一种纳米压印易脱模方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种纳米压印易脱模方法，属于微电子、微纳米制备技术领域。
【背景技术】
[0002]目前，微电子加工技术已经进入纳米时代，随着特征尺寸的进一步缩写，下一代光刻技术急需解决。纳米压印技术极有可能成为下一代光刻技术，因为它具有工艺简单、成本低、效率高的优点。由于它是基于物理变形复制图案，不受光学衍射等因素影响，它具有较高的分辨率，可加工5纳米的图案。纳米压印印章制备成本昂贵、制备时间长，在压印过程中易于损伤，所以必须最大限度地提高纳米压印的印章寿命缩短工艺周期。纳米压印印章表面凸起或凹陷结构越多，意味着与聚合物接触的表面积越多，越容易引起聚合物和印章间的粘连。目前较为通用的方法是通过对印章表面施加一层抗粘连层来减少粘连现象。这种方法并不能完全消除粘连引起的的印章磨损和复制缺陷，为进一步减少由于粘连问题带来的问题，本发明提出一种比较简单直接的方法来进一步改进纳米压印工艺。
【发明内容】
[0003]目的:为了克服现有技术中存在的不足，本发明提供一种纳米压印易脱模方法，使得纳米压印印章易脱模，且工艺简单、成本较低。
[0004]技术方案:为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为:
一种纳米压印易脱模方法，其特征在于:不一次性直接将印章和胶体分开，而是提拉与下压结合分阶段进行。
[0005]具体包括以下步骤:
a)将印章向上提拉印章腔体或凸起高度的三分之一；
b)将印章下压，与胶体再次完全接触；
c)将印章再次向上提拉印章腔体或凸起高度的三分之二；
d)将印章下压，与胶体再次完全接触；
e)将印章向上提拉直至完全脱模。
[0006]作为优选方案，所述的纳米压印易脱模方法，其特征在于:所述印章的材质为硅、二氧化硅或镍。
[0007]作为优选方案，所述的纳米压印易脱模方法，其特征在于:所述胶体的材质为聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。
[0008]有益效果:本发明提供的纳米压印易脱模方法，采用了上述技术方案后，使得纳米工艺步骤脱模阶段比较容易脱模，并且工艺也比较简单，成本低廉。使得纳米压印印章易脱模，且工艺简单、成本较低。
【具体实施方式】
[0009]下面结合具体实施例对本发明作更进一步的说明。
[0010]实施例1:
采用聚焦离子束在硅衬底上加工一组纳米图案，刻蚀的沟槽长和宽为lOOnm，深度为300nm，得到纳米压印印章，胶体选用聚甲基丙烯酸甲酯。脱模阶段的步骤如下:
a、将印章向上提拉10nm；
b、将印章下压，与胶体再次完全接触；
C、将印章再次向上提拉200nm ；
d、将印章下压，与胶体再次完全接触；
e、将印章向上提拉直至完全脱模。
[0011]实施例2:
采用电子束光刻和反应离子刻蚀在二氧化硅衬底上加工纳米圆柱图案，突出的纳米圆柱图案直径60nm，高度为60nm，得到纳米压印印章，胶体选用聚苯乙烯。脱模阶段的步骤如下:
a、将印章向上提拉20nm；
b、将印章下压，与胶体再次完全接触；
C、将印章再次向上提拉40nm ；
d、将印章下压，与胶体再次完全接触；
e、将印章向上提拉直至完全脱模。
[0012]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种纳米压印易脱模方法，其特征在于:不一次性直接将印章和胶体分开，而是提拉与下压结合分阶段进行。2.根据权利要求1所述的纳米压印易脱模方法，其特征在于，具体包括以下步骤: a)将印章向上提拉印章腔体或凸起高度的三分之一； b)将印章下压，与胶体再次完全接触； c)将印章再次向上提拉印章腔体或凸起高度的三分之二； d)将印章下压，与胶体再次完全接触； e)将印章向上提拉直至完全脱模。3.根据权利要求2所述的纳米压印易脱模方法，其特征在于:所述印章的材质为硅、二氧化硅或镍。4.根据权利要求2所述的纳米压印易脱模方法，其特征在于:所述胶体的材质为聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。
【专利摘要】本发明公开了一种纳米压印易脱模方法，该脱模方法的特点是不一次性直接将印章和胶体分开，而是提拉与下压结合分阶段进行，具体工艺步骤如下：a、将印章向上提拉印章腔体或凸起高度的三分之一；b、将印章下压，与胶体再次完全接触；c、将印章再次向上提拉印章腔体或凸起高度的三分之二；d、将印章下压，与胶体再次完全接触；e、将印章向上提拉直至完全脱模。本发明工艺过程比较简单方便，而且有利于纳米压印时脱模。
【IPC分类】G03F7/00
【公开号】CN104898371
【申请号】CN201510355304
【发明人】孙洪文, 卞存康, 马晓超, 虎晨辉
【申请人】河海大学常州校区
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月25日