩膜板的平面结构示意图。
[0012]图4为图3所示的掩膜板的图案转移到玻璃基板上的图案的平面结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。
[0014]请参阅图3，图3为本发明一实施例所提供的一种掩膜板的平面结构示意图。如图3所示，本发明提供的掩膜板用于向玻璃基板(图中未示出)转移电晶体图案，该掩膜板包括多个掩膜图案，每个掩膜图案包括一个半环状的第一图案100、在该第一图案100的外圆1001的弧形边水平延伸的第二图案102以及位于该第一图案100正中位置处且远离该第一图案100的内圆1002的第三图案104，其中，该第一图案100具有一半环形沟槽1003，该沟槽1003位于该第一图案100的外圆1001与内圆1002之间，该沟槽1003具有透光性。
[0015]在本发明一实施方式中，掩膜板的第一图案100的沟槽1003的宽度为0.5?1.lum。优选地，该第一图案100的沟槽1003的宽度为0.8um。
[0016]在本发明一实施方式中，掩膜板的第一图案100的内圆1002与沟槽1003的内边1004的距离为0.7?1.3um。优选地，掩膜板的第一图案100的内圆1002与沟槽1003的内边1004的距离为1.0um0
[0017]在本发明一实施方式中，该第三图案104包括前端部分1041与主体部分1042，且前端部分1041的顶部与第一图案100的内圆1002之间的距离为2.0?3.0um。优选地，前端部分1041的顶部与第一图案100的内圆1002之间的距离为2.5um。
[0018]请同时参阅图4，图4为图3所示的掩膜板的图案转移到玻璃基板上的图案的平面结构示意图。如图4所示，由于掩膜板上的沟槽1003过小，不会成像，因此掩膜板转移到玻璃基板上的第一转移图案100’的形状没有发生改变。此外，在曝光显影过程中，由于沟槽1003的透光性，使得在曝光过程中第一图案100与第三图案104之间的光阻液进一步发生化学反应，充分地去除第一图案100与第三图案104之间的光阻液，使得掩膜板转移到玻璃基板上的第三转移图案104’的前端部分1041’距离第一转移图案100’的内圆1002’的距离为2.5um，也就是说，从掩膜板上转移到玻璃基板上的第一转移图案100’与第三转移图案104’与掩膜板上的第一图案100及第三图案104的位置与大小没有发生改变。
[0019]在本发明一实施方式中，玻璃基板为薄膜晶体管阵列基板。
[0020]在本发明一实施方式中，第一图案100对应薄膜晶体管阵列基板的薄膜晶体管的源极。
[0021]在本发明一实施方式中，第三图案104对应该薄膜晶体管阵列基板的薄膜晶体管的漏极。
[0022]在本发明一实施方式中，第二图案102对应该薄膜晶体管阵列基板上的导电层，该导电层与第一图案100连接，且与该第一图案100处于同一层，用于与外部印刷线路板(PCB)连接。
[0023]本发明的掩膜板通过在第一图案100上设置沟槽1003，由于该沟槽1003过小，不会成像，因此不会影响电晶体图案的特性，而且因该沟槽1003可透光，使得在曝光显影过程中第一图案100与第三图案104之间的光阻液进一步发生化学反应，充分地去除第一图案100与第三图案104之间的光阻液，从而使得实际转移到玻璃基板上的电晶体的图案与理论中的电晶体的图案无差异，提高了解析度，本发明提供的掩膜板提高了制程能力以及产能，降低了成本。
[0024]本文中应用了具体个例对本发明的掩膜板及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【主权项】
1.一种掩膜板，用于向玻璃基板上转移电晶体图案，其特征在于，该掩膜板包括多个掩膜图案，每个掩膜图案包括一个半环状的第一图案、在该第一图案的外圆的弧形边水平延伸的第二图案以及位于该第一图案正中位置处且远离该第一图案的内圆的第三图案，其中，该第一图案具有一沟槽，该沟槽具有透光性。
2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，该沟槽为半环形，且位于该第一图案的外圆与内圆之间。
3.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，该第一图案的沟槽宽度为0.5?1.lum。
4.如权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，该沟槽的内边与该第一图案的内圆之间的距离为0.7?1.3um。
5.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，该第一图案的内圆与该第三图案之间的距离为2.0?3.0um0
6.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，该玻璃基板为薄膜晶体管阵列基板。
7.如权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，该第一图案对应该薄膜晶体管阵列基板的薄膜晶体管的源极。
8.如权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，该第三图案对应该薄膜晶体管阵列基板的薄膜晶体管的漏极。
9.如权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，该第二图案对应该薄膜晶体管阵列基板上的导电层，该导电层用于传输数据信号。
【专利摘要】本发明提供一种掩膜板，用于向玻璃基板上转移电晶体图案，该掩膜板包括多个掩膜图案。每个掩膜图案包括一个半环状的第一图案、在该第一图案的外圆的弧形边水平延伸的第二图案以及位于该第一图案正中位置处且远离该第一图案的内圆的第三图案，其中，该第一图案具有一沟槽，该沟槽具有透光性。本发明的掩膜板通过在第一图案上设置可透光的沟槽，使得在曝光显影过程中第一图案与第三图案之间的光阻液进一步发生化学反应，充分地去除第一图案与第三图案之间的光阻液，从而使得实际转移到玻璃基板上的电晶体的图案与理论中的电晶体的图案无差异，提高了解析度，本发明提供的掩膜板提高了制程能力以及产能，降低了成本。
【IPC分类】G03F1-76
【公开号】CN104777710
【申请号】CN201510198177
【发明人】张庆明, 李文苹, 杨青
【申请人】昆山龙腾光电有限公司
【公开日】2015年7月15日
【申请日】2015年4月24日